雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
【2021年9月17日，德國(guó)慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開(kāi)關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。
英飛凌的產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)于維持全球供應(yīng)鏈穩(wěn)定具有里程碑式的意義！
作為一家開(kāi)發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識(shí)到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個(gè)特定領(lǐng)域。
【2021年9月8日，德國(guó)慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術(shù)，提供更高的效率和功率密度水平。
2021年9月8日，中國(guó)上海訊——9月27日，為期三天的深圳國(guó)際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展(ELEXCON 2021)將隆重開(kāi)幕。
【2021年9月7日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其采用TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合推出新的額定電流。
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國(guó)慕尼黑訊】在電力電子和半導(dǎo)體市場(chǎng)，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場(chǎng)推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導(dǎo)體技術(shù)價(jià)值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀。
【2021年8月23日，德國(guó)慕尼黑訊】在英飛凌科技股份公司的協(xié)調(diào)下，“電子元件唯一可識(shí)別性的設(shè)計(jì)方法和硬件/軟件聯(lián)合驗(yàn)證”(VE-VIDES)研究項(xiàng)目已經(jīng)開(kāi)始運(yùn)作。
英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用工程師周利偉
如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
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