昨(27)日,據IHS Markit報道,最近對市場狀況的擔憂加上平均銷售價格急劇下滑,將導致DRAM市場在2019年達到770億美元,同比下降22%。此外,DRAM的價格下跌和需求疲軟可能會持續(xù)到2019年第三季度。
從整個內存和存儲市場規(guī)模來看, PC和互聯(lián)網時代貢獻了380億美元市場規(guī)模,移動時代大約620億美元,2017年的數(shù)據經濟時代整個全球市場規(guī)模達到1280億,未來機會是不可限量的,根據很多市場統(tǒng)計數(shù)據可以發(fā)現(xiàn),到2021年每年會產生62萬億GB數(shù)據。迅速增長的存儲市場,具體有什么驅動因素呢?
根據DRAMeXchange調查,累積在DRAM供應商的庫存水位在第1季底普遍已超過六周(含Wafer bank),而買方庫存水位雖在不同產品別略有增減,但平均亦至少達五周,在服務器以及PC客戶端甚至超過七周。
美光公司已宣布計劃將其DRAM和NAND閃存產品的產量削減5%,并將資本支出將調降5億美元,用來抵消內存價格下跌帶來的影響。
隨著10納米成為業(yè)界最小的存儲器工藝節(jié)點,三星現(xiàn)在已準備好應對日益增長的市場需求,新的DDR4 DRAM與之前的1Y納米級版本相比,制造生產率提高了20%以上。
二季度美光科技凈利潤為16.2億美元,超出預期,每股收益為1.42美元。財報發(fā)布后,美光科技股價上漲5%。美光同時表示,預計下半年內存芯片市場將出現(xiàn)復蘇。
三星再次更新內存技術,在NVIDIA的GTC大會上專門為數(shù)據中心、GPU等高性能計算帶來了更新的HBM2E內存。這款芯片是業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的產品。
臺灣科技部在14日發(fā)表由清華大學團隊研發(fā)出的最新磁阻式隨機存取內存(MRAM)技術,稱對半導體產業(yè)發(fā)展將有決定性的影響力。
三星電子14日表示,將批量生產史上最大容量的移動式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
據國外媒體報道,集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新調查顯示,2019年Q1,由于市場供過于求,DRAM產業(yè)的大部分交易已改為月結價(Monthly Deals),價格也在2月份出現(xiàn)大幅下滑,季度降幅已從最初估計的25%調整至近30%,這將是自2011年以來單季最大跌幅。
據businessKorea報道,三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。
據報道,三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。
其中,全年來看三星電子占市場份額的43.9%,達到437.47億美元。其次是SK海力士,達到294.09億美元,占29.5%
從去年Q4季度以來,DRAM內存的價格就已經開始由漲轉跌,由于智能手機及經濟環(huán)境的變化導致需求放緩,再加上廠商庫存增加,內存價格已經開始降了。從市場調研數(shù)據來看,內存價格確實是不斷在下滑的,僅僅是今年
今年以來DRAM價格持續(xù)下跌,DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產品組合方向調整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產品比重。此外,南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術授權選擇權,并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2月27日,南亞科總經理李培瑛表示,去年大幅成長的服務器存儲器市場經過兩季的調整,3月起市況開始好轉,第二季DRAM 市況可望較第一季略為回溫。
從營收角度觀察,廠商普遍難逃季衰退的命運。產業(yè)龍頭三星在服務器內存出貨大減的沖擊下,第四季位元出貨在三大原廠中下滑最多,營收較上季下滑25.7%,來到94.5億美元,市占則跌至41.3%。
外電報導指出,美國半導體大廠美光科技周二股價上揚,主要因為該公司首席執(zhí)行長預計下半年情況將會改善。
外電報導指出,美國半導體大廠美光科技周二股價上揚,主要因為該公司首席執(zhí)行長預計下半年情況將會改善。
瑞士信貸(Credit Suisse)董事總經理、臺灣股票研究主管Randy Abrams表示,許多芯片公司表示,盡管預計2019年第一季度前景不佳,但該季度可能會觸及“周期底部”。他說,投資者通常會試圖\"把握底部時間\",\"擔心稍后的復蘇速度\"。Kiwoom Securities全球戰(zhàn)略與研究主管Daniel Yoo表示,半導體行業(yè)的低迷周期“可能比預期短得多”。