晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終

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2010-06-06

軟開(kāi)關(guān) IGBT RC 晶圓
補(bǔ)助降、匯率貶下季歐洲太陽(yáng)能安裝成本上升

過(guò)往政府下砍太陽(yáng)光電補(bǔ)助費(fèi)率，太陽(yáng)能業(yè)者被迫降價(jià)好讓消費(fèi)者的系統(tǒng)安裝成本下降，讓投資報(bào)酬率(IRR)維持均衡，不過(guò)第3季雖然德國(guó)將下砍16%的補(bǔ)助費(fèi)率，卻因遇到歐元貶值的疑慮，模塊業(yè)者降價(jià)難度升高，恐讓消費(fèi)者首

半導(dǎo)體
2010-06-06

太陽(yáng)能光電太陽(yáng)能系統(tǒng) 晶圓
網(wǎng)絡(luò)電視紅晶圓雙雄補(bǔ)

網(wǎng)絡(luò)電視市場(chǎng)可望逐漸步入高度成長(zhǎng)期，國(guó)內(nèi)外網(wǎng)通IC大廠一片看好聲，不僅有助持續(xù)提高對(duì)臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）的下單量；當(dāng)網(wǎng)絡(luò)電視市場(chǎng)擴(kuò)增，已展開(kāi)布局的硅統(tǒng)（2363）、雷凌（3534）及下游晶圓代工、封測(cè)廠

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2010-06-05

Wi-Fi 網(wǎng)絡(luò)電視博通晶圓
GLOBALFOUNDRIES宣布在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體工廠

美國(guó)GLOBALFOUNDRIES于2010年6月1日宣布，將在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體制造工廠。該公司2010年的設(shè)備投資額為27億美元。該公司是美國(guó)AMD的制造部門(mén)從公司本體剝離后設(shè)立的企業(yè)，后與新加坡特許（Charterd）進(jìn)行了經(jīng)營(yíng)合并，由

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2010-06-04

半導(dǎo)體 IC GLOBALFOUNDRIES 晶圓
新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終

功率器件
2010-06-04

軟開(kāi)關(guān) IGBT RC 晶圓
世界級(jí)300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門(mén) ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問(wèn)。該高度開(kāi)放的生產(chǎn)園位于撒克遜州，擁有一個(gè)一流的 300mm 半導(dǎo)體晶圓制造廠，包括281種先進(jìn)的前端半導(dǎo)

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2010-06-04

DRAM 研發(fā)中心晶圓制造晶圓
世界級(jí) 300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

ATREG 任 Qimonda 德國(guó)德累斯頓中心的出售顧問(wèn) 德國(guó)德累斯頓2010年6月3日電 /美通社亞洲/ -- 高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門(mén) ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問(wèn)。該

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2010-06-03

晶圓廠 ST CK 晶圓
全球晶圓投資30億美元威脅聯(lián)電

晶圓代工廠商全球晶圓(GlobalFoundries)昨日在臺(tái)宣布，未來(lái)將投資30億美元，將目前市占第3名，預(yù)計(jì)在2012年市占率達(dá)30%目標(biāo)不變，且爭(zhēng)奪為市占第2名，企圖取代聯(lián)電市場(chǎng)地位。對(duì)競(jìng)爭(zhēng)廠商全球晶圓的宣示，昨天聯(lián)電不愿

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2010-06-02

晶圓代工聯(lián)電晶圓
全球晶圓產(chǎn)能將贏聯(lián)電

全球晶圓（GlobalFoundries）執(zhí)行長(zhǎng)Dougals Grose昨（1）日表示，今年資本支出將達(dá)28億美元，將德國(guó)德勒斯登Fab1，以及美國(guó)紐約Fab8等兩座12吋廠產(chǎn)能極大化。隨著新增產(chǎn)能在明年后開(kāi)出，法人預(yù)估，全球晶圓明年?duì)I收規(guī)

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2010-06-02

聯(lián)電臺(tái)積電 FAB 晶圓
MEMC并購(gòu)Solaicx　取得低成本晶圓技術(shù)

美國(guó)MEMC公司于日前發(fā)布聲明表示，將以7,600萬(wàn)美元購(gòu)并矽晶圓制造商Solaicx，借以取得低成本晶圓量產(chǎn)技術(shù)。分析師指出，盡管近年矽晶圓價(jià)格持續(xù)下降，使太陽(yáng)能電池制造成本隨之降低。但由于其它取代矽晶圓的材料或技

消費(fèi)電子
2010-05-28

AI EMC IC 晶圓
高通示警晶圓雙雄罩烏云

外電報(bào)導(dǎo)指出，手機(jī)芯片大廠高通對(duì)未來(lái)幾季的營(yíng)收示警，認(rèn)為歐元驟貶將對(duì)權(quán)利金收入造成負(fù)面沖擊。法人分析，高通的市場(chǎng)與主攻大陸的手機(jī)芯片同業(yè)聯(lián)發(fā)科（2454）有所區(qū)隔，聯(lián)發(fā)科的后續(xù)業(yè)績(jī)表現(xiàn)值得觀察。同時(shí)

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2010-05-28

聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電晶圓
MEMC購(gòu)并Solaicx取得低成本晶圓技術(shù)

美國(guó)MEMC公司于日前發(fā)布聲明表示，將以7,600萬(wàn)美元購(gòu)并矽晶圓制造商Solaicx，借以取得低成本晶圓量產(chǎn)技術(shù)。分析師指出，盡管近年矽晶圓價(jià)格持續(xù)下降，使太陽(yáng)能電池制造成本隨之降低。但由于其它取代矽晶圓的材料或技

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2010-05-27

AI EMC IC 晶圓
MEMC購(gòu)并Solaicx　取得低成本晶圓技術(shù)

美國(guó)MEMC公司于日前發(fā)布聲明表示，將以7,600萬(wàn)美元購(gòu)并矽晶圓制造商Solaicx，借以取得低成本晶圓量產(chǎn)技術(shù)。分析師指出，盡管近年矽晶圓價(jià)格持續(xù)下降，使太陽(yáng)能電池制造成本隨之降低。但由于其它取代矽晶圓的材料或技

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-27

AI EMC IC 晶圓
Semico：實(shí)現(xiàn)18吋晶圓生產(chǎn)之可能性顯著增加

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Semico Research所發(fā)布的最新報(bào)告指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)采用18吋晶圓技術(shù)的可能性已經(jīng)顯著增加，只不過(guò)恐怕很難在原先設(shè)定的2012年時(shí)間點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。包括英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)與

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2010-05-27

半導(dǎo)體設(shè)備 IC SEMI 晶圓
印度太陽(yáng)能電池產(chǎn)能年內(nèi)將暴增近倍

印度政府智庫(kù)日前針對(duì)各家太陽(yáng)能電池制造商進(jìn)行調(diào)查，發(fā)現(xiàn)2010年以前印度太陽(yáng)能電池與模塊產(chǎn)能可望分別成長(zhǎng)至750百萬(wàn)瓦(MWp)與1,250MWp，較現(xiàn)行產(chǎn)能成長(zhǎng)將近1倍。該報(bào)告預(yù)期，由于在印度生產(chǎn)太陽(yáng)能電池成本較低，未來(lái)

半導(dǎo)體
2010-05-26

太陽(yáng)能電池組件 AMBA 晶圓
傳南亞華亞提高預(yù)算以加速新制程量產(chǎn)

5月25日來(lái)自業(yè)內(nèi)人士的消息，南亞科技和華亞存儲(chǔ)兩大內(nèi)存制造商正在計(jì)劃提高他們的預(yù)算，總計(jì)將達(dá)到31億美元。消息透露，由于鎂光科技的42nm工藝比計(jì)劃中提前了兩個(gè)月開(kāi)始量產(chǎn)，為了趕上它的步伐，南亞和華亞兩

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2010-05-26

電子內(nèi)存鎂光晶圓
政府撐腰晶圓雙雄最勇

歐美股市大跌，晶圓雙雄臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)在美ADR分別下跌1.97%、6.86%，沖擊臺(tái)股，大盤(pán)今盤(pán)中重挫逾250點(diǎn)，不過(guò)，連日遭外資提款的雙雄，傳出有政府護(hù)盤(pán)苦撐，臺(tái)積電雖下跌，惟全場(chǎng)力撐平盤(pán)附近，聯(lián)電開(kāi)低后

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2010-05-21

聯(lián)電臺(tái)積電晶圓廠晶圓
聯(lián)電：庫(kù)存合理、歐洲債信影響不大，H2樂(lè)觀

聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉于今(20)日上午指出，目前包括8吋與12吋在內(nèi)的整個(gè)晶圓產(chǎn)能都呈現(xiàn)滿(mǎn)載，且新增產(chǎn)能也仍在持續(xù)開(kāi)出，由于本季以來(lái)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求還算強(qiáng)勁，加上盡管庫(kù)存有持續(xù)攀升跡象，惟尚屬于相當(dāng)合理

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2010-05-20

電子聯(lián)電 IC 晶圓
VLSI Research發(fā)布2010年度最佳芯片制造設(shè)備供應(yīng)商獎(jiǎng)

市場(chǎng)研究公司VLSI Research發(fā)布2010年度最佳芯片制造設(shè)備供應(yīng)商獎(jiǎng)，其中獎(jiǎng)項(xiàng)分為封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、材料運(yùn)送設(shè)備、工藝診斷設(shè)備和晶圓處理設(shè)備。此項(xiàng)調(diào)查為芯片廠商，如Intel、Samsung、Nvidia、Toshiba、TSMC、Gl

半導(dǎo)體
2010-05-19

芯片制造 LSI RESEARCH 晶圓
SEMI：Q1全球矽晶圓出貨量年增136%

根據(jù)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))最新公布的SMG(SiliconmanufacturersGroup)矽晶圓出貨報(bào)告，2010年第一季的矽晶圓出貨呈現(xiàn)持續(xù)成長(zhǎng)，較去年同期成長(zhǎng)達(dá)136%,創(chuàng)下2008年第三季以來(lái)的最高水準(zhǔn)。該報(bào)告指出，2010年

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-19

SEMI ENERGY GROUP 晶圓

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晶圓

新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

補(bǔ)助降、匯率貶下季歐洲太陽(yáng)能安裝成本上升

網(wǎng)絡(luò)電視紅晶圓雙雄補(bǔ)

GLOBALFOUNDRIES宣布在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體工廠

新型IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

世界級(jí)300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

世界級(jí) 300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

全球晶圓投資30億美元威脅聯(lián)電

全球晶圓產(chǎn)能將贏聯(lián)電

MEMC并購(gòu)Solaicx　取得低成本晶圓技術(shù)

高通示警晶圓雙雄罩烏云

MEMC購(gòu)并Solaicx取得低成本晶圓技術(shù)

MEMC購(gòu)并Solaicx　取得低成本晶圓技術(shù)

Semico：實(shí)現(xiàn)18吋晶圓生產(chǎn)之可能性顯著增加

印度太陽(yáng)能電池產(chǎn)能年內(nèi)將暴增近倍

傳南亞華亞提高預(yù)算以加速新制程量產(chǎn)

政府撐腰晶圓雙雄最勇

聯(lián)電：庫(kù)存合理、歐洲債信影響不大，H2樂(lè)觀

VLSI Research發(fā)布2010年度最佳芯片制造設(shè)備供應(yīng)商獎(jiǎng)

SEMI：Q1全球矽晶圓出貨量年增136%

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