東芝450mm晶圓投產(chǎn)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守
外界一直認(rèn)為東芝(Toshiba)會(huì)從2011年第3季啟動(dòng)18吋晶圓開發(fā)計(jì)畫,但這項(xiàng)計(jì)畫很有可能延期。老早表明要全速進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)的三星電子(SamsungElectronics),在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下,態(tài)度亦轉(zhuǎn)為慎重。
半導(dǎo)體晶圓直徑從2吋一路演進(jìn)到現(xiàn)行最大的12吋,未來18吋晶圓投產(chǎn)后,1片18吋晶圓產(chǎn)出的晶片數(shù),將是12吋晶圓的2倍;換言之,晶圓尺寸越大,越有助于降低積體電路的制造成本。
因此臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星等3家半導(dǎo)體巨頭,從2003年起就開始發(fā)展大尺寸晶圓,企圖擠下資金不夠雄厚的業(yè)者。2008年3家公司發(fā)表共同聲明,說2012年將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入18吋晶圓制造的適當(dāng)時(shí)機(jī)。
東芝向來以微細(xì)化制造技術(shù)見長,對(duì)大尺寸晶圓始終采取保留態(tài)度,但NANDFlash領(lǐng)域的頭號(hào)勁敵三星,在發(fā)表進(jìn)軍18吋晶圓技術(shù)之后,東芝迫于情勢只好跟進(jìn)。業(yè)界猜測東芝2011年第3季將開始會(huì)有具體動(dòng)作。
然面對(duì)2011年連續(xù)2季虧損,三星改以減少產(chǎn)能及資本支出因應(yīng)。東芝見三星縮手,開始思考18吋晶圓產(chǎn)線的必要性,傾向省下投產(chǎn)經(jīng)費(fèi),專注于細(xì)微化制程的研發(fā)。
事實(shí)上,以18吋晶圓投產(chǎn)能夠降低的?言說A遠(yuǎn)超過新世代制程。曝光設(shè)備現(xiàn)正面臨20奈米世代的瓶頸,極紫外光(ExtremeUltraviolet;EUV)技術(shù)成為眾所期待的新星。EUV是下一代半導(dǎo)體光刻技術(shù),目前已經(jīng)有多家企業(yè)引進(jìn)EUV微縮制程機(jī)臺(tái),但購置機(jī)臺(tái)費(fèi)用相當(dāng)高昂,而且效率不佳。業(yè)界人士表示,如果細(xì)微化制程走到死胡同,大尺寸晶圓就是廠商唯一的選擇,這樣看來18吋晶圓的量產(chǎn)時(shí)期訂為2015年絕對(duì)不算太早。
然而發(fā)展18吋晶圓,就代表設(shè)備商必須大手筆投資研發(fā),花費(fèi)最多將達(dá)到1,000=美元,負(fù)擔(dān)十分沉重。
2011年1月,臺(tái)機(jī)電宣布啟動(dòng)18吋晶圓廠投資計(jì)畫,預(yù)計(jì)2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線,2015年以20奈米開始量產(chǎn)。英特爾正在興建18吋廠,地點(diǎn)屬意該公司先進(jìn)制程的發(fā)源地美國奧勒岡州,預(yù)定2013年完成,看來要達(dá)成2012年開始量產(chǎn)的目標(biāo),已經(jīng)是不可能的任務(wù),如果三星和東芝再抽腿,半導(dǎo)體業(yè)界邁進(jìn)18吋晶圓的速度將更為緩慢。