中國,2021 年 9 月24 日 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體,發(fā)布了新的STM32WB無線微控制器(MCU)開發(fā)工具和軟件,為智能建筑、智能工業(yè)和智能基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)者降低設(shè)計經(jīng)濟、節(jié)能的無線設(shè)備的難度。
中國,2021 年 9月 22 日--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體宣布贏得了首個LoRa系統(tǒng)芯片(SoC)STM32WLE5*的設(shè)計訂單。
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA",關(guān)注我們!中國,2021年8月9日——針對隔離型降壓穩(wěn)壓器設(shè)計,意法半導(dǎo)體的A6986I和L6986IDC/DC變換器芯片優(yōu)化了產(chǎn)品特性,具有寬輸入電壓范圍和低靜態(tài)電流,確保變換器在汽車和工業(yè)應(yīng)用中穩(wěn)定、高效運行,最高輸出功率5W。如果系統(tǒng)需要一個非隔...
STM32 MCU、運動溫度傳感器、STSAFE-A 安全模塊和其他產(chǎn)品助力高安全性、高能效的嵌入式蜂窩設(shè)備云連接數(shù)據(jù)泵
中國,2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動器輸出電流大,高低邊輸出信號傳播延遲相同,都是45ns,能夠驅(qū)動 GaN 增強型 FET 高頻開關(guān)。
羅徹斯特電子與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者——意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正式展開合作。
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料,能隙為3.4 eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA",關(guān)注我們!MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件現(xiàn)在已發(fā)貨至分銷商處,支持工程師創(chuàng)建新的應(yīng)用。MASTERGAN3的低側(cè)電阻為225mΩ,高側(cè)電阻為450mΩ。另一方面,MASTERGAN4的低側(cè)和高側(cè)電阻均為225m...
??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”,關(guān)注我們????????????????????????????????為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達45W和150W的功率變換應(yīng)用...
??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”,關(guān)注我們????????氮化鎵(GaN)是???一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更...
??點擊上方?“?意法半導(dǎo)體PDSA”,關(guān)注我們????????科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議。科銳旗下Wolfspeed是全球SiC技術(shù)引領(lǐng)者。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè),橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。根據(jù)該更新的協(xié)議,科銳將在未來數(shù)年向意法半...
點擊“意法半導(dǎo)體PDSA",關(guān)注我們!中國,2021年9月3日意法半導(dǎo)體的STEVAL-NRG011TV評估板可幫助設(shè)計人員為LED和OLED電視快速開發(fā)200W數(shù)字電源和適配器,能效和待機能耗滿足嚴(yán)格的法規(guī)要求。STEVAL-NRG011TV基于意法半導(dǎo)體的STNRG011數(shù)字...
中國,2021年9月3日——意法半導(dǎo)體的STEVAL-NRG011TV評估板可幫助設(shè)計人員為LED 和 OLED 電視快速開發(fā)200W 數(shù)字電源和適配器,能效和待機能耗滿足嚴(yán)格的法規(guī)要求。
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
中國,2021 年 8 月 27 日——為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。
意法半導(dǎo)體(ST)成立于1988年6月,由意大利SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成,是半導(dǎo)體工業(yè)最具創(chuàng)新力的公司之一。