100 V和 200 V器件與SOD-128封裝占位兼容,引線寬度大于SlimSMA封裝器件。
新型傳感器采用16位分辨率,提高靈敏度和線性度
器件占位面積10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 m?,F(xiàn)OM降至172 m?*nC,均為業(yè)內(nèi)最佳水平
器件采用PowerPAK?SO-8單體封裝,導(dǎo)通電阻降至2.35mW,柵極電荷為55nC,COSS為614pF
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ,柵極電荷為55 nC,COSS為614 pF。
2 A和3 A器件反向電壓從45 V到200 V,正向壓降低至0.36 V
器件適用于消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用
這款通孔器件采用鐵粉磁芯技術(shù),直流電阻低,有助于減少功耗,提高效率
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V,內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
器件節(jié)省空間,高度僅為1.0 mm,適用于計(jì)算機(jī)和電信應(yīng)用
VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01入圍 “年度最佳模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品”
汽車級(jí)金屬化聚丙烯薄膜器件工作溫度高達(dá)+125 °C,適用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車
器件節(jié)省空間,工作溫度達(dá)+125°C,高度僅為1.0mm,適用于計(jì)算機(jī)和通信應(yīng)用
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