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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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科銳采用ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳宣布升級(jí)工藝設(shè)計(jì)套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍(lán)寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍(lán)寶石襯底
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門誕生
3月12日消息，國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片已經(jīng)于日前在廈門順利“誕生”。更可喜的是，作為廈門市政府赴美國(guó)招商的重點(diǎn)項(xiàng)目，瀚天泰成電子科技廈門有限公司所提供的碳化硅半導(dǎo)體外延晶片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域空白，公司同時(shí)
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國(guó)際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電子下一個(gè)50年的最佳電子材料。記者從廈門火炬高新區(qū)翔安產(chǎn)業(yè)園了解到，國(guó)內(nèi)首片
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國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗
■進(jìn)口的碳化硅生產(chǎn)設(shè)備。廈門網(wǎng)-廈門晚報(bào)訊（文/圖記者王東城）你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國(guó)際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電
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最高能效，最低成本: BC²
摘要本文論述一個(gè)新穎的簡(jiǎn)單的適用于各種類型硬開(kāi)關(guān)功率轉(zhuǎn)換器的電能回收電路，這個(gè)電路只需使用幾個(gè)意法半導(dǎo)體的元器件：一個(gè)微型線圈、兩個(gè)耦合輔助線圈和兩個(gè)優(yōu)化的PN二極管。而且，這個(gè)電路完全兼容任何一種PWM控
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2012年LED的價(jià)格還將會(huì)繼續(xù)降低嗎？
從目前的市場(chǎng)來(lái)看，高壓LED的成本高于低壓LED，但隨著高壓LED產(chǎn)品的使用量和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，可能情況就不盡然了。以我現(xiàn)在的角度來(lái)看，高壓LED的工藝比較復(fù)雜一點(diǎn)，但半年或一年以后，當(dāng)它變成一個(gè)穩(wěn)定的市場(chǎng)之后，
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半導(dǎo)體兩項(xiàng)目共獲1300萬(wàn)元資助
北京時(shí)間2月21日消息，經(jīng)2011年第27次市黨政領(lǐng)導(dǎo)班子聯(lián)席會(huì)議討論，東莞市將將對(duì)2010年度市重大科技專項(xiàng)《第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》、《半導(dǎo)體照明產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)與評(píng)價(jià)體系的研究》2個(gè)項(xiàng)目分別立項(xiàng)資
