碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關性能，能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設計中能夠獲得更快速的短路保護，這對門極驅動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構中支持各種不同的門極電壓。
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強可靠性
與安克創(chuàng)新(Anker Innovations)攜手合作，推動大眾AC-DC電源適配器的氮化鎵革命 。
深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司(納斯達克股票代號POWI)近日宣布BridgeSwitch?集成半橋(IHB)電機驅動器IC產(chǎn)品系列已有新的擴展，現(xiàn)在支持最高400W的應用。BridgeSwitch IC內部集成了兩個性能加強的FREDFET(具有快恢復外延型二極管的場效應晶體管)分別用于半橋電路的上管和下管，且具有無損耗的電流檢測功能，可使無刷直流(BLDC)電機驅動器應用中的逆變器效率達到99.2%。IHB驅動器所提供的業(yè)界先進的效率性能和分布式散熱方法可省去散熱片，有助于降低系統(tǒng)成本和重量。
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司(納斯達克股票代號：POWI)近日宣布，其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver?現(xiàn)已通過AEC-Q100汽車級認證。新品件經(jīng)過設定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅動電壓要求，并具有先進的安全和保護特性。
InnoSwitch3-AQ采用Power Integrations的高速FluxLink?耦合技術，可在無需專用隔離變壓器檢測繞組和光耦的情況下，實現(xiàn)±3%的高精度輸入電壓和負載綜合調整率。FluxLink技術即使在瞬態(tài)應力測試下也能保持輸出電壓穩(wěn)壓，這對于基于PSR的方案而言尤其具有挑戰(zhàn)性。集成的750 V MOSFET可滿足嚴格的汽車降額要求，片上同步整流控制器在標稱400 VDC輸入電壓下可提供90%以上的效率。優(yōu)化后的InnoSwitch3-AQ設計可在整個輸入電壓范圍內實現(xiàn)小于10 mW的空載能耗。InnoSwitch3-AQ系列IC采用表面貼裝式InSOP封裝，其初級至次級爬電距離為11 mm，超過了高海拔(5000米以上)絕緣的嚴格要求。
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日宣布其InnoSwitch?3-MX隔離式開關電源IC產(chǎn)品系列擴大陣容，再添三款全新PowiGaN?器件。作為已采用Power Integrations的InnoMux?控制器IC芯片組的一部分，新的開關電源IC現(xiàn)可支持顯示器和家電電源應用，可提供高達75 W的連續(xù)輸出功率，并且無需無散熱片。
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款LinkSwitch?-TN2開關IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PCB面積非常小。
五款全新參考設計全頁展示采用寬爬電距離封裝的InnoSwitch?3-AQ反激式IC的性能
第五代標志性開關IC產(chǎn)品系列可在經(jīng)典反激式架構中實現(xiàn)高達175W的輸出功率和92%的效率
性能強大的芯片組采用緊湊、高效散熱的封裝，可實現(xiàn)高達98%的效率
該軟件與BridgeSwitch電機驅動器IC搭配使用，可實現(xiàn)對高效單相和三相無刷直流逆變器的控制和配置。
1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關符合IEC 60664-1絕緣標準
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實現(xiàn)高于90%的效率， 并通過三路精確調整的輸出提供高達70W的功率
使用軟硬件結合的方式將BLDC電機逆變器睡眠模式功耗降低至10mW以下，輸出功率擴展至1馬力的應用
王洪陽
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