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臺積電、中鋼 拿下產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟補(bǔ)助
被視為產(chǎn)學(xué)攜手雄踞世界舞臺的產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟計劃審議結(jié)果昨(23)日出爐，臺積電及中鋼兩支團(tuán)隊獲得青睞。國科會與經(jīng)濟(jì)部昨(23)日召開指導(dǎo)委員會共同審議「補(bǔ)助前瞻技術(shù)產(chǎn)學(xué)合作計劃」(簡稱產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟)，歷經(jīng)3個月的審議，
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天龍光電LED MOCVD設(shè)備通過生產(chǎn)評估驗(yàn)收
天龍光電7月11日晚間公告稱，公司控股子公司江蘇中晟全資子公司中晟光電設(shè)備(上海)有限公司的首臺大規(guī)模生產(chǎn)型 LED MOCVD 設(shè)備 ProMaxy?已于2013年6月在江蘇漢萊科技有限公司順利通過生產(chǎn)評估驗(yàn)收。 在關(guān)鍵的性能指標(biāo)
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未來1PB的數(shù)據(jù)僅需一張光碟就能存儲
以后數(shù)據(jù)存儲無論個人用戶，抑或不同規(guī)模的企業(yè)政府機(jī)關(guān)等，都可更加輕松地進(jìn)行。來自斯威本科技大學(xué)(Swinburne University of Technology)的研究團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Min Gu教授最新開發(fā)出了一種全新的數(shù)據(jù)存儲方式，可將1PB(
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中芯國際6.6億美元建45nm晶圓廠
夷施 昨天，中芯國際(00981.HK)宣布，與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)成立合資公司，主要從事測試、開發(fā)、設(shè)計、制造、封裝及銷售集成電路，將專注45納米及更先進(jìn)的晶圓技術(shù)，目標(biāo)是產(chǎn)能達(dá)到每
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100萬次擦寫！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實(shí)基礎(chǔ)。三星宣稱，基于其45nm e
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全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫！
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實(shí)基礎(chǔ)。三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性
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Globalfoundries 55nm LPe制程適合低電壓應(yīng)用
Globalfoundries宣布將公司的55奈米(nm)低功率強(qiáng)化(LPe)制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實(shí)體 IP 資料庫的先進(jìn)制程節(jié)
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GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0
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GLOBALFOUNDRIES 推出先進(jìn) 55nm CMOS 邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES 宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強(qiáng)化 (LPe) 制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業(yè)界首創(chuàng)唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實(shí)體 I
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GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一
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速龍II X2 280：瞬間提速300MHz
AMD近日調(diào)整價格表，降低了幾款產(chǎn)品的標(biāo)價，同時新增加了一款“Athlon II X 280”。 一看序列就知道，它其實(shí)還是45nm K10.5架構(gòu)的產(chǎn)物。在老一代產(chǎn)品紛紛退役的今天，還冒出來這么個型號似乎有點(diǎn)“不識
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美光新一代企業(yè)級SSD繼續(xù)25nm閃存 20nm不靠譜
美光今天宣布推出新一代企業(yè)級固態(tài)硬盤“P400m”，和上代P400e一樣采用自家產(chǎn)的25nm MLC閃存顆粒，不過讀寫速度有了明顯提升。P400m還是2.5寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格和7.0毫米超薄厚度，重量不超過125克，容量依然有100G
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45nm 3D芯片 IBM將公布立體芯片技術(shù)細(xì)節(jié)
IBM將公布3D芯片細(xì)節(jié)回頂部 【PConline 資訊】根據(jù)最新消息，IBM透露了其3D芯片的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，45nm制程工藝的處理器和內(nèi)存組成立體結(jié)構(gòu)，作為服務(wù)器的核心，CPU的技術(shù)一備受矚目，最近由于晶體管尺寸接近物理極限
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晶圓代工45nm以下營收占比躍增
晶圓代工業(yè)者在45奈米及以下制程營收比重節(jié)節(jié)攀高。IC Insights預(yù)估，臺積電今年將有37%的營收來自45奈米及以下產(chǎn)品，較去年占比增加11%，格羅方德營收比重更高達(dá)65%，而聯(lián)電也將從原本的6%，上升至11%。整體而言，4
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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel有望2013年引入14nm工藝 5nm工藝七年后駕到
在本屆IDF上，Intel高管MarkBohr對他們的14nm工藝進(jìn)程進(jìn)行了介紹，并闡述了公司近年來工作制程的發(fā)展。據(jù)悉，Intel有望在2013年晚些時候引入14nm工藝——P1272，以滿足下一代Broadwell大批量生產(chǎn)。事實(shí)上，
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會上，Intel高管Mark Bohr向與會的記著和專家們重點(diǎn)闡述了Intel在過去幾年以及未來幾年在制成工藝上的總結(jié)和展望。從公布的PPT來看，Intel明年將會上 14nm，2015年以后，Intel將會陸續(xù)引入10nm、
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單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用
1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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