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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門誕生
3月12日消息，國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片已經(jīng)于日前在廈門順利“誕生”。更可喜的是，作為廈門市政府赴美國(guó)招商的重點(diǎn)項(xiàng)目，瀚天泰成電子科技廈門有限公司所提供的碳化硅半導(dǎo)體外延晶片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域空白，公司同時(shí)
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國(guó)際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電子下一個(gè)50年的最佳電子材料。記者從廈門火炬高新區(qū)翔安產(chǎn)業(yè)園了解到，國(guó)內(nèi)首片
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
■進(jìn)口的碳化硅生產(chǎn)設(shè)備。廈門網(wǎng)-廈門晚報(bào)訊（文/圖記者王東城）你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國(guó)際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電
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最高能效，最低成本: BC²
摘要本文論述一個(gè)新穎的簡(jiǎn)單的適用于各種類型硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個(gè)電路只需使用幾個(gè)意法半導(dǎo)體的元器件：一個(gè)微型線圈、兩個(gè)耦合輔助線圈和兩個(gè)優(yōu)化的PN二極管。而且，這個(gè)電路完全兼容任何一種PWM控
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2012年LED的價(jià)格還將會(huì)繼續(xù)降低嗎？
從目前的市場(chǎng)來看，高壓LED的成本高于低壓LED，但隨著高壓LED產(chǎn)品的使用量和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，可能情況就不盡然了。以我現(xiàn)在的角度來看，高壓LED的工藝比較復(fù)雜一點(diǎn)，但半年或一年以后，當(dāng)它變成一個(gè)穩(wěn)定的市場(chǎng)之后，
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半導(dǎo)體兩項(xiàng)目共獲1300萬元資助
北京時(shí)間2月21日消息，經(jīng)2011年第27次市黨政領(lǐng)導(dǎo)班子聯(lián)席會(huì)議討論，東莞市將將對(duì)2010年度市重大科技專項(xiàng)《第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》、《半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)與評(píng)價(jià)體系的研究》2個(gè)項(xiàng)目分別立項(xiàng)資
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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中國(guó)光伏發(fā)電剛剛起步，風(fēng)機(jī)研發(fā)已到5MW水平
我們注意到目前全球風(fēng)力和太陽能發(fā)電的發(fā)展速度相當(dāng)快，中國(guó)也在快步跟上。在中國(guó)風(fēng)電市場(chǎng)，從600KW到1.5MW、2.0MW風(fēng)機(jī)只花了短短的數(shù)年時(shí)間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風(fēng)機(jī)也正在開發(fā)中。太陽能發(fā)電的應(yīng)用在中國(guó)還處于
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BSAK研討會(huì)將開，探討MEMS無線傳感器現(xiàn)狀和發(fā)展
位于法國(guó)巴黎的伯克利傳感器和執(zhí)行器中心（BSAC）將于2012年1月29日舉辦研討會(huì)。此次研討會(huì)將介紹采用碳化硅和氮化鋁制造MEMS無線傳感器的目前研究情況以及未來展望，以應(yīng)對(duì)低端惡劣環(huán)境下MEMS的應(yīng)用。這些傳感器正在
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流行藍(lán)寶石、4英寸LED襯底
論是正面還是負(fù)面消息，LED無疑是今年最熱門的詞匯之一。之前，素有中國(guó)LED之城的深圳出現(xiàn)了一股LED廠商倒閉潮；如今，受《關(guān)于逐步禁止進(jìn)口和銷售普通照明白熾燈的公告》等利好政策的出臺(tái)，以及“中國(guó)逐步淘汰
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流行藍(lán)寶石、4英寸LED襯底
論是正面還是負(fù)面消息，LED無疑是今年最熱門的詞匯之一。之前，素有中國(guó)LED之城的深圳出現(xiàn)了一股LED廠商倒閉潮；如今，受《關(guān)于逐步禁止進(jìn)口和銷售普通照明白熾燈的公告》等利好政策的出臺(tái)，以及“中國(guó)逐步淘汰
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硅襯底LED照明暫未發(fā)現(xiàn)物理瓶頸
按照led上游材料制備所用的襯底劃分，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的有三種技術(shù)路線，即藍(lán)寶石襯底半導(dǎo)體照明、碳化硅襯底半導(dǎo)體照明和硅襯底半導(dǎo)體照明。其中前兩條技術(shù)路線的核心專利主要掌握在日亞、豐田合成、科銳、歐司朗、
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碳化硅晶格缺陷可變成量子比特
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月3日（北京時(shí)間）報(bào)道，最近，美國(guó)加利福尼亞大學(xué)圣芭芭拉分校物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)，碳化硅中包含的晶格缺陷可以在量子力學(xué)水平被操控作為一種室溫下的量子比特來使用，這一發(fā)現(xiàn)使碳化硅有望成為下一
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科銳新型碳化硅肖特基二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
碳化硅功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)?？其J公司最新推出的1200V Z-Rec
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科銳新型碳化硅二極管提高太陽能微型逆變器能源效率
21ic訊 碳化硅功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效率建立新的標(biāo)準(zhǔn)?？其J公司最新推出的1200V Z
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