Globalfoundries宣布將公司的55奈米(nm)低功率強(qiáng)化(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實(shí)體 IP 資料庫(kù)的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，可讓晶片設(shè)計(jì)人員使用單一制程，在單一系統(tǒng)單晶片(SoC)下支援兩種作業(yè)電壓。
Globalfoundries產(chǎn)品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示：「這款 55nm LPe 1V 產(chǎn)品最主要的優(yōu)點(diǎn)是，無(wú)論是要設(shè)計(jì) 1.0V 或 1.2V 的電源選項(xiàng)，都能使用相同的設(shè)計(jì)資料庫(kù)。也就是說(shuō)，只需要采用同一套的設(shè)計(jì)規(guī)則和模式，無(wú)需額外的光罩層或特殊制程。如此不只可降低成本，提高設(shè)計(jì)彈性，更能維持一致的電源和最佳化功能?！?br>
Globalfoundries 的 55nm LPe 1V 采用 ARM 1.0V/1.2V與記憶體編譯器，方便設(shè)計(jì)人員將速度、電源及/或面積等設(shè)計(jì)最佳化，尤其對(duì)在系統(tǒng)單晶片解決方案的設(shè)計(jì)上受到電力限制的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)更為有利。

Globalfoundries 的先進(jìn) 55nm LPe 制程，為結(jié)合 ARM 所提供完整經(jīng)過(guò)矽晶片驗(yàn)證的 8-track、9-track 和 12-track 資料庫(kù)平臺(tái)，加上高速和高密度的記憶體編譯器。

ARM 實(shí)體 IP 部門行銷副總 John Heinlein 表示：「1V 和 1.2V 作業(yè)的整合，加上支援級(jí)的位移邏輯，將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。雙電壓域特性支援，搭配 Artisan 新一代記憶體編譯器架構(gòu)，相較于前一代解決方案，能減少 35% 以上的動(dòng)態(tài)及漏電功率?！?br>
55nm LPe 1V 尤其適用于大量、采電池供電的行動(dòng)消費(fèi)性裝置，還有各種環(huán)?；蚬?jié)能產(chǎn)品。產(chǎn)品開發(fā)套件和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具現(xiàn)已供應(yīng)，同時(shí)也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 記憶體提供彈性的制程選項(xiàng)，全球出貨量高達(dá)數(shù)十億組。延續(xù) Artisan 65nm 至 20nm 實(shí)體 IP 平臺(tái)的多樣化系列，這些新一代記憶體內(nèi)含低電壓和待機(jī)模式，能夠延長(zhǎng)電池壽命，提供可將處理器速度提升至最高的超高速快取記憶體，同時(shí)也采用專利設(shè)計(jì)技術(shù)，縮小低成本系統(tǒng)單晶片的設(shè)計(jì)面積。