致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專(zhuān)門(mén)用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專(zhuān)為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開(kāi)發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的SiC功率模塊產(chǎn)品。

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其SiC解決方案的開(kāi)發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專(zhuān)為高電流SiC MOSFET功率模塊而設(shè)計(jì)的最低雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200 V、210A至586 A;以及Tc同為80°C的情況下達(dá)到1700 V、207 A的相臂拓?fù)洹＿@種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數(shù)量的并聯(lián)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)，幫助客戶進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。

美高森美的SP6LI功率模塊可以用于多種工業(yè)、汽車(chē)、醫(yī)療、航天和國(guó)防應(yīng)用領(lǐng)域的開(kāi)關(guān)模式電源和電機(jī)控制，示例包括電動(dòng)車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)(EV/HEV)動(dòng)力傳送和動(dòng)能回收系統(tǒng)、飛機(jī)作動(dòng)器系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)、開(kāi)關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車(chē)電氣化等應(yīng)用的開(kāi)關(guān)模式電源、光伏(PV)/太陽(yáng)能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器 和不間斷電源。

美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門(mén)經(jīng)理Leon Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開(kāi)關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過(guò)提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們的低電感封裝具有出色的開(kāi)關(guān)特性，使客戶能夠開(kāi)發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出。”

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Technavio指出，面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約5.405億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)超過(guò)18%。此外，IHS Markit的研究表明，預(yù)計(jì)SiC MOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過(guò)3億美元營(yíng)收，幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷(xiāo)SiC分立功率器件類(lèi)型。

美高森美的SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)?，每個(gè)開(kāi)關(guān)具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號(hào)和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn)，氮化硅作為選件)。此外，標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實(shí)現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。

其它主要特性包括：

· 在相臂拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中優(yōu)化多SiC MOSFET和二極管芯片組件的布局;

· 采用對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)，每個(gè)開(kāi)關(guān)最多可并聯(lián)12個(gè)SiC MOSFET芯片;

· 每個(gè)管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)均勻的電流平衡;

· 在非?？斓拈_(kāi)關(guān)頻率下，具有高達(dá)600 A的高電流能力;以及

· 可選的組裝材料組合，能夠更好地滿足不同的市場(chǎng)和應(yīng)用需求。

6月5日至7日在PCIM展會(huì)6號(hào)展廳318展臺(tái)進(jìn)行演示

美高森美產(chǎn)品專(zhuān)家將在PCIM展會(huì)期間于公司展臺(tái)上展示其下一代SiC解決方案，包括新型低電感基于SiC的 SP6LI功率模塊。此外，還將展示最近發(fā)布的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200 V、10/30 / 50A SiC二極管產(chǎn)品，以及功率因數(shù)校正(PFC)參考設(shè)計(jì)。