宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無(wú)論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這種微型逆變器放進(jìn)電機(jī)外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實(shí)現(xiàn)最高的功率密度和最輕的重量。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2066)，為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司 (EPC)宣布推出通過(guò)車規(guī)認(rèn)證的晶體管和集成電路最新成員，針對(duì)飛行時(shí)間激光雷達(dá)(ToF激光雷達(dá))應(yīng)用，讓客戶實(shí)現(xiàn)具有更高的性能和更小型化的解決方案，用于機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、3D傳感器和自動(dòng)駕駛汽車等應(yīng)用。
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì)，在極小的芯片級(jí)封裝中，實(shí)現(xiàn) 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能逆變器、激光雷達(dá)和 LED 照明的理想器件。
EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計(jì)，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)EPC的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會(huì)分享多項(xiàng)現(xiàn)場(chǎng)演示以闡釋氮化鎵技術(shù)如何為許多行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換帶來(lái)革命性突破，包括計(jì)算、通信和e-mobility。
EPC9165 是一款兩相、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個(gè)模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測(cè)距，多用飛行時(shí)間法(TOF)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是發(fā)射器發(fā)射出激光，操控模組控制射出方向，激光會(huì)照射到目標(biāo)物體表面，并瞬間產(chǎn)生反射，反射光束被接收器接收，處理器計(jì)算出這束光往返的時(shí)間，就能得到這個(gè)點(diǎn)的精確距離。當(dāng)發(fā)出無(wú)數(shù)道光線之后，就可以用無(wú)數(shù)個(gè)點(diǎn)來(lái)勾勒物體。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)為工程師提供更多的設(shè)計(jì)工具、模型和性能仿真器，用于基于高性能氮化鎵器件的設(shè)計(jì)。
瑞薩電子(Renesas)的兩相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的超高效eGaN? FET相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，可提供2 kW的功率和實(shí)現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動(dòng)力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。
EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN? FET)，器件型號(hào)為EPC2067，專為設(shè)計(jì)人員而設(shè)。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉(zhuǎn)換器采用簡(jiǎn)單、低成本的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn) 95.3%的峰值效率和低溫升。
龍象
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