意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級(jí)換代工作
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級(jí)換代工作
意法半導(dǎo)體發(fā)布55納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。意法半導(dǎo)體的新一代車用微控制器(MCU)芯片將采用這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)。目前,意法半導(dǎo)體正在位于法國Crolles的世界一流的300mm晶圓廠進(jìn)行這項(xiàng)技術(shù)的升級(jí)換代工作
在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè),美國美光科技(MicronTechnology)的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND閃存外,該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP(Multi-chipPacka
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
三星電子有限公司和全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司共同宣布,賽靈思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星電子旗下晶圓代工廠三星代工(Samsung Foundry)的 45nm 工藝技術(shù)的全面生產(chǎn)認(rèn)證。這種先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)技
半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級(jí)不斷縮小,傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個(gè)問題,業(yè)界已經(jīng)討論了很久?,F(xiàn)在,決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點(diǎn)即將到來,盡管IBM和Intel兩大陣營在發(fā)展方式上會(huì)有
美國應(yīng)用材料公司(Applied Materials)發(fā)布了能夠以ms為單位進(jìn)行退火的激光退火裝置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工藝以后邏輯LSI的鎳硅(NiSi)接觸時(shí)使用。臺(tái)灣臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufa
剛剛從與臺(tái)積電的專利官司漩渦中脫身,大陸芯片廠商中芯國際旗下兩座深圳芯片廠便于日前舉行了完工慶典,這兩間工廠分別具備200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生產(chǎn)能力.中芯公司新任CEO王寧國還參加了于11月19日舉辦的這
“中芯國際第一個(gè)45nm產(chǎn)品今年12月試產(chǎn)?!敝行緡H總裁兼執(zhí)行長張汝京在10月23日上海舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì)上透露,“中芯深圳的200mm生產(chǎn)廠今年年底將建設(shè)好,明年第一季度設(shè)備進(jìn)場,安裝調(diào)試,第二季度開始試產(chǎn)。
坦白說,我在幾年前一點(diǎn)也不推崇60GHz無線通信技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)存在著嚴(yán)重的信號(hào)衰減問題,其設(shè)計(jì)也具有相當(dāng)程度的不確定性,所以我當(dāng)時(shí)認(rèn)為超寬帶(UWB)無線技術(shù)應(yīng)該能輕易打敗這項(xiàng)技術(shù),成功上市。 即使60GHz技術(shù)在理
坦白說,我在幾年前一點(diǎn)也不推崇60GHz無線通信技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)存在著嚴(yán)重的信號(hào)衰減問題,其設(shè)計(jì)也具有相當(dāng)程度的不確定性,所以我當(dāng)時(shí)認(rèn)為超寬帶(UWB)無線技術(shù)應(yīng)該能輕易打敗這項(xiàng)技術(shù),成功上市。 即使60GHz技術(shù)在理
中芯國際將采用Cadence Design Systems公司的“Litho Physical Analyzer”和“Litho Electrical Analyzer”作為65nm和45nm制程的設(shè)計(jì)工具。這兩款工具可更好地模擬光刻工藝對(duì)器件制造的影響。SMIC is to adopt Caden
據(jù)ARM的研究人員的報(bào)道,公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比,功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。