?2020年2月3日，美國新澤西州普林斯頓---美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業(yè)界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標準硅器件，使工程師可以采用比分立設計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構建開關電路。
?2019年12月9日，美國新澤西州普林斯頓--新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。
2019年7月24日，美國新澤西州普林斯頓---新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。
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