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基于高速IGBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
本文分析了一種基于高速IGBT的軟開(kāi)關(guān)移相全橋帶同步整流的DC/DC轉(zhuǎn)換器。移相全橋拓?fù)涞能涢_(kāi)關(guān)技術(shù)是混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的主流關(guān)鍵技術(shù)。
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分享：IGBT的檢測(cè)方法
IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)
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新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機(jī)
新能源汽車隨著相關(guān)技術(shù)的日趨成熟而越來(lái)越受歡迎，同時(shí)其清潔環(huán)保的特點(diǎn)已經(jīng)越來(lái)越受到大眾的喜愛(ài)。只是受制于動(dòng)力系統(tǒng)(電池等)的限制，新能源汽車的續(xù)航與動(dòng)力艙的體積一
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如何通過(guò)器件選用與環(huán)境溫度提升IGBT性能
隨著不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)開(kāi)始走進(jìn)人們的生活。而對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，對(duì)于IGBT的相關(guān)知識(shí)進(jìn)行學(xué)習(xí)并不困難，困難的是理解這種技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中的一些問(wèn)題。本文就將針對(duì)
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基于SPWM技術(shù)的逆變電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析
與常見(jiàn)的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應(yīng)用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機(jī)領(lǐng)域中應(yīng)用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機(jī)SPWM逆變電路當(dāng)中，關(guān)鍵器件
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路
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過(guò)流短路保護(hù)對(duì)逆變電源的重要性
由于逆變電源在電路中肩負(fù)著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換，所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況，那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況，想要有效避免短路情況的發(fā)生，
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析
電源技術(shù)不斷進(jìn)步，這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對(duì)現(xiàn)如今的產(chǎn)品。最典型的例子就是隨著應(yīng)急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術(shù)開(kāi)始走俏起來(lái)。
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系
現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí)，大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái)，IGBT的可靠性直接關(guān)系到變頻的效率與電力設(shè)備
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流程改進(jìn)提高效率IGBT為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
當(dāng)選擇的IGBT，設(shè)計(jì)者面臨著一些架構(gòu)選擇，可以有利于IGBT的一種形式中，如對(duì)稱與不對(duì)稱阻塞，在另一個(gè)的。本文將回顧由不同的IGBT架構(gòu)所提供的設(shè)計(jì)方案。該絕緣柵雙極晶體
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瑞薩推出650V/1250V耐圧IGBT新產(chǎn)品，性能提高30％
瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(shù)(FOM)較上代產(chǎn)品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產(chǎn)品“G8H系列”，已開(kāi)始供應(yīng)樣品。FOM是開(kāi)關(guān)損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積，F(xiàn)OM越
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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包
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驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析
在IGBT的使用過(guò)程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路工作頻率相對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)頻率不足時(shí)，導(dǎo)致的IGBT失效問(wèn)題。只有對(duì)IGBT失效原因進(jìn)
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IGBT電源中關(guān)于過(guò)流保護(hù)的講解
IGBT模塊對(duì)不間斷電源技術(shù)提供了技術(shù)保證，正在成為不間斷電源技術(shù)中的主流技術(shù)。在IGBT模塊電源技術(shù)中，對(duì)于電路的保護(hù)是非常必要的。本文就將對(duì)IGBT保護(hù)電路中的過(guò)流保護(hù)
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IGBT失效 都是變壓器結(jié)電容惹的禍
隨著人們對(duì)電源及電子設(shè)備的功能要求越來(lái)越高，為各種設(shè)備提供電源時(shí)需要進(jìn)行的改動(dòng)就越來(lái)越多。IGBT就是其中一種，然而在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，很多朋友經(jīng)常會(huì)遇到IGBT莫名其
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世強(qiáng)簽約國(guó)際橋堆領(lǐng)軍企業(yè)新電元 共拓工業(yè)汽車領(lǐng)域新版圖
全球先進(jìn)電子元件分銷商世強(qiáng)日前與國(guó)際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內(nèi)的新電元全線產(chǎn)品。 新 電元工業(yè)株式會(huì)社于1949年成立以來(lái)，主要
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詳解三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法
本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用
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IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)之電路設(shè)計(jì)方案
直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分，也是很多工程師的重點(diǎn)設(shè)計(jì)方向之一。此前我們?cè)?jīng)分享過(guò)幾種穩(wěn)壓直流大功率電源的設(shè)計(jì)方案，也得到了各位
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品 S5系列IGBT率先登陸Mouser
21ic訊 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175&
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大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案
1引言隨著電力電子器件制造技術(shù)的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)損耗低及工作頻率高等特點(diǎn)，而越來(lái)越多地
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