7nm之外,臺積電也準(zhǔn)備5nm多時了,根據(jù)他們在半導(dǎo)體技術(shù)論壇所說,臺積電將投資250億美元發(fā)展5nm工藝,預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn),2020年量產(chǎn)。
魏哲家說,半導(dǎo)體是一個非常基本的行業(yè),就像創(chuàng)辦人張忠謀所言,半導(dǎo)體會像是日常生活不可或缺的面包、飯;隨著5G與人工智能(AI)新技術(shù)來臨,世界會發(fā)生重大變動。
entor, a Siemens business 宣布,該公司 Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS™) Platform 中的多項(xiàng)工具已通過TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時宣布,已更新了 Calibre nmPlatform 工具,可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長市場提供芯片創(chuàng)新。
臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP),臺積電的Fab 18晶圓廠一期工程順利奠基。這是臺積電在臺灣的第四座300mm晶圓廠,也將首次投產(chǎn)5nm新工藝。臺積電計(jì)劃2019年第一季度完成新工廠的建設(shè),并開始設(shè)備遷入,2019年第二季度試產(chǎn),2020年初投入5nm的批量生產(chǎn)。
當(dāng)前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右,但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過為了制造 5nm 芯片,IBM 也拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu),取而代之的是四層堆疊納
目前,最先進(jìn)的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個晶體管的芯片。 IBM研究部門的半導(dǎo)體技術(shù)研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱,5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%,效能提高75%。 “這是7納米技術(shù)之外的重大創(chuàng)新成果。”哈雷說,“這是設(shè)計(jì)上的創(chuàng)新,它讓你整合了更多的晶體管。”
近日,媒體報(bào)道了這樣的一則消息,中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機(jī)!
近日,臺積電新聞發(fā)言人表示,新生產(chǎn)設(shè)施的投資額超過5000億元新臺幣(157億美元),新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進(jìn)的芯片。
雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進(jìn),產(chǎn)業(yè)界眾說紛云,但晶圓代工龍頭臺積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新,可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律,持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此,臺積電將以南科園區(qū)為據(jù)點(diǎn),投入5,000億元資金,建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。
摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會有一個權(quán)限,5nm則是硅芯片工藝的極限所在,事實(shí)上,隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出,人們也開始擔(dān)心硅芯片極限的逐漸逼近,會不會意味著摩爾定律最終失效,進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)停滯不前。 為什么說5nm是現(xiàn)有芯片工藝的極限呢?
11月13日13:05消息,AMD公司13日下午宣布其代號為“上海”的新一代45納米四核皓龍服務(wù)器處理器上市。AMD公司稱“上海”是x86服務(wù)器性能的新王者,其性
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半導(dǎo)體有多種類型,又有不同容量、速度和作用,但最廣泛使用最常見的是NAND閃存(Flash),因此針對此類芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個行業(yè)。日前,SanDisk和東芝宣布,已經(jīng)完成了迄今為止全球最