美光發(fā)布2019財年Q1財報，暴利時代一去不復返！

美光公司今天發(fā)布了截至11月29日的2019財年Q1季度財報，當季營收79.1億美元，同比增長16%，毛利率達到了58%，凈利潤32.9億美元，同比增長23%。

大聯大品佳集團推出基于華邦電子產品的工業(yè)級Memory DRAM解決方案

大聯大品佳代理的華邦電子的利基型動態(tài)隨機存取內存專注中低密度，以高性能和高速度的特點，成為在消費、通信、計算機周邊、工業(yè)和汽車市場被廣泛地使用的領導品牌。完整的動態(tài)隨機存取內存解決方案經過AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001認證，可提供給工業(yè)、汽車和其他的客戶應用。

DRAM市場寒冬來臨？2019將陷入停滯甚至衰退

ICInsight認為，作為拉動DRAM需求的主要動力的大規(guī)模數據中心服務器出貨量已經開始緩解，同時PC市場的疲軟和貿易戰(zhàn)的不確定因素，將會使得DRAM市場在2019陷入停滯甚至衰退，他們初步預測其將會縮減1%。

三星4Q再降DRAM價

DRAM產業(yè)減產潮恐擴大

DRAM拼增產搶回市占率　惟制程進度仍落后

威剛：看好明年DRAM市場需求

NAND Flash方面，威剛認為，在價格及新技術逐步成熟驅動下，預期2019年SSD市場滲透率及使用容量都將大幅提升。

明年DRAM存儲器價格恐將下跌30% 或刺激需求增長！

對于存儲器價格的看法，陳慶文表示，下半年NAND Flash價格開始轉跌，緊接著DRAM現貨價也開始下跌，進入第四季度之后，DRAM合約價也跟進下跌，拖累DRAM模組跌幅擴大，明年兩大存儲器產品跌勢難擋，DRAM價格恐將下跌30%，NAND Flash跌幅將較DRAM更為擴大。

MOSFET醞釀下一波漲價 DRAM跌幅卻持續(xù)加大

MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經開始，一直持續(xù)到現在，正醞釀下一波價格調漲。與此形成鮮明對比的是，前一段時間不斷漲價的DRAM開始走下坡路了!據集邦咨詢的最新報告，第四季DRAM合約價二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴大。

太過依賴DRAM等芯片產品，韓國經濟或將受重創(chuàng)！

韓國智庫韓國經濟研究院(KERI)創(chuàng)新成長部負責人Lee Sang-ho說：“如果芯片出口崩潰，韓國經濟將遭受重創(chuàng)?！彼硎具@種情況不一定會發(fā)生，但認為隨著經濟對半導體出口的依賴加深，這凸顯出尋求替代成長引擎的迫切。

三星電子下調第四季半導體預期值

受到價格停滯的影響外，三星客戶的投資也開始趨緩，這讓三星開始調整第四季的位元成長率(Bit Growth)預期值，最壞的可能是把DRAM的預期值調整為0%。

全球頂級資管公司出售三星股票轉投臺積電

全球頂級資產管理公司已出清三星的持股，但仍看好半導體行業(yè)，只是轉投臺積電的股票。

Q3季度DRAM內存產值再創(chuàng)新高，今年整體營收提升依然會創(chuàng)紀錄！

此前有報道稱10月份DRAM內存現貨價格終于降價了，4GB及8GB內存模組降幅約為10%，預計2019年還會再降20%，內存市場將迎來拐點。不過今年Q4季度即便內存降價，前三個季度的內存依然是上漲，所

三大廠商看明年存儲器市場并未太悲觀 看好新應用推升需求

歷經9個季度的價格走揚，DRAM價格今年第4季起開始反轉走跌，結束產業(yè)的上升循環(huán)。展望明年，南亞科、華邦電與威剛均看好新應用將會持續(xù)推升DRAM需求動能，對明年產業(yè)發(fā)展并未太過悲觀看待，且南亞科與威剛認為，明年DRAM價格將持穩(wěn)緩跌，華邦電則點出未來2、3季為觀察產業(yè)后市的關鍵時期。

經過兩年的強勁增長后，存儲器的狂歡熱潮正慢慢消退

DRAM和NAND芯片的平均售價(ASP)將在今年第四季度持續(xù)下跌。該公司還預計，2019年這兩類產品的平均售價與今年相比，也將會有大幅下降。

中芯國際CO-CEO趙海軍赴臺搶單

中芯國際日前發(fā)出警語，指出行業(yè)的復蘇期預計要到 2019 年第 2 季，暗示目前行業(yè)正在“過冬期”，然而公司從上到下仍是積極拼業(yè)績、搶訂單，從 CO-CEO 趙海軍在 11 月初身體力行親自赴臺灣拜訪 IC 設計客戶，展現積極決心!

SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM

SK海力士15日發(fā)布二代10納米16Gb DDR5的DRAM，成為全球存儲半導體業(yè)當中第一家開發(fā)出適用DDR5規(guī)格的DRAM，并預計從2020年正式投入量產。

SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM

DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標準規(guī)格，應用在大數據、AI(人工智能)以及機器學習上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數據傳送速度也快了1.6倍。

DRAM內存芯片價格未來一年繼續(xù)下滑，中國公司兩三年內難有一席之地！

對于內存的價格走勢，創(chuàng)見公司董事長Peter Shu也在采訪中提到DRAM內存與NAND閃存一樣出現了供過于求的局面，未來一年價格還要繼續(xù)下滑。此外，他還提到中國大陸的內存創(chuàng)業(yè)公司在未來兩三年內不太可能在全球DRAM市場占據一席之地，不過NAND廠商在2019-2020年間可望成為行業(yè)的一部分。

聯電再度發(fā)澄清聲明：和美光DRAM技術完全不同

聯華電子表示，聯華電子的DRAM技術基礎里的元件設計，是完全不同于美光公司的設計。簡而言之，聯華電子開發(fā)的記憶胞架構是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。這和美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象相反。