2019是5G應(yīng)用元年，也是6G研發(fā)元年！

何世海介紹，愛立信、諾基亞、法國(guó)電信集團(tuán)、韓國(guó)三星等移動(dòng)通信巨頭也都派出頂級(jí)專家參會(huì)，闡述各自的6G愿景。重點(diǎn)集中在寬頻譜、高速率、超低時(shí)延、超遠(yuǎn)距離、超低功耗，和基于AI的應(yīng)用方向，具有較高的一致性。

凌力爾特推出CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC...

突破現(xiàn)有CMOS工藝限制的晶體管技術(shù)(圖)

最具競(jìng)爭(zhēng)力的CMOS芯片？CMOS工藝爆發(fā)期Alps能否摘得桂冠

繼2017年發(fā)布第一代77GHz毫米波雷達(dá)射頻單芯片后，此次加特蘭微電子為業(yè)界帶來了更高集成度的系統(tǒng)單芯片。Alps系列芯片集成了高速ADC、完整的雷達(dá)信號(hào)處理baseband以及高性能的CPU核。此次發(fā)布會(huì)上更是推出了集成片上天線的AiP(antenna in package)產(chǎn)品。

一種輸出可調(diào)CMOS帶隙基準(zhǔn)源

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

CMOS圖像傳感器的調(diào)試

延長(zhǎng)CMOS使用壽命 兩大因素

　　對(duì)于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過壓。因此，要做好CMOS的保護(hù)，就需從這兩大主要因素入手，避免錯(cuò)誤地使用CMOS，從而延長(zhǎng)CMOS的使用壽命。本文

緊湊的四輸出降壓型穩(wěn)壓器解決方案加速采用數(shù)字內(nèi)窺鏡

　　1內(nèi)窺鏡發(fā)展歷史　　大多數(shù)歷史學(xué)家都認(rèn)為，Bozzini 的 Lichleiter 是第一個(gè)與我們今天所知的內(nèi)窺鏡相似的設(shè)備。該設(shè)備于 19 世紀(jì)初發(fā)明，它很不靈活，用傾斜的鏡子將圖

Faxis發(fā)布純CMOS 5GHz 802.11ac Wi-Fi RFeIC產(chǎn)品

模擬電路今后也將采用( CMOS) FET器件

CMOS低中頻藍(lán)牙射頻收發(fā)器電路模塊設(shè)計(jì)

　　目前正在研發(fā)、將來終將成為主流射頻收發(fā)器的CMOS射頻電路的體系結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)實(shí)例將展示CMOS射頻電路的良好性能，并預(yù)示CMOS射頻集成電路取代砷化鎵和SiGe電路

一種基于CMOS的智能手表電路設(shè)計(jì)

　　隨著移動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，許多傳統(tǒng)的電子產(chǎn)品也開始增加移動(dòng)方面的功能，比如過去只能用來看時(shí)間的手表，現(xiàn)今也可以通過智能手機(jī)或家庭網(wǎng)絡(luò)與互聯(lián)網(wǎng)相連，顯示來電信息、Tw

追趕傳感器第一索尼，三星成立傳感器業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)！

業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門最近組建了“傳感器業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)”。業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人將由三星的系統(tǒng)LSI開發(fā)部門負(fù)責(zé)人Park Yong-in擔(dān)任。

榮耀V20將全球首發(fā)4800萬AI超清攝影，搭載IMX586

今年7月份，索尼發(fā)布了新一代面向智能手機(jī)平臺(tái)的堆棧式CMOS-IMX586，擁有高達(dá)4800萬有效像素，分辨率達(dá)到8000x6000，為業(yè)內(nèi)最高。此外，傳感器1/2英寸，單位像素0.8μm，亦是全球首

德州儀器高性能模擬運(yùn)放產(chǎn)品系列介紹集錦

OPA379, 1.8V 2.9uA 90kHz 軌至軌 I/O 運(yùn)算放大器 OPA379 系列微功耗低電壓運(yùn)算放大器針對(duì)電池供電的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這種放大器的工作電源電壓可低至 1.8V。OPA379 系列

CMOS求和比較器在PWM開關(guān)電源控制中的應(yīng)用

1 引 言:源體積小、重量輕、變換效率高， 因此廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它體積小、重量輕、功率因數(shù)高，具有較高的工作效率，但結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜使它的應(yīng)用受到一定的限制。下

CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

目前，現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計(jì)算時(shí)代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代。

英特爾要在未來十年超越CMOS時(shí)代，MESO功耗低30倍，速度提升5倍！

摩爾定律漸漸失效，雖然臺(tái)積電仍然在這一領(lǐng)域繼續(xù)推進(jìn)，但不可否認(rèn)的是CMOS的開發(fā)演進(jìn)真的快到投了，芯片巨頭英特爾也沒閑著，和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)出一種新的MESO邏輯器件，英特爾想在未來10年，以MESO為基礎(chǔ)，來超越CMOS時(shí)代!

0．5μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

基準(zhǔn)電壓|0">基準(zhǔn)電壓源是模擬電路|0">模擬電路設(shè)計(jì)廣泛采用的一個(gè)關(guān)鍵模塊．可提供高精度和高穩(wěn)定度基準(zhǔn)量電源。該基準(zhǔn)電壓源與電源、工藝參數(shù)和溫度相關(guān)性很小，但產(chǎn)生的