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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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中國光伏發(fā)電剛剛起步，風(fēng)機(jī)研發(fā)已到5MW水平
我們注意到目前全球風(fēng)力和太陽能發(fā)電的發(fā)展速度相當(dāng)快，中國也在快步跟上。在中國風(fēng)電市場，從600KW到1.5MW、2.0MW風(fēng)機(jī)只花了短短的數(shù)年時(shí)間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風(fēng)機(jī)也正在開發(fā)中。太陽能發(fā)電的應(yīng)用在中國還處于
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BSAK研討會(huì)將開，探討MEMS無線傳感器現(xiàn)狀和發(fā)展
位于法國巴黎的伯克利傳感器和執(zhí)行器中心（BSAC）將于2012年1月29日舉辦研討會(huì)。此次研討會(huì)將介紹采用碳化硅和氮化鋁制造MEMS無線傳感器的目前研究情況以及未來展望，以應(yīng)對(duì)低端惡劣環(huán)境下MEMS的應(yīng)用。這些傳感器正在
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流行藍(lán)寶石、4英寸LED襯底
論是正面還是負(fù)面消息，LED無疑是今年最熱門的詞匯之一。之前，素有中國LED之城的深圳出現(xiàn)了一股LED廠商倒閉潮；如今，受《關(guān)于逐步禁止進(jìn)口和銷售普通照明白熾燈的公告》等利好政策的出臺(tái)，以及“中國逐步淘汰
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流行藍(lán)寶石、4英寸LED襯底
論是正面還是負(fù)面消息，LED無疑是今年最熱門的詞匯之一。之前，素有中國LED之城的深圳出現(xiàn)了一股LED廠商倒閉潮；如今，受《關(guān)于逐步禁止進(jìn)口和銷售普通照明白熾燈的公告》等利好政策的出臺(tái)，以及“中國逐步淘汰
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硅襯底LED照明暫未發(fā)現(xiàn)物理瓶頸
按照led上游材料制備所用的襯底劃分，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的有三種技術(shù)路線，即藍(lán)寶石襯底半導(dǎo)體照明、碳化硅襯底半導(dǎo)體照明和硅襯底半導(dǎo)體照明。其中前兩條技術(shù)路線的核心專利主要掌握在日亞、豐田合成、科銳、歐司朗、
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碳化硅晶格缺陷可變成量子比特
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)11月3日（北京時(shí)間）報(bào)道，最近，美國加利福尼亞大學(xué)圣芭芭拉分校物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)，碳化硅中包含的晶格缺陷可以在量子力學(xué)水平被操控作為一種室溫下的量子比特來使用，這一發(fā)現(xiàn)使碳化硅有望成為下一
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科銳新型碳化硅肖特基二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)。科銳公司最新推出的1200V Z-Rec
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科銳新型碳化硅二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
21ic訊 碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)。科銳公司最新推出的1200V Z
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科銳新型碳化硅二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
21ic訊 碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)?？其J公司最新推出的1200V Z
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美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破
美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改進(jìn)武器數(shù)
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美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破
美國空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項(xiàng)目。該項(xiàng)目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改
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LED照明革命打開千億美元市場
1987年，6位年輕人在美國的北卡羅來納州創(chuàng)立了科銳（CREE）公司，他們想將一種叫做“碳化硅”的材料進(jìn)行商業(yè)開發(fā)，這就是以“碳化硅”為基礎(chǔ)材料的led所肇始的照明革命最開始的故事。從此，這家初創(chuàng)公司開始了長達(dá)2
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
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擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線 富士電機(jī)增大生產(chǎn)規(guī)模
富士電機(jī)于2011年會(huì)計(jì)年度（2010年4月~2011年3月）對(duì)功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日?qǐng)A（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線 預(yù)計(jì)2012年春季開始量產(chǎn)
富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
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Cree公司2011財(cái)年第四季度收入增長11%
位于美國北卡羅來納州德罕的Cree公司，2011財(cái)年(截至6月26日)營收創(chuàng)紀(jì)錄的達(dá)到9.876億美元，相比2010財(cái)年的8.673億美元，增長了14%。此外，2011財(cái)年第四季度收入為2.43億美元，盡管與上年第四季度2.646億美元的收入相
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東莞垂直整合LED產(chǎn)業(yè)鏈 圈定八大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)
轉(zhuǎn)播到騰訊微博 東莞，正發(fā)動(dòng)一場科技創(chuàng)新促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式的“諾曼底登陸”。東莞市科學(xué)技術(shù)局局長何躍沛昨日接受南都記者專訪時(shí)介紹，一份支撐和引領(lǐng)東莞市經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的科技創(chuàng)新的專
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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列
碳化硅 (SiC) 功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價(jià)格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推
