CMOS
-
什么是BiCMOS？BiCMOS的工藝流程是什么樣的？
為增進(jìn)大家對BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識，本文將對BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。
-
CMOS圖像傳感器工作過程: 復(fù)位、光電轉(zhuǎn)換、積分、讀出幾部分介紹
CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動器、列驅(qū)動器、時序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。
-
雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實力
在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運(yùn)行。事實上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。
-
高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第四部分
類似的原理也可以應(yīng)用于任何使用差動信號的高速接口技術(shù)。事實上,隨著數(shù)據(jù)傳輸速度的加快,需要增加對這些項目的關(guān)注。隨著數(shù)據(jù)速率進(jìn)入Gbps范圍,過程和板幾何形狀變得更小,在短得多的傳輸距離時,串?dāng)_等不必要的影響會成為一個問題。
-
高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第三部分
在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空間,目前主要有三種類型的數(shù)字輸出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,這三種輸出是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差動信令(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。
-
高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第二部分
目前，已經(jīng)有兩個標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)編寫來定義LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644規(guī)范,題為"低壓差動信令(LVDS)接口電路的電氣特性。另一種是題為"用于可伸縮相干接口的低壓差動信號(LVDS)標(biāo)準(zhǔn)"的IEEE標(biāo)準(zhǔn)159.3。"
-
高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第一部分
由于設(shè)計者可以選擇許多類似數(shù)字轉(zhuǎn)換器,在選擇過程中需要考慮的一個重要參數(shù)是包括的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出類型。目前,高速轉(zhuǎn)換器使用的三種最常見的數(shù)字輸出類型是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓微分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。
-
ISP+可拓展算力組合，飛凌微實現(xiàn)圖像傳感器與SoC之間更好的融合
當(dāng)前端側(cè)AI正在快速落地推進(jìn)，而智能車載領(lǐng)域尤為活躍，特別是在國內(nèi)市場，智能車載的快速發(fā)展引人注目。據(jù)Yole預(yù)測，2023年至2029年，全球車載攝像頭市場規(guī)模將從57億美元增至84億美元。但目前車載視覺系統(tǒng)方案尚未統(tǒng)一，既有大域控制架構(gòu)的探索，也有分布式架構(gòu)的應(yīng)用。而在分布式架構(gòu)的應(yīng)用場景中，面臨的主要挑戰(zhàn)在于如何更好地融合圖像傳感器與SoC，以實現(xiàn)性能與成本的最佳平衡。此外，在技術(shù)層面，需要通過更先進(jìn)的平臺工具和AI加速技術(shù)，結(jié)合圖像性能優(yōu)化手段，推動技術(shù)的迭代與升級。
-
如何處理CMOS接口電路問題？CMOS電路SCR閂鎖介紹
一直以來，CMOS電路都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞢MOS電路的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
-
最強(qiáng)梳理! 使用CMOS集成電路需注意的幾個問題
集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。
-
如何提高BJT開關(guān)速度？為什么BJT比CMOS速度要快？
在這篇文章中，小編將對BJT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
-
一種改進(jìn)型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路
在現(xiàn)代通信及電子系統(tǒng)中，鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop, PLL)是一種重要的頻率同步與控制技術(shù)。CMOS電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase-Locked Loop, CPPLL)因其開環(huán)增益大、捕獲范圍寬、捕獲速度快、穩(wěn)定度高和相位誤差小等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于無線通信、時鐘恢復(fù)及頻率合成等領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路存在電流失配、電荷共享和時鐘饋通等問題，這些問題限制了其性能和應(yīng)用范圍。本文設(shè)計了一種改進(jìn)型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路，通過優(yōu)化電荷泵電路和增加開關(guān)噪聲抵消電路，有效解決了上述問題，并擴(kuò)展了鎖相環(huán)的鎖頻范圍。
-
如何設(shè)計CMOS運(yùn)放？超詳細(xì)設(shè)計過程，看完必會！
本文中，小編將對CMOS運(yùn)放設(shè)計予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
-
1款模擬開關(guān)應(yīng)用電路的糾錯與改正！
在這篇文章中，小編將對一個模擬開關(guān)應(yīng)用電路進(jìn)行糾錯，并對錯誤的模擬開關(guān)應(yīng)用電路進(jìn)行改正。通過這篇文章，小編希望大家可以對模擬開關(guān)應(yīng)用電路有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
-
CMOS數(shù)字集成電路概述及其特點(diǎn)
在現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展中，集成電路作為電子系統(tǒng)的核心，其性能和技術(shù)水平直接決定了整個電子系統(tǒng)的性能和可靠性。CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)數(shù)字集成電路，作為當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的集成電路技術(shù)之一，其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能使其在計算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將對CMOS數(shù)字集成電路進(jìn)行詳細(xì)介紹，并探討其特點(diǎn)。
-
全局快門賦予機(jī)器人更“快”的環(huán)境感知和捕捉能力——思特威CMOS圖像傳感器SC038HGS亮相松山湖論壇
據(jù)思特威銷售總監(jiān)宗翔（Will Zong）介紹：“全局快門的傳感器，會分為全局快門和卷簾快門兩種技術(shù)。全局快門的產(chǎn)品，參數(shù)上幀率會達(dá)到120幀，或者240幀甚至更高，卷簾快門一般做一些監(jiān)控類應(yīng)用的話，幀率只有30幀，全局快門更適合于拍攝快速移動的物品，這個才是全局快門和卷簾快門最主要的區(qū)別?！?/p>
-
前有禁令，后有三星，索尼還能穩(wěn)坐CMOS圖像傳感器的王座嗎？
索尼亟需打破自身保守謹(jǐn)慎的態(tài)度，雙管齊下智能手機(jī)與汽車市場，在技術(shù)研發(fā)上秉持創(chuàng)新精神，推出更具競爭力的CIS“黑科技”，才能在下半場的市場爭奪戰(zhàn)中站穩(wěn)腳跟，否則就只能看著三星一路高歌了。資本市場往往以利益為重，不料被政治橫插了一腳。在遭受美國連續(xù)幾輪打壓后，華為不堪重負(fù)，高端手機(jī)出貨量驟減。而產(chǎn)業(yè)鏈上下游市場牽一發(fā)而動全身，索尼（Sony）在內(nèi)的供應(yīng)鏈企業(yè)成了華為禁令的間接受害者，營收額下滑不說，鎧俠（Kioxia）甚至推遲了IPO計劃。
-
研究人員已經(jīng)開發(fā)出新方法制造用于高級電路的柔性半導(dǎo)體
柔性半導(dǎo)體對于未來的可穿戴電子技術(shù)至關(guān)重要，但一直難以集成到復(fù)雜的架構(gòu)中?，F(xiàn)在，在最近發(fā)表在Advanced Electronic Materials上的一項研究中，來自日本的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種直接的方法來制造用于高級電路的高質(zhì)量軟半導(dǎo)體。
-
DCDC基礎(chǔ)（8）-- 同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀二
按照我的理解，對于MOS管而言，灌電流就是漏極電流 Id，正常來說MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4mA，但是為了滿足邏輯要求，如上圖所示，CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平，即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述，對于8路I/O口同時輸出低電平時，VOL
-
CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第二部分
眾所周知，當(dāng) V GS 在增強(qiáng)模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強(qiáng)型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強(qiáng)型 MOSFET 在柵極未通電時不應(yīng)泄漏任何電流，因此當(dāng) V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0，但當(dāng) V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導(dǎo)通道 。
aibjinhu521
eanry
liangzai135230
Shawn123
qsddqsdd3
Ragnarok
LED2013
bd7qwmcu
21ic-09
squallner
fjhome654
桃花運(yùn)
ljhtj
826318230
keigo2008
xiahuan1130
雪山飛狐D
yygdzjs
mxt93r
sunspnet
