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美光芯片被判侵權(quán)在中國禁售，美國半導(dǎo)體科技股全線下挫
福州中法裁定對美光科技發(fā)出“訴中禁令”，其部分閃存SSD和內(nèi)存條DRAM將暫時(shí)禁止在中國銷售。美光有近半營收來自中國市場，為阿里巴巴等IT巨頭的SSD模組供應(yīng)商。受此影響，美光科技股價(jià)一度深跌6.3%，高通、恩智浦、博通等芯片股全線下挫。
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Q1季度全球半導(dǎo)體產(chǎn)值1158億美元 三星繼續(xù)保持第一,Intel第二
三星在擊敗英特爾成為半導(dǎo)體市場老大之后就一直維持現(xiàn)在的地位，當(dāng)季收入186.07億美元，同比大漲45.4%，市場份額達(dá)到了16.1%。
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車用市場給力 NOR閃存再成大廠發(fā)展重點(diǎn)
智能汽車、5G以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的到來，驅(qū)動(dòng)了市場對高密度NOR Flash的需求。一度因?yàn)槿萘啃?、成本高等缺點(diǎn)而邊緣化的NOR Flash，再次受到廠商的重視。曾一度被傳將要淡出NOR Flash領(lǐng)域的賽普拉斯近期推出Semper NOR閃存產(chǎn)品系列，美光的Xccela Flash系列也為NOR Flash打開新的大門。聚光燈終于不是只照在NAND Flash或DRAM上，在各大新勢能應(yīng)用的帶動(dòng)下，NOR Flash是否會(huì)迎來新的機(jī)遇?
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美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗(yàn)證
受益于eMMC、eMCP市場，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數(shù)據(jù)中心市場的內(nèi)存、閃存營收同比增長了87%。
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短期內(nèi)中國大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國際與存儲(chǔ)器族群
中國大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)，預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國際購并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導(dǎo)致短期內(nèi)中國大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。
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三星已啟動(dòng)EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用
EUV光刻目前被三星、臺(tái)積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手
差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
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美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗(yàn)證中，暫不需要EUV光刻
三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。
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2018年全球半導(dǎo)體超預(yù)期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關(guān)
受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場調(diào)查機(jī)構(gòu) IC insight 調(diào)查報(bào)告指出，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。
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被動(dòng)元器件缺料漲價(jià)，代工廠在苦撐
被動(dòng)元器件自去年以來一直在漲價(jià)，截止目前漲價(jià)勢頭未見緩和。尤其是今年鋁電解電容的材料價(jià)格的上漲，以及環(huán)保政策使得原材料生產(chǎn)供應(yīng)減少，不少代工廠甚至面臨斷料危機(jī)，災(zāi)情慘烈。 受此影響，被動(dòng)元件廠商供貨愈發(fā)緊俏，部分產(chǎn)品供應(yīng)開始傾向部分客戶。據(jù)供應(yīng)鏈廠商透露，近期，以國巨為代表的臺(tái)系被動(dòng)元件大廠不再宣布價(jià)格調(diào)漲幅度，而是采取個(gè)別客戶議價(jià)方式，有些規(guī)格產(chǎn)品加價(jià)幅度甚至高達(dá)7成，仍然供不應(yīng)求。
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2018一季度全球內(nèi)存市場“喜提”歷史新高
根據(jù) TrendForce 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價(jià)格走勢，除了繪圖用存儲(chǔ)器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有 15% 顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的存儲(chǔ)器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%，再創(chuàng)新高。
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DRAM產(chǎn)能不斷擴(kuò)大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲(chǔ)器廠
近期DRAM需求暢旺，價(jià)格持續(xù)上漲，銷售量不斷攀升。面對制造DRAM勢不可擋利潤，芯片廠已將其視為肥肉，不斷擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，但全球DRAM三大廠商的競爭仍有高低之分。
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三星控制全球三分之二DRAM市場，中國企業(yè)無法超越
前兩天，三星電子發(fā)布公告顯示，第一季度營收為60.56萬億韓元(約561億美元)，同比增長19.8%;營業(yè)利潤為15.64萬億韓元(約145億美元)，同比增長58%。 而值得關(guān)注的是，在這15.64萬億韓元的利潤中，絕大部分來自于芯片業(yè)務(wù)，三星芯片業(yè)務(wù)第一季度實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤11.6萬億韓元，達(dá)到手機(jī)業(yè)務(wù)的3倍。從這個(gè)角度來看，三星已經(jīng)不是傳統(tǒng)意義上人們認(rèn)識(shí)中的智能手機(jī)廠商，而是一家標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體(芯片)企業(yè)。
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美光臺(tái)灣工廠今年導(dǎo)入先進(jìn)制程
臺(tái)灣是全球第三大存儲(chǔ)器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產(chǎn)基地，該公司持續(xù)于臺(tái)中廠與桃園廠投資先進(jìn)制程，同時(shí)增聘人員。該公司從去年初至今年底，預(yù)計(jì)臺(tái)灣員工數(shù)將增加1,700人，成長幅度約三成。
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矽品砸8.66億元新臺(tái)幣在福建建新廠
臺(tái)灣封測大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺(tái)幣8.66億元，著手廠房新建工程。
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中國崛起！中國首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生
在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
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韓國央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲(chǔ)器市場
有史以來維持最大成長周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來會(huì)再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因?yàn)?，近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報(bào)告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢仍會(huì)持續(xù)一年，并且呼吁韓國本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)關(guān)注非存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
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DRAM價(jià)格同比暴漲47%，手機(jī)廠商都開始退縮了
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%，是自1978年以來最大的年度漲幅，超過了1988年30年前的45%漲幅。
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新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲(chǔ)器價(jià)格？
記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)指出，記憶體價(jià)格連漲六季，數(shù)家中國智慧機(jī)品牌不堪成本壓力，去年中國對三星半導(dǎo)體表達(dá)不滿，進(jìn)一步造成第1季行動(dòng)式記憶體漲幅收斂。
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新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能
微處理器的頻率頻率可以透過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 本文透過對于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
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