-
飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度
-
天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國(guó)首家、全球第五家專
-
天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國(guó)首家、全球第五家專
-
耐2萬(wàn)伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開(kāi)發(fā)出可耐2萬(wàn)伏超高壓的半導(dǎo)體二極
-
不一樣的羅姆，讓生活更智能
對(duì)于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國(guó)科技巡回展上，我們看到了羅姆新
-
不一樣的羅姆，讓生活更智能
對(duì)于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國(guó)科技巡回展上，我們看到了羅姆新
-
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽(yáng)能解決方案
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻?yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。意法半導(dǎo)體已于近日在美國(guó)佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國(guó)際太陽(yáng)能展覽會(huì)暨研討會(huì)
-
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進(jìn)入21世紀(jì)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開(kāi)
-
功率半導(dǎo)體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點(diǎn)話題之一。5月16日，國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議安排265億元資金，對(duì)符合節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)的平板電視、空
-
功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
-
功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
-
功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測(cè)，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場(chǎng)在2011年成長(zhǎng)3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長(zhǎng)5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
-
科銳采用ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
-
科銳宣布升級(jí)工藝設(shè)計(jì)套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠?yàn)槲⒉ê蜔o(wú)線射頻設(shè)計(jì)工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
-
科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
-
科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)||突破性的技術(shù)實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
-
具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
-
具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
-
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
-
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來(lái)襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見(jiàn)證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來(lái)襲，填寫有獎(jiǎng)問(wèn)卷
- STM32C0系列MCU新品來(lái)襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測(cè)試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
