美光今天宣布推出新一代企業(yè)級固態(tài)硬盤“P400m”，和上代P400e一樣采用自家產(chǎn)的25nm MLC閃存顆粒，不過讀寫速度有了明顯提升。

P400m還是2.5寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格和7.0毫米超薄厚度，重量不超過125克，容量依然有100GB、200GB、400GB三種版本，SATA 6Gbps接口，但性能較上代增強不少：最高持續(xù)讀寫速度可達350MB/s、300MB/s，最高隨機讀寫速度可達55000 IOPS、17000 IOPS。——相比之下，P400e的持續(xù)寫入最高只有140MB/s，隨機讀取則只有50000 IOPS。

200GB型號隨機寫入降至16000 IOPS，100GB型號持續(xù)寫入降至210MB/s，隨機讀寫降至50000、14000 IOPS。

P400m的主控和近期發(fā)布的消費級M500系列一樣，使用了Marvell 88SS9187?？煽啃陨铣俗孕虚_發(fā)固件、200萬小時平均故障間隔時間、1.75/3.5/7PB終身數(shù)據(jù)寫入量、先進讀寫管理、數(shù)據(jù)路徑保護、物理掉電保護，還特別支持“XPERT”(拓展性能與增強可靠性技術(shù))，典型功耗低于7.5W。

M500系列的閃存已經(jīng)進化到20nm，如此看起來，20nm閃存的可靠性仍然達不到企業(yè)級的要求。