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Mouser推出Cree公司的業(yè)界首款1200V高頻碳化硅半電橋模塊
在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管21ic訊 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特
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重新應(yīng)用 BJT：在光伏逆變器中運(yùn)用新型SiC BJT 可實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用為 BJT 賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計(jì)更簡易的器件。SiC BJT 運(yùn)用在光伏電源轉(zhuǎn)換器中時(shí)，可實(shí)現(xiàn)良好效率，并且（也許更重要的是）能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。
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科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅 MOSFET器件
顯著降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本 新型器件可提供雙倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器
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CREE：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
用最好的技術(shù)做出最優(yōu)秀的產(chǎn)品讓客戶成功，一句話道出了科銳致力于與客戶雙贏的服務(wù)理念。說起LED行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商，就不得不提到科銳。 在2013第九屆廣州國際LED展上，科銳中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯博士接受了中國LED網(wǎng)記者
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飛兆將在2013年慕展上展示高性能功率解決方案
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體將在2013年慕尼黑上海電子展上展示高性能功率解決方案
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)體將功能、工藝和封裝解決方案進(jìn)行獨(dú)特的整合，再
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飛兆半導(dǎo)體將在2013年慕尼黑上海電子展上展示高性能功率解決方案
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)
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羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組
日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（Power conditioner）等變流器/轉(zhuǎn)換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。該模組采用了將功
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美高森美擴(kuò)展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽
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飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進(jìn)1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進(jìn)行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專
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耐2萬伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽能解決方案
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。意法半導(dǎo)體已于近日在美國佛羅里達(dá)州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開
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功率半導(dǎo)體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點(diǎn)話題之一。5月16日，國務(wù)院常務(wù)會議安排265億元資金，對符合節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)的平板電視、空
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
