晶圓
-
無晶圓公司2010年占據(jù)MEMS營業(yè)收入23%
據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2010年無晶圓制造半導(dǎo)體公司擴大了在全球微機電系統(tǒng)(MEMS)市場的份額，去年占總體MEMS營業(yè)收入的近四分之一。2010年無晶圓制造半導(dǎo)體公司占總體MEMS營業(yè)收入的23.2%，高于四年前的21.3%。這
-
東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶
-
東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導(dǎo)體晶
-
東芝對18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計劃，但這項計劃很有可能延期。之前表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶圓直徑從2吋一路演進到現(xiàn)行
-
東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18寸晶圓開發(fā)計劃，但這項計劃很有可能延期。老早表明要全速進軍18寸晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。 半導(dǎo)
-
牛尾電機發(fā)布用于LED的200mm晶圓曝光裝置及激光剝離裝置
日本牛尾電機宣布已開始供貨LED用曝光裝置，并成功開發(fā)出了LED用激光剝離裝置。曝光裝置“UX4-LEDs FFPL 200”是“全球首款”（牛尾電機）支持200mm晶圓的產(chǎn)品。而激光剝離裝置“UX4－LEDs LLO150”用于從藍寶石（
-
200mm晶圓的金屬接合時間減半，三菱重工推出常溫接合裝置
展示的樣品為了便于觀察，由150mm和75mm不同尺寸（直徑）的晶圓接合而成。對各自表面上形成的銅層進行了常溫接合。筆者拍攝。（點擊放大） 在形成有硅貫通電極（TSV）的LSI的三維積層中，晶圓表面上形成的金屬層之
-
IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas
-
東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。半導(dǎo)體晶
-
u-blox 在中國設(shè)立第二個代表處
全球領(lǐng)先的定位及無線通訊解決方案無晶圓半導(dǎo)體供應(yīng)商 u-blox（瑞士證券交易所上市公司，股票代碼：UBXN）日前宣布，在深圳設(shè)立其在中國的第二個代表處。 u-blox中國區(qū)總經(jīng)理兼首席代表William Liu表示：“深圳
-
東芝18吋晶圓投產(chǎn)態(tài)度 轉(zhuǎn)趨保守
蘇恒安／綜合外電 外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計畫，但這項計畫很有可能延期。老早表明要全速進軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(Samsung Electronics)，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦
-
臺積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺積電稱，公司計劃于2011年Q3某個時候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時，28納米晶圓給公司帶來的營收貢獻比率將達到2%到3%左右。臺積電表示，Nv
-
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）
-
臺積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺積電稱，公司計劃于2011年Q3某個時候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時，28納米晶圓給公司帶來的營收貢獻比率將達到2%到3%左右。臺積電表示，Nv
-
臺積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺積電稱，公司計劃于2011年Q3某個時候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時，28納米晶圓給公司帶來的營收貢獻比率將達到2%到3%左右。臺積電表示，Nv
-
臺積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺積電稱，公司計劃于2011年Q3某個時候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時，28納米晶圓給公司帶來的營收貢獻比率將達到2%到3%左右。臺積電表示，Nv
-
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laser assisted discharge produced p
-
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓
比利時IMEC宣布，成功利用荷蘭阿斯麥（ASML Holding N.V.）公司生產(chǎn)的試制及少量生產(chǎn)用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置“NXE:3100”在晶圓上進行了曝光。該EUV曝光裝置配備了日本
-
2011年芯片設(shè)備銷量將同比增長12%
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)周二發(fā)布年中預(yù)測稱，今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將達到443.3億美元，同比增長12.1%。SEMI表示，20111年將是半導(dǎo)體業(yè)界歷史上支出第二高年份，僅次于2000年的480億美元，并且也是
-
《半導(dǎo)體》達能晶圓3廠Q4完工投產(chǎn)
太陽能矽晶圓廠達能（3686）位于觀音工業(yè)園的晶圓三廠昨（13）日舉行上梁典禮，預(yù)計第4季完工并準(zhǔn)備投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)劃為220MW，屆時公司的總裝置產(chǎn)能將上550MW。此外，達能也公布于本月29日除權(quán)息，預(yù)計配息1元、配股0.
