晶體管
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MOSFET工作原理是什么？MOSFET管關(guān)斷過(guò)程的分析
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MOSFET的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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如何提高晶體管的穩(wěn)定性？晶體管h參數(shù)解讀！
在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)晶體管的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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BJT的工作原理是什么？BJT延時(shí)的產(chǎn)生機(jī)理是什么？
一直以來(lái)，BJT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)BJT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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IGBT工作原理詳解！分析IGBT模塊過(guò)電流損壞是如何造成的！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)IGBT的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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100多億個(gè)晶體管怎么裝進(jìn)去小芯片？
芯片確實(shí)是人類(lèi)一個(gè)偉大的發(fā)明，只有用芯片才能把CPU的體積做得很小，海量的CPU集成在一起，才能夠制造出超級(jí)并行計(jì)算機(jī)。
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緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領(lǐng)先的DC-DC轉(zhuǎn)換器
【2024年8月16日，德國(guó)慕尼黑訊】直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車(chē)內(nèi)燈、雨刮和車(chē)窗電機(jī)、風(fēng)扇，以及48 V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。此外，DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)于開(kāi)發(fā)更多具有低壓功能的經(jīng)濟(jì)節(jié)能車(chē)型也十分重要。
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功耗降低、性能提升！我國(guó)科學(xué)家發(fā)明新型“熱發(fā)射極”晶體管
8月15日消息，大家都知道，晶體管是集成電路的基本單元，是如今時(shí)代不可或缺的元件之一。
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什么是IGBT？IGBT與快恢復(fù)二極管的匹配技術(shù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器在各種電子電路中的應(yīng)用
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種電子設(shè)備，用于控制金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的開(kāi)關(guān)操作。它提供所需的電壓和電流來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET，確保其能夠快速、準(zhǔn)確地切換。
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功率MOSFET結(jié)構(gòu)及參數(shù)解讀！
在這篇文章中，小編將對(duì)功率MOSFET的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管
【2024年7月11日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場(chǎng)上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢(shì)結(jié)合，它們能夠在消費(fèi)類(lèi)充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲(chǔ)等眾多應(yīng)用中發(fā)揮出色的性能。
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列
【2024年7月9日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴(kuò)大CoolGaNTM的優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場(chǎng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測(cè)，未來(lái)五年GaN器件市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到46%。
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柵極電荷測(cè)量原理圖解析，十分有料！
在這篇文章中，小編將對(duì)MOS晶體管柵極電荷測(cè)量的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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探討晶體管加偏置的理由，以及偏置大小的決定因素
在這篇文章中，小編將對(duì)晶體管偏置的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)晶體管偏置的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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運(yùn)算放大器得力助將：跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)
在這篇文章中，小編將對(duì)運(yùn)算放大器需具備的真正跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)予以介紹，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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3nm擴(kuò)增三倍！臺(tái)積電成功開(kāi)發(fā)CFET晶體管架構(gòu)
業(yè)內(nèi)消息，臺(tái)積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)在2024技術(shù)論壇上宣布，臺(tái)積電已成功集成不同晶體管架構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)室做出CFET（互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），臺(tái)積電今年 3nm 制程工藝將擴(kuò)增三倍。
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一種高效小型化的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。
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Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
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抗飽和晶體管原理
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等)，它具有檢測(cè)、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能。作為交流斷路器，晶體管可以根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。
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英飛凌推出業(yè)界首款用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的寬輸入電壓熱插拔控制器XDP700-002，擴(kuò)展了其XDP?數(shù)字功率保護(hù)控制器系列
【2024年4月10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了業(yè)界首款-48 V寬輸入電壓數(shù)字熱插拔控制器XDP700-002，擴(kuò)展了其XDP?數(shù)字功率保護(hù)控制器系列。這款控制器具有專(zhuān)為電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)的可編程安全工作區(qū)域(SOA)控制功能，以及不超過(guò)±0.7%的超低電流報(bào)告誤差，能提高系統(tǒng)故障檢測(cè)和報(bào)告的準(zhǔn)確性。此外，該產(chǎn)品還采用升壓模式控制技術(shù)，可在非最佳SOA系統(tǒng)中更安全地開(kāi)啟場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。這一XDP?產(chǎn)品系列的新成員專(zhuān)為各種電信應(yīng)用量身定制，包括遠(yuǎn)程無(wú)線電頭端電源、基站配電、有源和無(wú)源天線系統(tǒng)、5G小型蜂窩基站電源，和電信 UPS 系統(tǒng)。
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