三星：明年DRAM芯片需求將持續(xù)強勁

談及目前內(nèi)存芯片持續(xù)強勁需求是否會在2019年終結(jié)?金奇南預(yù)測，明年芯片需求將持續(xù)強勁。

紫光國微：DRAM內(nèi)存芯片已達世界主流設(shè)計水平，但產(chǎn)能無法保證

紫光旗下還有紫光國微半導(dǎo)體，該公司日前表示在DRAM內(nèi)存芯片上，該公司已具備世界主流設(shè)計水平，但是產(chǎn)能無法保證，產(chǎn)品銷量不大。

DRAM真的會降價嗎？

2018年已經(jīng)是DRAM內(nèi)存漲價的第三年了，持續(xù)漲價讓三星、SK Hynix、美光等芯片供應(yīng)商的財報越來越好看。

廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，內(nèi)存將繼續(xù)降價？

自2018年第二季起，內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間， 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

智能手機Flash/DRAM選擇、配置與價格大全（1）

智能手機Flash/DRAM選擇、配置與價格大全（2）

獨占鰲頭!三星在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出22%

8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出22%，而一年前的該比例僅為1%。

三星DRAM延期 為價格形成有力支撐

三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃，決定延至今年底，為DRAM價格形成有力支撐。 隨著三星新產(chǎn)能擴充腳步延后、供給獲得節(jié)制，一般預(yù)料，DRAM價格在今年11月前都將持穩(wěn)不墜，臺系DRAM大廠南亞科、華邦電今年營收也將同步繳出創(chuàng)歷史新高佳績。

全球DRAM內(nèi)存市場營收再創(chuàng)紀(jì)錄 三星毛利率接近70%

今年的NAND閃存價格降了，但是DRAM內(nèi)存價格還是居高不下，唯一的變化就是今年的漲價沒有2016年、2017年那么夸張，Q2季度中全球DRAM內(nèi)存市場營收達到了256.91億美元，環(huán)比增長11.3%，創(chuàng)造新了新的記錄。與Q1季度相比

全都是泡沫？內(nèi)存價格預(yù)計明年將下跌25%

終于，內(nèi)存條價格要降了。據(jù)DRAMeXchange報道，內(nèi)存價格在2019年將降低15~25%。報道稱，第四季度的DRAM芯片合同價的談判已開始，雖然PC DRAM保持穩(wěn)定，但隨著DRAM需求全面放緩，圖形顯卡的DRAM價格已經(jīng)下滑。目前，

DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。

調(diào)查顯示：DRAM價格已近高點

觀察全球DRAM大廠營收表現(xiàn)，三星穩(wěn)坐產(chǎn)業(yè)龍頭，營收再創(chuàng)歷史新高，來到112.1億美元，季增8.2%;SK海力士受惠于位元成長顯著，營收較前季大幅成長19.5%，達76.9億美元，亦幫助SK海力士于第二季奪回部分市占。兩大韓廠第二季營收市占率分別為43.6%與29.9%，合計約73.5%。

第二季DRAM供給吃緊，報價上揚，營收再創(chuàng)新高

2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了繪圖用內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。

2018年DRAM芯片產(chǎn)值將突破1000億美元！三星成最大贏家

內(nèi)存芯片產(chǎn)值高，受益最高的就是韓國企業(yè)了，尤其是三星電子，三星在DRAM內(nèi)存占據(jù)全球市場份額的45%，NAND閃存占37%。

內(nèi)存是塊肥田！2018年全球DRAM銷售額有望突破1000億美元大關(guān)

報告稱，今年全球半導(dǎo)體銷售總額將達4280億美元，其中DRAM所占比重將達24%，若加上NAND閃存的市場份額，兩大存儲器在半導(dǎo)體市場上占比將高達38%。

SK海力士4D NAND Flash首發(fā)，Q4送樣

倒數(shù)第二個出場的SK海力士(SK Hynix)帶來的黑科技4D NAND無疑更搶眼球，因為它們已經(jīng)可以在Q4送樣了。雖然之前三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等已經(jīng)宣布過96層/QLC新一代技術(shù)，但發(fā)布產(chǎn)品SK海力士是第一家。

SK Hynix斥資15萬億韓元建設(shè)DRAM工廠

SK Hynix日前宣布了新的投資計劃，將斥資15萬億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國總部京畿道利川市3.5萬平方米的場地上建設(shè)新的工廠，編號M16。

IC Insights：至2020年半導(dǎo)體市場將高度成長

研調(diào)機構(gòu) IC Insights 表示，今年包括手機與個人計算機等電子系統(tǒng)產(chǎn)品出貨恐將疲軟，預(yù)期今年手機出貨量將減少 1%，個人計算機出貨量也將減少 1%，汽車出貨量將成長 3%。

10nm工藝、速率高達6400Mb/s！三星首發(fā)8Gb LPDDR5 DRAM

最新消息，三星電子宣布 成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，采用10nm工藝。

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案