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耐2萬(wàn)伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對(duì)于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線(xiàn)、各類(lèi)光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國(guó)科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對(duì)于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線(xiàn)、各類(lèi)光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國(guó)科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽(yáng)能解決方案
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻?yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。意法半導(dǎo)體已于近日在美國(guó)佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國(guó)際太陽(yáng)能展覽會(huì)暨研討會(huì)
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開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開(kāi)
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功率半導(dǎo)體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點(diǎn)話(huà)題之一。5月16日，國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議安排265億元資金，對(duì)符合節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)的平板電視、空
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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科銳采用ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線(xiàn)射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳宣布升級(jí)工藝設(shè)計(jì)套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線(xiàn)射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類(lèi)似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線(xiàn)設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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明銳佳源
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