外界一直認為東芝(Toshiba)會從2011年第3季啟動18吋晶圓開發(fā)計劃，但這項計劃很有可能延期。之前表明要全速進軍18吋晶圓技術的三星，在整體業(yè)績表現(xiàn)不佳的狀況下，態(tài)度亦轉為慎重。

半導體晶圓直徑從2吋一路演進到現(xiàn)行最大的12吋，未來18吋晶圓投產后，1片18吋晶圓產出的晶片數(shù)，將是12吋晶圓的2倍;換言之，晶圓尺寸越大，越有助于降低積體電路的制造成本。臺積電、Intel及三星等3家半導體巨頭，從2003年起就開始發(fā)展大尺寸晶圓，企圖擠下資金不夠雄厚業(yè)者。2008年3家公司發(fā)表共同聲明，說2012年將是半導體產業(yè)進入18吋晶圓制造的適當時機。

東芝向來以微細化制造技術見長，對大尺寸晶圓始終采取保留態(tài)度，但NAND Flash領域的頭號勁敵三星，在發(fā)表進軍18吋晶圓技術之后，東芝迫于情勢只好跟進。業(yè)界猜測東芝2011年第3季將開始會有具體動作。然面對2011年連續(xù)2季虧損，三星改以減少產能及資本支出因應。東芝見三星縮手，開始思考18吋晶圓產線的必要性，傾向省下投產經費，專注于細微化制程的研發(fā)。

EUV是下一代半導體光刻技術，目前已經有多家企業(yè)引進EUV微縮制程機臺，但購置機臺費用相當高昂，而且效率不佳。業(yè)界人士表示，如果細微化制程走到死胡同，大尺寸晶圓就是廠商唯一的選擇，這樣看來18吋晶圓的量產時期訂為2015年絕對不算太早。然而發(fā)展18吋晶圓，就代表設備商必須大手筆投資研發(fā)，負擔十分沉重。

2011年1月，臺機電宣布啟動18吋晶圓廠投資計劃，預計2013年導入試產線，2015年以20納米開始量產。英特爾正在興建18吋廠，地點屬意該公司先進制程的發(fā)源地美國奧勒岡州，預定2013年完成，看來要達成2012年開始量產的目標，已經是不可能的任務，加上三星和東芝的謹慎，半導體業(yè)界邁進18吋晶圓的速度將更為緩慢。