不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要SOI晶圓供應(yīng)商表示，他們已經(jīng)為超薄襯底的SOI晶圓的規(guī)?；a(chǎn)做好了準(zhǔn)備。這些絕緣層上硅的厚度只有不到10納米，而且均勻性控制在艾米量級(jí)SOI晶圓對(duì)生產(chǎn)合格的全耗盡型晶體管是至關(guān)重要的。

SOI晶圓供應(yīng)聯(lián)盟的一位官員稱，SOI晶圓最終的生產(chǎn)成本和體硅晶圓相比還要低6%，這和英特爾資深研究人員Mark Bohr的評(píng)論相左。Mark Bohr在5月份英特爾推出22納米3-D 三柵極晶體管技術(shù)時(shí)表示，超薄襯底的SOI晶圓非常昂貴而且很難找到貨源。Mark Bohr稱，如果英特爾采用超薄襯底的SOI晶圓來(lái)實(shí)現(xiàn)3-D 三柵極晶體管，其晶圓的成本將增加10%。

目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圓制造下一代集成電路的主要推手。

研制高效的、成本合理的太陽(yáng)能電池是全球共同面臨的巨大挑戰(zhàn)。薩金特說(shuō)：“全球都需要轉(zhuǎn)化效率超過(guò)10%的太陽(yáng)能電池，并希望能顯著降低現(xiàn)有光伏組件的零售價(jià)。最新進(jìn)展提供了一條切實(shí)可行的道路，其能最大限度地捕捉太陽(yáng)發(fā)出的各種光線，有望提高轉(zhuǎn)化率并降低成本。”

薩金特希望，在5年內(nèi)，將這款新的分級(jí)重組層太陽(yáng)能電池整合入建筑材料、手機(jī)和汽車零件中。