在這篇文章中，小編將對BJT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

一、如何提高BJT開關(guān)速度

1、加速電容

如下圖所示，R1并聯(lián)一個小容量電容，當Q1從截止狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)，即輸入信號從低電平切換到高電平時，電容可以使R1瞬間被旁路并提供基極電流。當Q1從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止狀態(tài)，即輸入信號從高電平切換到低電平時，晶體管由導(dǎo)通到截止時能夠迅速從基區(qū)取出電子，消除開關(guān)滯后。這個電容的作用就是提高開關(guān)速度，稱之為加速電容。但是使用加速電容也會給輸出波形帶來下過沖，對一般的晶體管來說，加速電容的容量取值為幾十pF到幾百pF。

圖：添加加速電容

實際上晶體管由截止狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時間縮短了，由于使用所使用的晶體管以及基極電流、集電極電流的不同，加速電容的最佳值是各不相同的，因此加速電容的值需要通過觀測實際開關(guān)電路的開關(guān)波形決定。

2、肖特基鉗位

如下圖通過肖特基鉗位，接入肖特基二極管的效果與接入加速電容的效果相同，晶體管從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止狀態(tài)沒有時間滯后。

肖特基二極管的正向壓降VF比晶體管的Vbe小，大約0.3V，所以本來應(yīng)該流過晶體管的大部分基極電流I1現(xiàn)在都通過D1被旁路掉了。這時流過晶體管的基極電流非常小，所以可以認為這時晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)很接近截止狀態(tài)。從導(dǎo)通狀態(tài)變化到截止狀態(tài)時的時間滯后非常?。ɑ鶚O電流小，所以電荷存儲效應(yīng)影響?。?

圖：肖特基鉗位加速

二、為什么BJT比CMOS速度要快？

速度方面，BJT比CMOS更快的原因主要有以下幾個方面：1. 導(dǎo)通電流：BJT能夠通過電流控制電子的注入和收集，從而實現(xiàn)高速導(dǎo)通。而CMOS則是通過電壓來控制電流，需要在電荷注入和失去之間切換，這會導(dǎo)致速度相對較慢。2. 驅(qū)動能力：BJT具有較高的電流放大能力，在單個晶體管上可以實現(xiàn)更大的電流。在電路中，這意味著BJT可以提供更強的驅(qū)動力，從而加快信號的傳輸速度。而CMOS的電流驅(qū)動能力較弱，需要通過多級級聯(lián)設(shè)計來實現(xiàn)較高的驅(qū)動能力，這會導(dǎo)致速度較慢。3. 高頻響應(yīng)：由于BJT的結(jié)構(gòu)和工作原理的特性，它可以實現(xiàn)更高的頻率響應(yīng)。在高頻應(yīng)用中，BJT可以提供較高的截止頻率和增益帶寬。華而不實的中的技術(shù)。4. 響應(yīng)時間：BJT具有較短的開關(guān)時間和較快的響應(yīng)時間。當輸入信號發(fā)生變化時，BJT可以迅速開啟或關(guān)閉，以響應(yīng)新的輸入信號。然而，CMOS由于涉及電荷注入和失去的過程，具有較長的響應(yīng)時間。盡管BJT在速度方面具有一些優(yōu)勢，但CMOS在許多其他方面具有一些優(yōu)勢，例如功耗和集成度。CMOS技術(shù)能夠在待機狀態(tài)下消耗較少的功率，并且在集成電路中能夠?qū)崿F(xiàn)更高的集成度。這使得CMOS技術(shù)成為當今電子設(shè)備和集成電路設(shè)計的主要選擇。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對BJT已經(jīng)具備了初步的認識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。