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道康寧CEO：中國“硅”市場潛力無限
1973年，道康寧在香港設(shè)立首個亞洲辦事處。以此為起點，道康寧在大中華區(qū)開始了快速發(fā)展。9月24日，在道康寧大中華區(qū)40周年慶典之際，記者采訪了專程來華的道康寧總裁兼首席執(zhí)行官韓山柏(Robert.DHansen)先生。與中國
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道康寧CEO：中國“硅”市場潛力無限
1973年，道康寧在香港設(shè)立首個亞洲辦事處。以此為起點，道康寧在大中華區(qū)開始了快速發(fā)展。9月24日，在道康寧大中華區(qū)40周年慶典之際，記者采訪了專程來華的道康寧總裁兼首席執(zhí)行官韓山柏(Robert.DHansen)先生。與中國
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白光LED專利防御與運(yùn)營研究
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 LED專利領(lǐng)域全球?qū)＠^12萬件，核心專利主要在國外企業(yè)手中，中國企業(yè)在技術(shù)和專利方面落后于國外企業(yè)。以LED前端為例，目前國內(nèi)已授權(quán)的約470件外延專利中有超過350件是國外企業(yè)所申請
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東芝擴(kuò)充碳化硅肖特基勢壘二極管系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布將擴(kuò)充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。SBD適用于多種應(yīng)用，
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ST推出改進(jìn)版串聯(lián)二極管，提供經(jīng)濟(jì)的碳化硅二極管替代方案
21ic訊意法半導(dǎo)體推出第二代串聯(lián)二極管(tandem diodes)，讓設(shè)計人員以高成本效益的方式提升設(shè)備能效，目標(biāo)應(yīng)用包括電源、太陽能逆變器和電動交通工具充電樁。與第一代產(chǎn)品相比，新的二極管產(chǎn)品降低了反向恢復(fù)電荷(QR
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晶能光電“中國芯”逆襲 打破核心專利寡頭夢魘
最艱苦、最難熬!這是中國LED業(yè)界對2012年的評價。因行業(yè)盲目擴(kuò)張、擴(kuò)產(chǎn)，大量LED企業(yè)價格下跌、利潤大幅下滑。這一年，LED上游企業(yè)產(chǎn)能利用率僅50%左右。然而，也是在這一年，晶能光電實現(xiàn)銷售額5億元。接下來的2013
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半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的新血液：碳化硅襯底
【導(dǎo)讀】對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。 摘要： 對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合
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新型材料在LED行業(yè)熱管理的應(yīng)用
“十二五”七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和地方節(jié)能環(huán)保LED照明推廣政策的出臺，為LED照明帶來重大發(fā)展契機(jī)。據(jù)行業(yè)報告顯示，我國LED照明行業(yè)市場規(guī)模從2008年至2012年由不足140億增長至約800億，增長率約484%，預(yù)計2
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GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
21ic訊 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑
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GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大
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Mouser推出Cree公司的業(yè)界首款1200V高頻碳化硅半電橋模塊
在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管21ic訊 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特
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重新應(yīng)用 BJT：在光伏逆變器中運(yùn)用新型SiC BJT 可實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用為 BJT 賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的器件。SiC BJT 運(yùn)用在光伏電源轉(zhuǎn)換器中時，可實現(xiàn)良好效率，并且（也許更重要的是）能夠使用更小、更便宜的元件，從而在系統(tǒng)級別上顯著降低成本。
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科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅 MOSFET器件
顯著降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本 新型器件可提供雙倍A/$ 碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器
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CREE：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
用最好的技術(shù)做出最優(yōu)秀的產(chǎn)品讓客戶成功，一句話道出了科銳致力于與客戶雙贏的服務(wù)理念。說起LED行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商，就不得不提到科銳。 在2013第九屆廣州國際LED展上，科銳中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯博士接受了中國LED網(wǎng)記者
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飛兆將在2013年慕展上展示高性能功率解決方案
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體將在2013年慕尼黑上海電子展上展示高性能功率解決方案
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)體將功能、工藝和封裝解決方案進(jìn)行獨特的整合，再
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飛兆半導(dǎo)體將在2013年慕尼黑上海電子展上展示高性能功率解決方案
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將于3月19日至21日在2013年慕尼黑上海電子展(上海新國際博覽中心E1館1202號展臺)上展示最新的高性能功率解決方案。飛兆半導(dǎo)
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羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組
日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（Power conditioner）等變流器/轉(zhuǎn)換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。該模組采用了將功
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美高森美擴(kuò)展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進(jìn)行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽
