應(yīng)用材料公司本周三推出了新款Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備,這款RTP機(jī)型采用了晶圓背面加熱技術(shù),可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。 新型晶體管設(shè)計(jì)需要的RTP退火處理項(xiàng)目圖解
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(Symposium on VLSI Technology),
在臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電及中芯國(guó)際等晶圓代工廠的產(chǎn)能松動(dòng)下,中芯國(guó)際與IC設(shè)計(jì)業(yè)達(dá)成共識(shí),90奈米制程第三季代工價(jià)格降15%、65奈米制程降價(jià)10%;半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期,降價(jià)的趨勢(shì)恐怕延到今年第四季。臺(tái)積電和聯(lián)電昨(27)日都
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
受到上游客戶在6月中下旬開(kāi)始調(diào)整庫(kù)存影響,日月光6月?tīng)I(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能走弱,第2季營(yíng)收季增率恐落在原先預(yù)估的7%下緣,第3季雖然維持成長(zhǎng),但成長(zhǎng)幅度已趨緩,今年季增率將低于過(guò)去旺季期間10%以上的成長(zhǎng)幅度。日月光營(yíng)
據(jù)IHS iSuppli公司的研究,2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司擴(kuò)大了在全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)的份額,去年占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的近四分之一。 2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的23.2%,高于四年前的21.3
連于慧/臺(tái)北 矽晶圓供應(yīng)商臺(tái)勝科27日指出,第3季半導(dǎo)體矽晶圓價(jià)格已談完,預(yù)計(jì)將較第2季上漲10~20%,雖然2011年半導(dǎo)體成長(zhǎng)力道趨緩,且第3季展望保守,但因?yàn)橹笆艿饺毡?11地震影響,客戶庫(kù)存仍短少約1個(gè)月,加上
在臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電及中芯國(guó)際等晶圓代工廠的產(chǎn)能松動(dòng)下,中芯國(guó)際與IC設(shè)計(jì)業(yè)達(dá)成共識(shí),90奈米制程第三季代工價(jià)格降15%、65奈米制程降價(jià)10%;半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期,降價(jià)的趨勢(shì)恐怕延到今年第四季。 臺(tái)積電和聯(lián)電昨
受到歐債危機(jī)及美國(guó)失業(yè)率居高不下等負(fù)面因素影響,電子產(chǎn)品終端需求能見(jiàn)度轉(zhuǎn)差,為了避免芯片庫(kù)存水位上升太快,臺(tái)積電及聯(lián)電客戶上周起要求遞延出貨。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露,臺(tái)積電第3季營(yíng)收季增率恐降至5%左右,聯(lián)電則
受到歐債危機(jī)及美國(guó)失業(yè)率居高不下等負(fù)面因素影響,電子產(chǎn)品終端需求能見(jiàn)度轉(zhuǎn)差,為了避免芯片庫(kù)存水位上升太快,臺(tái)積電及聯(lián)電客戶上周起要求遞延出貨。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露,臺(tái)積電第3季營(yíng)收季增率恐降至5%左右,聯(lián)電則
DM廠委外代工和行動(dòng)裝置內(nèi)建晶片封測(cè)訂單持續(xù)涌入,市場(chǎng)預(yù)期封測(cè)大廠日月光(2311-TW)第2季封測(cè)業(yè)務(wù)將季增7%,第3季營(yíng)收表現(xiàn)也看俏?;ㄆ飙h(huán)球證券表示,日月光第2季營(yíng)運(yùn)目標(biāo)可達(dá)陣,但第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有雜音,因匯
路透(Reuters)報(bào)導(dǎo),美國(guó)能源部于17日提供1366Technologies有條件的貸款,以支持該公司發(fā)展多晶矽晶圓技術(shù)。能源部在聲明中指出,這項(xiàng)技術(shù)所采用的先進(jìn)制程可能有助降低太陽(yáng)能晶圓成本約50%。整體而言,這筆貸款將協(xié)
繼半導(dǎo)體耗材在第二季率先調(diào)漲后,日本二大矽晶圓供應(yīng)商日商信越半導(dǎo)體及勝高(SUMCO),傳將調(diào)漲第三季8寸及12寸矽晶圓價(jià)格,漲幅至少一成,將使得IC設(shè)計(jì)商聯(lián)發(fā)科、立錡等,以及臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電等晶圓代工廠
繼半導(dǎo)體耗材在第二季率先調(diào)漲后,日本二大矽晶圓供應(yīng)商日商信越半導(dǎo)體及勝高(SUMCO),傳將調(diào)漲第三季8寸及12寸矽晶圓價(jià)格,漲幅至少一成,將使得IC設(shè)計(jì)商聯(lián)發(fā)科、立錡等,以及臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電等晶圓代工廠第
繼半導(dǎo)體耗材在第二季率先調(diào)漲后,日本二大矽晶圓供應(yīng)商日商信越半導(dǎo)體及勝高(SUMCO),傳將調(diào)漲第三季8寸及12寸矽晶圓價(jià)格,漲幅至少一成,將使得IC設(shè)計(jì)商聯(lián)發(fā)科、立錡等,以及臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電等晶圓代工廠第
市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)最新報(bào)告指出,2011年全球半導(dǎo)體資本支出將成長(zhǎng)11.9%,達(dá)到628億美元,但到了2012年,資本支出將略微衰退2.6%,主要是因?yàn)槊媾R半導(dǎo)體庫(kù)存修正、還有晶圓代工產(chǎn)業(yè)供給過(guò)剩。此外,2013年下半年
AZZURRO半導(dǎo)體成立于2003年,具有專利的大直徑矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù),該技術(shù)源自德國(guó)Magdeburg大學(xué),在2010年10月獲得包括Wellington Partners、Good Energies和Emerald等4家創(chuàng)投業(yè)者共1,500萬(wàn)歐元的資金投入
晶圓 雙雄股東會(huì)雙雙落幕, 晶圓 代工下半年市場(chǎng)狀況也有了譜! 展望下半年, 臺(tái)積電 (2330)、 聯(lián)電 (2303)均直指受到歐債風(fēng)暴、美國(guó)景氣復(fù)蘇疲弱,以及新興國(guó)家如中國(guó)的 通貨膨脹 壓力,再加上新臺(tái)幣 升值 的 匯率
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,IBM日前宣布,已成功開(kāi)發(fā)全球首款晶圓級(jí)石墨集成電路,由于操作頻率可達(dá)10千兆赫,將能提升目前無(wú)線設(shè)備的效能,并開(kāi)創(chuàng)新的應(yīng)用可能性。 這項(xiàng)研究成果已刊登于這一期的科學(xué)雜志中。IBM表示,這
在半導(dǎo)體耗材先后漲價(jià)后,12吋硅晶圓也確定在第3季漲價(jià),業(yè)界傳出,供貨商計(jì)劃要漲價(jià)幅度高達(dá)1~2成,預(yù)期最后結(jié)果調(diào)漲1成是跑不掉。臺(tái)灣主要供貨商臺(tái)勝科、崇越都表示,漲價(jià)是一定的,只是幅度目前還在跟客戶談,要