-
25nm閃存固態(tài)硬盤容量縮水問題浮現(xiàn)
制造工藝的更新?lián)Q代可以給閃存帶來性能提升和成本的下降，這在玩家心目中幾乎是公認(rèn)的事實。然而大多數(shù)人可能忽略了事情的另一面，即閃存制造工藝升級帶來的壽命問題。隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，NAND閃存的可靠性會明
-
中低密度FPGA需求巨大
為了實現(xiàn)FPGA進(jìn)入有線/無線網(wǎng)絡(luò)核心高容量市場的應(yīng)用，賽靈思推出了創(chuàng)新的SSI（堆疊硅片互聯(lián)）技術(shù)將多顆FPGA芯片封裝在一起以擴大目前最先進(jìn)工藝（28nm）下FPGA的容量；但是另方面，低密度的FPGA也仍是非常受歡迎，
-
Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃是否會按部就班？
按ITRS工藝路線圖，在2009年進(jìn)入32納米，英特爾做到了。但是實現(xiàn)工藝，出產(chǎn)樣品，到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時間。按英特爾計劃，2011 Q1時32nm的出貨比升至35%，Q2時達(dá)50%，到Q3時32nm才超過70%，表示
-
Intel生產(chǎn)工藝規(guī)劃32nm半年后過半
編者點評：按ITRS工藝路線圖,在2009年進(jìn)入32納米,英特爾做到了。但是實現(xiàn)工藝,,出產(chǎn)樣品,到真正量產(chǎn)，尚存在差距，通常需要一年多時間。按英特爾計劃，,2011 Q1時32nm的出貨比升至35％，Q2時達(dá)50％，到Q3時32nm才超過
-
近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術(shù)
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來更具性價比的產(chǎn)品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術(shù)和創(chuàng)新上走在了其他公
-
15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏
-
15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾
在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國
-
G652D光纖宏彎損耗測試方法
光纖宏彎損耗測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB?！ 《?中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代
-
《國際電子商情》10月熱門產(chǎn)品匯總
關(guān)鍵字： LTE PA 云手機 CDMA GPU LTE云手機將促使市場全面洗牌
-
Intel斥資80億美元意在15nm及更小芯片
據(jù)外電報道，英特爾宣布建立新的工廠和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。投資預(yù)計達(dá)80億美元。英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計明年下半年將
-
Intel投資8億美元欲開發(fā)小于15nm芯片
英特爾宣布它將會投入8億美元建立新的工廠和投入新的設(shè)施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。 英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產(chǎn)部總經(jīng)理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預(yù)計明年下半年將推出應(yīng)用22納米
-
EV Group推出軟UV納米壓印光刻技術(shù) 尺寸可達(dá)12.5nm
領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商EV Group發(fā)布了一項新的技術(shù)Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨圖形?；贓VG的UV-NIL系統(tǒng)，SMS-NIL為客戶提供可重復(fù)的、具成本效益的工
-
英特爾已在規(guī)劃22nm、15nm Atom大軍
舊金山IDF 2010上，Intel不僅宣布了面向嵌入式系統(tǒng)的Atom E610、面向消費電子設(shè)備視的Atom CE4200處理器，還展示了Atom家族的未來路線圖。 在不斷升級的半導(dǎo)體工藝支撐下，Atom家族也會日益龐大。從現(xiàn)在開始，Int
-
中芯國際最新技術(shù)路線圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進(jìn)行
作為中國本土最大的芯片制造商，中芯國際的技術(shù)動向無疑是業(yè)界的焦點。中芯國際已走過10個年頭，9月16日舉辦的的技術(shù)研討會恰逢其成立10周年，新領(lǐng)導(dǎo)班子的集體亮相、最新技術(shù)路線圖的發(fā)布、研發(fā)進(jìn)展?fàn)顩r等，成為了此
-
中國Foundry本土化是必然趨勢
“未來10年，中國Foundry將迎來新的發(fā)展階段，在國際合作的前提下，本土化將是必然的趨勢，即資金本土化、管理本土化、市場本土化、人才本土化?！边@是首次在公眾面前亮相的上海華力微電子有限公司總裁資深顧問兼銷
-
2015年15nm GF將用EUV光刻技術(shù)造芯片
在最近的SemiCon West產(chǎn)業(yè)會議上， Global Foundries公司對外宣布，將會在15nm制程時開始啟用EUV極紫外光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片。Global Foundries公司高級副總裁Greg Bartlett表示，在紐約Fab 8工廠建成之后的2012
-
英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)
LSI的基本元件CMOS晶體管長期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點。全球最大代工廠商臺積電（TSMC）于今年夏季動工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體
-
英特爾25nm閃存量產(chǎn) 演繹新固態(tài)硬盤時代
據(jù)國外媒體報道，英特爾證實它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費者供貨。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二
-
英特爾25nm閃存量產(chǎn)演繹新固態(tài)硬盤時代
據(jù)國外媒體報道，英特爾證實它與美光閃存公司合作開發(fā)的25nm閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)，并開始向消費者供貨。IMFT（Intel-MicronFlashTechnologies，英特爾美光閃存技術(shù)公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片樣本，二月
-
Kilopass完成臺積電認(rèn)證
半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）硅智財（IP）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass Technology Inc.宣布，該公司的XPM嵌入式一次性可編程（OTP）非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)率先在臺積電40nm及45nm低功率制程技術(shù)中完成臺積電IP-9000 Level 4
