報(bào)道進(jìn)一步指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
日前有韓國(guó)媒體《Business Korea》分析,SK海力士這間M15工廠落成后,可借由擴(kuò)大生產(chǎn)來(lái)縮小市場(chǎng)差距。另外根據(jù)SK海力士在第2季的財(cái)報(bào)中顯示,DRAM占80%的銷量,NAND Flash則僅占18%,和三星電子60:40的比重來(lái)比,SK海力士對(duì)DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來(lái)減少對(duì)DRAM的依賴。
我們知道,近年來(lái)內(nèi)存價(jià)格上漲,讓內(nèi)存大廠三星賺得盆滿缽滿。而近段時(shí)間來(lái)內(nèi)存價(jià)格有下降的趨勢(shì),但把利潤(rùn)擺在第一位的三星想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存價(jià)格下滑的趨勢(shì),明年將對(duì)內(nèi)存減少投資,以讓內(nèi)存處于供給相對(duì)緊張的局面,來(lái)維持內(nèi)存的高價(jià)。
美光近日公布了2018財(cái)年第四季度和全年財(cái)報(bào)。截止2018年8月30日,美光第四財(cái)季收入84.40億美元(均按GAAP),同比增長(zhǎng)37.5%,毛利率61.0%,同比提高10.3個(gè)百分點(diǎn),凈利潤(rùn)43.25億美元,同比增長(zhǎng)82.6%。
廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“高云半導(dǎo)體”)今日宣布,高云半導(dǎo)體小蜜蜂家族新增兩款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分別是GW1NR-LV4MG81 與 GW1NSR-LX2CQN48,其設(shè)計(jì)的初衷是實(shí)現(xiàn)低功率、小封裝尺寸和低成本等特性。
三星電子高層金奇南 (Kim Ki-nam)12日表示,預(yù)計(jì)今年年底前對(duì)DRAM芯片需求不會(huì)有變。
談及目前內(nèi)存芯片持續(xù)強(qiáng)勁需求是否會(huì)在2019年終結(jié)?金奇南預(yù)測(cè),明年芯片需求將持續(xù)強(qiáng)勁。
紫光旗下還有紫光國(guó)微半導(dǎo)體,該公司日前表示在DRAM內(nèi)存芯片上,該公司已具備世界主流設(shè)計(jì)水平,但是產(chǎn)能無(wú)法保證,產(chǎn)品銷量不大。
2018年已經(jīng)是DRAM內(nèi)存漲價(jià)的第三年了,持續(xù)漲價(jià)讓三星、SK Hynix、美光等芯片供應(yīng)商的財(cái)報(bào)越來(lái)越好看。
自2018年第二季起,內(nèi)存價(jià)格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開(kāi)出價(jià)格開(kāi)始松動(dòng),由其是在中國(guó)大陸,無(wú)論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開(kāi)出;盡管目前尚未進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價(jià)格仍有下跌空間, 在未來(lái)兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價(jià)格飆漲的狀況。
8月21日,調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱,由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng),今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額較英特爾高出22%,而一年前的該比例僅為1%。
三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬(wàn)片DRAM計(jì)劃,決定延至今年底,為DRAM價(jià)格形成有力支撐。 隨著三星新產(chǎn)能擴(kuò)充腳步延后、供給獲得節(jié)制,一般預(yù)料,DRAM價(jià)格在今年11月前都將持穩(wěn)不墜,臺(tái)系DRAM大廠南亞科、華邦電今年?duì)I收也將同步繳出創(chuàng)歷史新高佳績(jī)。
今年的NAND閃存價(jià)格降了,但是DRAM內(nèi)存價(jià)格還是居高不下,唯一的變化就是今年的漲價(jià)沒(méi)有2016年、2017年那么夸張,Q2季度中全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到了256.91億美元,環(huán)比增長(zhǎng)11.3%,創(chuàng)造新了新的記錄。與Q1季度相比
終于,內(nèi)存條價(jià)格要降了。據(jù)DRAMeXchange報(bào)道,內(nèi)存價(jià)格在2019年將降低15~25%。報(bào)道稱,第四季度的DRAM芯片合同價(jià)的談判已開(kāi)始,雖然PC DRAM保持穩(wěn)定,但隨著DRAM需求全面放緩,圖形顯卡的DRAM價(jià)格已經(jīng)下滑。目前,
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù),帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng),DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%,再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外,其余各應(yīng)用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。
觀察全球DRAM大廠營(yíng)收表現(xiàn),三星穩(wěn)坐產(chǎn)業(yè)龍頭,營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高,來(lái)到112.1億美元,季增8.2%;SK海力士受惠于位元成長(zhǎng)顯著,營(yíng)收較前季大幅成長(zhǎng)19.5%,達(dá)76.9億美元,亦幫助SK海力士于第二季奪回部分市占。兩大韓廠第二季營(yíng)收市占率分別為43.6%與29.9%,合計(jì)約73.5%。
2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù),帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng),DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%,再創(chuàng)新高。除了繪圖用內(nèi)存(graphic DRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外,其余各應(yīng)用別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右。
內(nèi)存芯片產(chǎn)值高,受益最高的就是韓國(guó)企業(yè)了,尤其是三星電子,三星在DRAM內(nèi)存占據(jù)全球市場(chǎng)份額的45%,NAND閃存占37%。