DRAM

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三星再次更新內(nèi)存技術(shù)：容量最高16GB，帶寬高達410GB/s

三星再次更新內(nèi)存技術(shù)，在NVIDIA的GTC大會上專門為數(shù)據(jù)中心、GPU等高性能計算帶來了更新的HBM2E內(nèi)存。這款芯片是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的產(chǎn)品。

智能硬件
2019-03-21

DRAM 三星內(nèi)存
重大突破！清華大學團隊突破 MRAM 技術(shù)瓶頸

臺灣科技部在14日發(fā)表由清華大學團隊研發(fā)出的最新磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)，稱對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將有決定性的影響力。

智能硬件
2019-03-15

技術(shù) mram DRAM
三星將量產(chǎn)移動式12GB DRAM

三星電子14日表示，將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。

嵌入式動態(tài)
2019-03-15

廠商動態(tài) 移動式dram DRAM 三星
存儲市場面臨寒冬：2019年Q1將出現(xiàn)8年來單季最大跌幅

據(jù)國外媒體報道，集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新調(diào)查顯示，2019年Q1，由于市場供過于求，DRAM產(chǎn)業(yè)的大部分交易已改為月結(jié)價(Monthly Deals)，價格也在2月份出現(xiàn)大幅下滑，季度降幅已從最初估計的25%調(diào)整至近30%，這將是自2011年以來單季最大跌幅。

嵌入式動態(tài)
2019-03-15

半導體晶圓行業(yè)資訊 DRAM
三星開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM

據(jù)businessKorea報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。

嵌入式動態(tài)
2019-03-11

存儲器廠商動態(tài) DRAM 三星
MRAM將改變半導體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

據(jù)報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。

嵌入式動態(tài)
2019-03-08

nand 廠商動態(tài) DRAM 三星
2018年全球DRAM市場同比增長39％，預測今年將同比驟降17.5％

其中，全年來看三星電子占市場份額的43.9%，達到437.47億美元。其次是SK海力士，達到294.09億美元，占29.5%

智能硬件
2019-03-05

sk海力士 nand閃存 DRAM
內(nèi)存價格狂跌不止：8GB單條有望跌破300元

從去年Q4季度以來，DRAM內(nèi)存的價格就已經(jīng)開始由漲轉(zhuǎn)跌，由于智能手機及經(jīng)濟環(huán)境的變化導致需求放緩，再加上廠商庫存增加，內(nèi)存價格已經(jīng)開始降了。從市場調(diào)研數(shù)據(jù)來看，內(nèi)存價格確實是不斷在下滑的，僅僅是今年

充電吧
2019-03-05

DRAM 三星內(nèi)存
南亞科啟動10納米世代技術(shù)

今年以來DRAM價格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。

嵌入式動態(tài)
2019-03-01

美光南亞科廠商動態(tài) DRAM
南亞科：3月起DRAM市況開始好轉(zhuǎn)，價格跌幅開始收斂

2月27日，南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，去年大幅成長的服務器存儲器市場經(jīng)過兩季的調(diào)整，3月起市況開始好轉(zhuǎn)，第二季DRAM 市況可望較第一季略為回溫。

智能硬件
2019-02-28

ddr4 服務器存儲器 DRAM
量價齊跌壓力下，2018年第四季DRAM產(chǎn)值下滑18.3%

從營收角度觀察，廠商普遍難逃季衰退的命運。產(chǎn)業(yè)龍頭三星在服務器內(nèi)存出貨大減的沖擊下，第四季位元出貨在三大原廠中下滑最多，營收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。

智能硬件
2019-02-26

美光服務器 DRAM 三星
美光：預計下半年業(yè)務形勢會增強

外電報導指出，美國半導體大廠美光科技周二股價上揚，主要因為該公司首席執(zhí)行長預計下半年情況將會改善。

智能硬件
2019-02-15

半導體美光 DRAM
美光CEO預計下半年情況改善

外電報導指出，美國半導體大廠美光科技周二股價上揚，主要因為該公司首席執(zhí)行長預計下半年情況將會改善。

嵌入式動態(tài)
2019-02-15

半導體美光行業(yè)資訊 DRAM
股價上漲預示內(nèi)存芯片需求可能觸底反彈

瑞士信貸(Credit Suisse)董事總經(jīng)理、臺灣股票研究主管Randy Abrams表示，許多芯片公司表示，盡管預計2019年第一季度前景不佳，但該季度可能會觸及“周期底部”。他說，投資者通常會試圖\"把握底部時間\"，\"擔心稍后的復蘇速度\"。Kiwoom Securities全球戰(zhàn)略與研究主管Daniel Yoo表示，半導體行業(yè)的低迷周期“可能比預期短得多”。

嵌入式動態(tài)
2019-02-15

芯片行業(yè)資訊 DRAM 內(nèi)存
觸底反彈，半導體行業(yè)的低迷周期“可能比預期短得多”？

Kiwoom Securities全球戰(zhàn)略與研究主管Daniel Yoo表示，半導體行業(yè)的低迷周期“可能比預期短得多”。

智能硬件
2019-02-14

半導體芯片 DRAM
美光積極加碼投資臺灣，5.33億元拿地進一步擴大生產(chǎn)規(guī)模

臺灣是美光的DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn)，并在此建立DRAM卓越中心。美光桃園廠預計今年進入1Y納米技術(shù)量產(chǎn)，臺中廠將于明年進入1Z納米技術(shù)量產(chǎn)。

智能硬件
2019-02-12

美光封測 DRAM
存儲器價格持續(xù)下滑，DRAM大廠南亞科1月營收同比降3成

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年上半年受全球經(jīng)濟放緩、中美貿(mào)易戰(zhàn)、關(guān)稅提高造成供應鏈調(diào)整與CPU 短缺等因素影響，預期DRAM 市場上半年市況保守，第1 季度價格下跌幅度可能與去年第4 季的下滑1 成相近，第2 季目前仍難以預期。

智能硬件
2019-02-11

存儲器南亞科 DRAM
應對需求疲軟、價格下滑！美光減投12.5億美元、南亞和海力士投資降40%

具體來說，美光科技將在DRAM和NAND閃存領(lǐng)域的投資較之前的計劃減少12.5億美元。南亞和海力士計劃各自降價40%。三星電子(Samsung Electronics)可能也會效仿。

智能硬件
2019-01-30

美光 nand閃存 DRAM
繁榮已過，DRAM今年出貨恐大衰退

由于需求疲弱，繼三星、美光和南亞科后，韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。

智能硬件
2019-01-29

nand Flash sk海力士 DRAM
美國出口禁令致原料耗盡？外媒稱福建晉華3月前被迫停產(chǎn)

近日，據(jù)接近福建晉華和聯(lián)電的兩位知情人士透露，由于美國的出口禁令，福建晉華正在即將消耗盡其庫存的進口材料，而這些材料對保證工廠的運作至關(guān)重要。

智能硬件
2019-01-29

美光芯片晉華 DRAM

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DRAM

三星再次更新內(nèi)存技術(shù)：容量最高16GB，帶寬高達410GB/s

重大突破！清華大學團隊突破 MRAM 技術(shù)瓶頸

三星將量產(chǎn)移動式12GB DRAM

存儲市場面臨寒冬：2019年Q1將出現(xiàn)8年來單季最大跌幅

三星開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM

MRAM將改變半導體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

2018年全球DRAM市場同比增長39％，預測今年將同比驟降17.5％

內(nèi)存價格狂跌不止：8GB單條有望跌破300元

南亞科啟動10納米世代技術(shù)

南亞科：3月起DRAM市況開始好轉(zhuǎn)，價格跌幅開始收斂

量價齊跌壓力下，2018年第四季DRAM產(chǎn)值下滑18.3%

美光：預計下半年業(yè)務形勢會增強

美光CEO預計下半年情況改善

股價上漲預示內(nèi)存芯片需求可能觸底反彈

觸底反彈，半導體行業(yè)的低迷周期“可能比預期短得多”？

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存儲器價格持續(xù)下滑，DRAM大廠南亞科1月營收同比降3成

應對需求疲軟、價格下滑！美光減投12.5億美元、南亞和海力士投資降40%

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