臺灣封測大廠矽品積極布局大陸福建,已砸下新臺幣8.66億元,著手廠房新建工程。
在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進(jìn)安徽活動”中,長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃:2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成,并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國表示,希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
有史以來維持最大成長周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),未來會再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因為,近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報告指稱,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢仍會持續(xù)一年,并且呼吁韓國本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點關(guān)注非存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn),以為未來的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價格漲幅達(dá)到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。
記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,記憶體價格連漲六季,數(shù)家中國智慧機(jī)品牌不堪成本壓力,去年中國對三星半導(dǎo)體表達(dá)不滿,進(jìn)一步造成第1季行動式記憶體漲幅收斂。
微處理器的頻率頻率可以透過許多方式大幅增加,但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其頻率頻率來維持計算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 本文透過對于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的存取技術(shù),可望提升動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2017 年,整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash,都度過了一個黃金好年,那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣,在DRAM危機(jī)下,客戶必須為DRAM付出更多代價?,F(xiàn)在正是尋找低成本替代方案的時候了!
三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商。飆升的存儲芯片需求正推動三星超越英特爾公司,后者已經(jīng)把持年芯片收入第一的位置長達(dá)25年時間。
經(jīng)過十多年的沉潛,次世代內(nèi)存的產(chǎn)品,包含F(xiàn)RAM(鐵電內(nèi)存),MRAM(磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和RRAM(可變電阻式內(nèi)存),在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動下,開始找到利基市場。
據(jù)報道,三星電子宣布,公司已開始通過第二代10納米級制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。
韓國三星電子公司20日說,已經(jīng)研制出全球最小DRAM芯片,將在全球率先量產(chǎn)。
據(jù)IC insights報道,今年記憶體供給吃緊,推升價格持續(xù)走揚(yáng),他們預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。
今年內(nèi)存供給吃緊,推升價格持續(xù)走揚(yáng),研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。據(jù)IC Insights估計,第四季DRAM銷售金額將來到211億美元,較去年同期跳增65%,且是有史以來最佳記錄。全年來看,DRA
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價約5%,全球DRAM價格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。
日前,一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會主題,論道存儲未來,讓數(shù)據(jù)釋放價值,業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀,干貨滿滿。
內(nèi)存市場包含NAND Flash、NOR及DRAM,從2016年底開始到2017年第三季,受供給短缺,以及需求大幅增長的影響,各種內(nèi)存的每季報價都有10%以上的成長,可想而知三星存儲業(yè)務(wù)在2017年有多賺錢。
IHS Markit最新數(shù)據(jù)顯示,第三季全球DRAM產(chǎn)值估計達(dá)197億美元,較前季跳增35%,且是史上新高。
雖然近期市場不斷傳出有關(guān)三星及SK海力士等韓系廠商明年將擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能消息,但實際上,韓系廠商僅在現(xiàn)有廠房空間提升投片量,明年底之前都沒有興建新DRAM廠計劃。
受惠于DRAM市場交易熱絡(luò),三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)持續(xù)締造業(yè)績高峰,但韓國中小規(guī)模個人電腦(PC)廠商卻苦不堪言。因為這些廠商已經(jīng)取得公部門的PC采購訂單,卻因無DRAM可用,導(dǎo)致產(chǎn)品無法如期出貨。