美起訴聯(lián)電竊美光機密 聯(lián)電：不屬實 將竭力回應指控

美國司法部周四宣布，向美國法院起訴福建晉華及其中國臺灣合作伙伴聯(lián)華電子以及3名個人，指控其竊取美光的知識產(chǎn)權和商業(yè)機密。而據(jù)中國臺灣地區(qū)媒體報道，聯(lián)電上午聲明表示，聯(lián)電為發(fā)展DRAM技術，除內(nèi)部研發(fā)團隊外，還雇用上百名來自各DRAM廠的員工，并未針對美光挖角，也沒有使用美光的機密，對于指控將嚴正以對，竭力回應指控，已委請律師捍衛(wèi)公司及股東權益。

臺灣聯(lián)電為何宣布暫停協(xié)助福建晉華？

大陸DRAM廠福建晉華遭到美國商務部列為出口管制實體列表，以至于與晉華密切合作的臺灣聯(lián)電也首當其沖。聯(lián)電31日指出，將暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助!

美國制裁之后臺灣廠商跟進，聯(lián)電宣布暫停為晉華開發(fā)DRAM技術 ...

被限制進口美國公司的設備及軟件之后，晉華合作方聯(lián)華電子也宣布將暫停與晉華的技術合作，原因是臺灣主管部門依照美方要求限制某些設備。

美國對晉華禁售都傷了誰？

美國商務部稱，福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為，給美國帶來了嚴重風險(Significant risk)，并表示晉華即將完成大幅增產(chǎn)計劃，其動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)產(chǎn)量顯著上升，此舉長遠威脅到美國DRAM芯片對軍方的供應穩(wěn)定性。這是今年繼中興以來，美國政府對中國半導體企業(yè)實施的第二例禁售，相比中興，對晉華的指控和制裁顯得尤為無理。

集成電路產(chǎn)業(yè)會真的如趙偉國所說迎來最好發(fā)展時機了嗎？

2018年，恰逢中國改革開放40年。 40年前，64Kb動態(tài)隨機存儲器(DRAM)誕生，宣告超大規(guī)模集成電路時代來臨，中國科學院半導體研究所開始研制4Kb DRAM，在次年投入生產(chǎn);40年后，今年第四季度，紫光集團旗下長江存儲研發(fā)的64Gb 32層三維閃存芯片(3D NAND Flash)將實現(xiàn)量產(chǎn)，8月份剛剛推出的Xtacking技術更是給閃存芯片結構帶來了歷史性突破，為全球閃存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展留下了中國企業(yè)濃墨重彩的一筆。

存儲器產(chǎn)業(yè)也將引入EUV技術，三星、SK海力士開始，最快2020年量產(chǎn)

根據(jù)韓國媒體的報導，不論是處理器還是存儲器，現(xiàn)在的半導體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機。至于采不采用最先進的EUV極紫外光光科技術目前主要是看廠商的需求及成本。相較來說，以邏輯芯片的處理器產(chǎn)品來看，因為在制程節(jié)點推進到7納米制程之后，對EUV技術的需求就明顯而直接。而且越往下的先進制程，未來也就越仰賴EUV技術。

盡管芯片價格疲軟，SK海力士三季度盈利大增73％！

SK海力士為全球第二大內(nèi)存芯片制造商，其表示7月至9月的營業(yè)利潤同比增長73%至6.5萬億韓元(57億美元)。根據(jù)信息巨頭Refinitiv的數(shù)據(jù)，第三季度的實際收益超出19位分析師的平均預測——6.3萬億韓元。與去年同期相比，SK海力士銷售額增長41%，創(chuàng)下11.4萬億韓元的歷史新高。

一篇關于IC設計的好文章

IC設計中所使用的EDA工具 俗話說“公欲善其事，必先利其器”。IC設計中EDA工具的日臻完善已經(jīng)使工程師完全擺脫了原先手工操作的蒙昧期。IC設計向來就是EDA工

作價2.2億！紫光國微擬轉(zhuǎn)讓西安紫光國芯

10月11日晚間，紫光國微披露，擬將全資子公司西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱西安紫光國芯)100%股權以約2.2億元人民幣轉(zhuǎn)讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)。

DRAM內(nèi)存要降價？三星：我們減產(chǎn)！

根據(jù)此前的報道，今年三季度以來，內(nèi)存市場價格已經(jīng)下降一成，而四季度還將在下降，到明年年初，閃存市場還有25%-30%的降幅。受到智能手機發(fā)展停滯、服務器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要DRAM閃存制造商將會出現(xiàn)供過于求的情況。

內(nèi)存要大降價？統(tǒng)計機構預測明年內(nèi)存價格將會下降15%-20%

內(nèi)存在2016年之后經(jīng)歷了一波暴漲，在2017年處于高位，其高昂的價格讓大家苦不堪言，不過今年內(nèi)存的價格算是跌了一點，好歹不那么恐怖了。而根據(jù)統(tǒng)計機構最新的預測，2019年的內(nèi)存價格將會下降15%-20%。

RAM、RRAM和DRAM三者有什么區(qū)別？

集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢：存儲器產(chǎn)業(yè)再升級

全球市場研究機構集邦咨詢針對2019年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展，發(fā)布十大科技趨勢：

三星對其DRAM的投資大砍20%

韓國科技大廠三星日前發(fā)布了第3季財報，其第3季營收達154.7億美元，較2017年同期大漲20%以上，創(chuàng)造歷史新高紀錄。不過，因為移動業(yè)務的業(yè)績下滑，三星第3季的獲利大增主要仍是依賴半導體事業(yè)的加持，其貢獻度超過80%以上。而在市場預期半導體景氣將反轉(zhuǎn)的情況下，三星為了阻止存儲器價格下滑將降低2019年的擴產(chǎn)計劃，預計三星的整體資本支出將下滑8%之外。其中，在DRAM的投資大砍20%，以維持市場價格的高水位。

三星明年對存儲器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加

報道進一步指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

為減少對DRAM的依賴，SK加碼投資NAND！

日前有韓國媒體《Business Korea》分析，SK海力士這間M15工廠落成后，可借由擴大生產(chǎn)來縮小市場差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財報中顯示，DRAM占80%的銷量，NAND Flash則僅占18%，和三星電子60：40的比重來比，SK海力士對DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來減少對DRAM的依賴。

為阻止內(nèi)存價格下降，三星竟這么做！

我們知道，近年來內(nèi)存價格上漲，讓內(nèi)存大廠三星賺得盆滿缽滿。而近段時間來內(nèi)存價格有下降的趨勢，但把利潤擺在第一位的三星想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存價格下滑的趨勢，明年將對內(nèi)存減少投資，以讓內(nèi)存處于供給相對緊張的局面，來維持內(nèi)存的高價。

創(chuàng)紀錄業(yè)績支撐美光成美國第二大半導體企業(yè)

美光近日公布了2018財年第四季度和全年財報。截止2018年8月30日，美光第四財季收入84.40億美元(均按GAAP)，同比增長37.5%，毛利率61.0%，同比提高10.3個百分點，凈利潤43.25億美元，同比增長82.6%。

高云半導體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片

廣東高云半導體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導體”)今日宣布，高云半導體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片，分別是GW1NR-LV4MG81 與 GW1NSR-LX2CQN48，其設計的初衷是實現(xiàn)低功率、小封裝尺寸和低成本等特性。

三星表示：年底前對DRAM芯片需求不會有變

三星電子高層金奇南 (Kim Ki-nam)12日表示，預計今年年底前對DRAM芯片需求不會有變。