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美光臺灣廠發(fā)生意外，對DRAM產(chǎn)業(yè)到底有啥影響？
據(jù)報道，美光科技桃園廠區(qū)氮氣純化廠意外，經(jīng)調(diào)查廠內(nèi)純化氮氣的關(guān)鍵設(shè)備純化器毀壞，必須停工更換。 美光正尋求臺灣備品更換，但應(yīng)非短期可復(fù)工。 由于該產(chǎn)線為供應(yīng)蘋果手機重要移動內(nèi)存，估計數(shù)萬片的缺口，正尋求其他廠供應(yīng)，對正處于缺貨的DRAM供應(yīng)更雪上加霜。
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“動蕩不安”的DARM市場：美光污染，價格恐怕要上升
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，臺灣美光晶圓科技(原華亞科)上周六驚傳氮氣系統(tǒng)意外，其Fab2受到污染影響，以目前臺灣美光晶圓科技每月投片達(dá)125K來計算，保守估計損失約60K，約將影響全球DRAM整體產(chǎn)能5.5%，對供貨吃緊的DRAM市場來說無疑雪上加霜，預(yù)估價格可能將進(jìn)一步攀升。
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美光認(rèn)為DRAM價格將持續(xù)高位，這是在說電腦還要漲價？
美光2017年第3季財報營收大幅優(yōu)于預(yù)期，這要因DRAM、NAND Flash價格上漲，美光認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定，價格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示，國內(nèi)相關(guān)個股中，華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K，估下半年 DRAM價格維持高檔，2018年上半年在供給改善后將趨緩，因此維持族群中立建議。
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供不應(yīng)求 存儲器產(chǎn)品價格依然在上漲
隨著應(yīng)用不斷擴大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴增，今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項產(chǎn)品下半年價格依然看漲。
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認(rèn)為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
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美光計劃斥資20億美在廣島量產(chǎn)新世代DRAM
據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，美光科技計劃未來二至三年斥資20億美元，在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報導(dǎo)指出，美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)
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直接總線式DRAM的信號連接
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系
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新興內(nèi)存技術(shù)搶占市場，抗衡DRAM、NAND Flash還是太嫩？
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。
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數(shù)據(jù)中心是存儲器價格上漲的導(dǎo)火索？
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價，以存儲器為中心，包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器，呈現(xiàn)持續(xù)走揚，除了智能型手機與個人電腦(PC)需求外，4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關(guān)市場。
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挖來臺灣DRAM教父,紫光要打破韓國NAND壟斷
高啟全表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
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傳三星決定擴產(chǎn)DRAM
三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)，即將擴產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 萬億韓元(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產(chǎn)能。不過由于未來 11 線不再生產(chǎn) DRAM，產(chǎn)
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后PC時代 移動型DRAM成市場主力
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。
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存儲設(shè)備漲價優(yōu)勢 三星半導(dǎo)體事業(yè)部躍居龍頭位置指日可待
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)
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論三星芯片業(yè)務(wù)是怎樣成為市場主導(dǎo)力量的
半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正為三星電子創(chuàng)造源源不斷的利潤，但是該公司在40多年前進(jìn)軍芯片行業(yè)時并非一帆風(fēng)順。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元
OFweek電子工程網(wǎng)訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜
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5G來臨 帶動內(nèi)存大需求
力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁表示，第五代行動通訊(5G)快速興起，將啟動大量影像傳輸需求，加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長，將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強勁需求，但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸，預(yù)料明年DRAM還是會缺貨。
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你以為NAND Flash降價了，手機就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
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朝鮮半島局勢變化恐將影響全球DRAM產(chǎn)業(yè)
近日，美國一支從新加坡起航的航母戰(zhàn)斗群引發(fā)全球關(guān)注。據(jù)悉，該航母群原先準(zhǔn)備前往澳大利亞，后突然掉頭向朝鮮半島駛進(jìn)，引人遐想。
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如何連接直接總線式DRAM的信號？
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系
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3D DRAM幫助延長DRAM存儲器的使用壽命
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
