MOSFET
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電力電子器件選用原則是什么？
通常來說，選用哪類器件取決于成本、效率的要求并兼顧開關(guān)頻率。如果要求硬開關(guān)在100kHz以上，一般只有MOSFET能夠勝任。用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級(jí))的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。
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MOSFET器件的選擇技巧
小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇MOS管時(shí)，一定要依據(jù)電路設(shè)計(jì)需求及MOS管工作場(chǎng)所來選取合適的MOS管，從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計(jì)體驗(yàn)。
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源)，并于今日開始出貨。
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充電電池的電路設(shè)計(jì)
通常我們都知道從電路性能上來考慮， 使用鍺二極管或者肖特基二極管是最好的選擇。
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如何改善白光LED？線性穩(wěn)壓器(LDO)可以嗎？
自從前些年白光LED誕生以來，白光 LED 的應(yīng)用得到了穩(wěn)步發(fā)展。與熒光燈相比具有使用簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)勢(shì)，與白熾燈相比可以提供更接近于白色的光，因此，其用量在最近幾年呈現(xiàn)出穩(wěn)步上升的趨勢(shì)，在手持式產(chǎn)品中被廣泛用作閃光燈、顯示器背光等。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中針對(duì)白光 LED 也存在一些有待解決的技術(shù)問題。
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實(shí)裝電源電路 PCB 板布局相關(guān)的注意事項(xiàng)的經(jīng)驗(yàn)分享，值得收藏
開關(guān)電源電路的PCB布局是怎么樣的吶，小編根據(jù)自己的經(jīng)驗(yàn)，為大家分享了實(shí)裝 PCB 板布局相關(guān)的注意事項(xiàng)。
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貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊，兼具SiC MOSFET與二極管之長(zhǎng)
專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MOSFET模塊。
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ROHM開發(fā)出1mm見方超小型車載MOSFET!
提升散熱性與安裝可靠性，非常適用于日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設(shè)備
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Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
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IGBT 系統(tǒng)設(shè)計(jì)詳解
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器
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智能MOSFET可提高醫(yī)療設(shè)計(jì)的可靠性及性能
目前，受更好的顯示和存儲(chǔ)器技術(shù)的推動(dòng)，以及即將來臨的北美地區(qū)數(shù)字電視播送的最后期限，高清晰度視頻開發(fā)的熱度正在快速上升。近期技術(shù)所取得的進(jìn)展，已經(jīng)使得從體積小到手機(jī)、MP3播放機(jī)，大到視頻墻
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【世說設(shè)計(jì)】專家技術(shù)文章：提高 4H-SiC 肖特基二極管和 MOSFET 的雪崩耐受性
半導(dǎo)體市場(chǎng)的最新趨勢(shì)是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和功率 MOSFET。與此同時(shí)，由于可供分析的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)有限，這些器件的長(zhǎng)期可靠性成為一個(gè)需要解決的熱點(diǎn)問題。一些 SiC 供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴(yán)格的工業(yè)和汽車（
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恩智浦推高整合LED驅(qū)動(dòng)器 應(yīng)對(duì)MOSFET缺貨
半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體（LED）照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高
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同步整流技術(shù)在通信電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
現(xiàn)今電力電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢(shì)是低電壓、大電流。使得在次級(jí)整流電路中選用同步整流技術(shù)成為一種高效、低損耗的方法。由于功率MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，能提高電源效率，所以在采用隔離Bu
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Toshiba推車用低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
東芝公司（Toshiba CorporaTIon）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A
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知識(shí)大全：便攜設(shè)計(jì)中模擬開關(guān)的變遷
笙科電子（AMICCOM） 為亞洲地區(qū)IC設(shè)計(jì)公司中，同時(shí)專長(zhǎng)于SRD （短距離無線通信） 與衛(wèi)星通訊LNB的射頻IC設(shè)計(jì)公司。笙科電子于2013年1月發(fā)表新一代的衛(wèi)星通訊產(chǎn)品，命名為 A7
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瑞薩推出第三代車載SJ-MOSFET，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和EMI
瑞薩電子開發(fā)出同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）的30～40V耐壓車載用超結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET），并在“ISPSD 2013（日本電氣學(xué)會(huì)主辦，2013年5月2
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飛兆半導(dǎo)體的汽車級(jí)高速、低邊驅(qū)動(dòng)器系列 可提高效率、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
觸控筆記本今年市場(chǎng)滲透率估約15%，表現(xiàn)不如預(yù)期，第3季觸控筆記本OGS面板下跌了5~8%，希望刺激需求。DisplaySearch研究總監(jiān)謝忠利指出，近期低價(jià)版本問世，觸控面板價(jià)格已經(jīng)降到
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國(guó)產(chǎn)IGBT前景看好，但突破之路頗曲折
隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件；而在中國(guó)市場(chǎng)，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGB
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