據(jù)調研機構TrendForce最新報告,今年過去的第三季度,由于手機和服務器供求缺口增大,NANDFlash閃存的整體營收增加了14%。
最近一段時間炒的最熱的就是內存漲價了,DIY玩家提到這事簡直心碎的跟餃子餡一樣,去年初裝機16GB DDR4內存也就500來塊錢,現(xiàn)在再裝16GB內存差不多要1700塊錢了,這一下子
三星電子準備按下毀滅開關,內存的超級周期將畫上句點? 據(jù)傳三星為了防止陸廠染指DRAM,打算大舉擴產(chǎn),未來全球DRAM產(chǎn)出可能一舉暴增20%。
10月31日晚間,兆易創(chuàng)新發(fā)布重大事項停牌公告,稱兆易創(chuàng)新擬籌劃重大事項,該事項可能涉及發(fā)行股份購買資產(chǎn)。
DRAM供不應求短期難解,全球DRAM制造龍頭南韓三星半導體通知通路商,計劃明年第1季再調漲DRAM報價,漲幅3~5%, 其中以行動式DRAM漲幅較大,這也說明三星在采取節(jié)制性增產(chǎn)下,仍不愿放棄持續(xù)拉升DRAM獲利,推升集團獲利表現(xiàn),有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產(chǎn),打亂DRAM產(chǎn)業(yè)秩序的疑慮。
DRAM領域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán),玩家從80年代的40~50家,逐漸減少到了08年金融危機之前的五家,分別是:三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日),五家公司基本控制了全球DRAM供給,終端產(chǎn)品廠商如金士頓,幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力,都要向它們采購原材料。按照常理來說,格局已經(jīng)趨穩(wěn),價格戰(zhàn)理應偃旗息鼓,可惜的是,韓國人并不答應,尤其是三星。
內存價格持續(xù)上漲,主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應嚴重不足,而且整個2018年都不會緩和。
2012年2月3日,全球著名內存生產(chǎn)廠商鎂光科技的CEO史蒂夫·阿普爾頓(Steve Appleton),在美國愛達荷州的波伊西(Boise)的一個航空展上,駕駛著一架Lancair IV-PT螺旋槳飛機,給觀眾們做表演。起飛后不久,飛
內存價格的瘋狂大家都看在眼里,但是如果你指望能在短期內看到降價,那就太天真了,能別漲太瘋就要燒高香了。
據(jù)IC Insights預測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
SK海力士(SK Hynix)日前終于如愿以美日韓聯(lián)盟成員身分與東芝(Toshiba)簽約,也為延宕許久的東芝半導體出售一案,暫時劃下句點。盡管SK海力士強調僅是投資者,但SK海力士與東芝在NAND Flash市場上,其實有許多復雜的競爭及利害,因此未來SK海力士NAND Flash事業(yè)發(fā)展動向,格外引起業(yè)界高度關注。
據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。
在DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象。據(jù)業(yè)者估計,2017年DRAM整體價格漲幅將高達39%,在智能手機存儲器容量提升以及服務器需求的驅動下,明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象。
據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。
在OLED面板競爭者量產(chǎn)進度不斷遞延,加上Flash、DRAM報價因市場寡占結構確立,后續(xù)易漲難跌格局難變,三星電子(Samsung Electronics)2017年第2季獲利以逾136億美元首度超前蘋果(Apple)的財報內容,未來一段時間內恐成常態(tài)。
全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1,300億元,絕大部分DRAM基地都在臺灣地區(qū),成為生產(chǎn)重鎮(zhèn),未來也將持續(xù)在臺擴充產(chǎn)能。美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營運中心。
大陸半導體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設時期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當中2014年6月國務院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉捩點。
DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動性強的又一例證, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年時間,DRAM價格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調研機構IC Insights表示,2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%,為史上最高。
根據(jù)市場分析師表示,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格正居高不下,而且預計還會更進一步攀升。許多人認為目前的存儲器市場情況只是暫時的供需不均衡。或者,他們預期當3D NAND快閃存儲器(flash)的制造趨于成熟后,就能解決目前的市場情況。然而,以DRAM的市況而言,沒人能知道DRAM供應何時會改善。
2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。