10nm工藝、速率高達6400Mb/s!三星首發(fā)8Gb LPDDR5 DRAM
最新消息,三星電子宣布 成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片,采用10nm工藝。
在2014年的8GB LPDDR4大規(guī)模生產(chǎn)之后,三星已經(jīng)全新發(fā)力LPDDR5 ,LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動設(shè)備如手機、平板、二合一電腦等,三星稱5G和人工智能是未來主要服務(wù)的場景。
據(jù)悉, 該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB) ,8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
全新推出的8Gb LPDDR5是三星的高端DRAM陣容中的新成員,其他包括10nm級16Gb GDDR6 DRAM(自2017年12月批量生產(chǎn))和16Gb DDR5 DRAM(2018年二月開啟生產(chǎn))。
8Gb LPDDR5數(shù)據(jù)速率高達6400Mb/s,是LPDDR4X的1.5倍(4266Mb/s)。與此同時, 功耗比LPDDR4X降低高達30%, 主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。
8Gb LPDDR5將應(yīng)用于下一代的智能手機、AI以及汽車芯片上。據(jù)悉,8Gb LPDDR5將于明年開始量產(chǎn)。
三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。