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科銳新型碳化硅二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
21ic訊 碳化硅功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)。科銳公司最新推出的1200V Z
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美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破
美國空軍研究實驗室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項目。該項目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改進(jìn)武器數(shù)
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美國高速武器數(shù)據(jù)鏈技術(shù)取得重大突破
美國空軍研究實驗室(AFRL)已完成了其“經(jīng)濟(jì)上可承受的武器數(shù)據(jù)鏈插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion，AWDI)研究項目。該項目由AFRL、羅克韋爾•柯林斯公司和Nitronex公司聯(lián)合完成，目標(biāo)是改
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LED照明革命打開千億美元市場
1987年，6位年輕人在美國的北卡羅來納州創(chuàng)立了科銳（CREE）公司，他們想將一種叫做“碳化硅”的材料進(jìn)行商業(yè)開發(fā)，這就是以“碳化硅”為基礎(chǔ)材料的led所肇始的照明革命最開始的故事。從此，這家初創(chuàng)公司開始了長達(dá)2
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線
富士電機(jī)計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
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擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線 富士電機(jī)增大生產(chǎn)規(guī)模
富士電機(jī)于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導(dǎo)體的投資額高達(dá)185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。士電機(jī)計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野
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富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線 預(yù)計2012年春季開始量產(chǎn)
富士電機(jī)計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機(jī)將
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Cree公司2011財年第四季度收入增長11%
位于美國北卡羅來納州德罕的Cree公司，2011財年(截至6月26日)營收創(chuàng)紀(jì)錄的達(dá)到9.876億美元，相比2010財年的8.673億美元，增長了14%。此外，2011財年第四季度收入為2.43億美元，盡管與上年第四季度2.646億美元的收入相
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東莞垂直整合LED產(chǎn)業(yè)鏈 圈定八大戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)
轉(zhuǎn)播到騰訊微博 東莞，正發(fā)動一場科技創(chuàng)新促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級和轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式的“諾曼底登陸”。東莞市科學(xué)技術(shù)局局長何躍沛昨日接受南都記者專訪時介紹，一份支撐和引領(lǐng)東莞市經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的科技創(chuàng)新的專
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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列
碳化硅 (SiC) 功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推
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科銳推出新型1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二極管系列
21ic訊 科銳公司日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列
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科銳推出新型1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二極管系列
21ic訊 科銳公司日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列
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第三代半導(dǎo)體碳化硅項目落戶中關(guān)村海淀園
經(jīng)過近一年的推進(jìn)工作，美國羅格斯大學(xué)趙建輝教授的第三代半導(dǎo)體碳化硅（ＳｉＣ）外延及器件產(chǎn)業(yè)化項目，目前已確定落戶中關(guān)村海淀園。 該項目中試及初期生產(chǎn)場地最終確定在海淀東升科技園，目前已簽訂租賃協(xié)議。該項
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臺鉆科技苑執(zhí)中：鉆石襯底性能和成本優(yōu)于碳化硅LED芯片
led外延的制造主流采用藍(lán)寶石、硅和碳化硅作為襯底，而鉆石芯片理論上光效更高、導(dǎo)熱系數(shù)更大耐高溫也越強(qiáng)，故世界有些企業(yè)嘗試研究鉆石襯底LED芯片。臺鉆科技是該技術(shù)中的佼佼者。中國LED網(wǎng)記者就鉆石在LED中的應(yīng)用
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飛兆半導(dǎo)體收購TranSiC公司 試水碳化硅領(lǐng)域
為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收購碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)
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飛兆半導(dǎo)體引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力
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飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項收購為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、
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飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項收購為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、
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羅姆亮相IIC-China2011春季展
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2011年2月24日~26日亮相"第十六屆國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China2011春季展)”。在深圳會展中心舉行的此次中國最大型半導(dǎo)體綜合展示會上，羅姆圍繞LED驅(qū)動，代功率器件，傳感
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鵬源電子推出高效同步整流應(yīng)用
關(guān)鍵字： PI Expert Suite V8 IIC-China 鵬源電子是一家專業(yè)為新型能源產(chǎn)品配套電子零件的代理商，專注于為通
