作為第三代半導體材料，碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導率高等優(yōu)點，是制作高壓、大功率半導體器件的理想材料。

相較于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。

由于碳化硅需要在2000°C以上高溫(硅晶僅需在1500°C)，以及350MPa以上才能達成。 若透過添加一些特殊的助燒劑，或者氣體沉積的方式，則可使碳化硅燒成溫度降到2000°C左右，且在常壓就能進行。

依據(jù)目前的硅晶業(yè)者的生產(chǎn)情況，一般而言，生產(chǎn)8吋的硅晶棒，需要約2天半的時間來拉晶，6吋的硅晶棒則需要約一天。 接著，待晶棒冷卻之后，再進行晶圓的切片和研磨。

至于碳化硅晶圓，光長晶的時間，就約需要7至10天，而且生成的高度可能只有幾吋而已(硅晶棒可達1至2米以上)，再加上后續(xù)的加工制程也因為硬度的影響而相對困難，因此其產(chǎn)能十分有限，質(zhì)量也不穩(wěn)定。

「由于碳化硅的生產(chǎn)瓶頸尚未解決，原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定，造成整體市場無法大規(guī)模普及。 」瀚天天成電子科技銷售副總裁司馬良亮，一語點出目前的市場困境。

司馬良亮表示，相較于硅晶，碳化硅的功能性更好，在導熱、延展性和導電性方面都有很好的表現(xiàn)，投入的業(yè)者也很多。 但幾年過去，市場規(guī)模依舊十分有限，并沒有出現(xiàn)大的進展，主要的原因就在于原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定，造成沒有足夠的晶圓來供應市場。

「只要長晶過程中的溫度和壓力有一些失誤，那好幾天的心血可能就都會為烏有。 」司馬良亮說。

目前全球僅約有三、四家業(yè)者(Cree、Norstel、新日鐵住金等)能提供穩(wěn)定的產(chǎn)量。 中國雖然已著手自產(chǎn)，但在質(zhì)量方面尚未能趕上美日，因此全球的產(chǎn)能仍十分有限，目前市場也仍是處于短缺的狀況。

碳化硅的諸多優(yōu)勢要想轉(zhuǎn)化成市場規(guī)模，產(chǎn)能必須提升上去。