絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
【2025年5月26日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動(dòng)雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)——650 V CoolGaN? G5雙向開(kāi)關(guān)(BDS)。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計(jì)和雙柵極結(jié)構(gòu),是一款使用英飛凌強(qiáng)大柵極注入晶體管(GIT)技術(shù)和CoolGaN?技術(shù)的單片雙向開(kāi)關(guān),能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開(kāi)關(guān)。
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電路中。從智能手機(jī)到計(jì)算機(jī)主板,從電源管理到功率放大,MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而,對(duì)于許多電子技術(shù)初學(xué)者甚至部分從業(yè)者來(lái)說(shuō),MOS 管的導(dǎo)通條件始終是一個(gè)令人困惑的問(wèn)題。本文將深入探討 MOS 管的導(dǎo)通條件,揭開(kāi)其神秘的面紗。
兩級(jí)功放通常由驅(qū)動(dòng)級(jí)和末級(jí)組成。驅(qū)動(dòng)級(jí)的作用是將輸入信號(hào)進(jìn)行初步放大,為末級(jí)功放提供足夠的激勵(lì)信號(hào);末級(jí)功放則負(fù)責(zé)將驅(qū)動(dòng)級(jí)送來(lái)的信號(hào)進(jìn)一步放大,以輸出足夠的功率驅(qū)動(dòng)負(fù)載。不同類(lèi)型的功放,如 A 類(lèi)、B 類(lèi)、AB 類(lèi)等,其工作原理和性能特點(diǎn)有所不同。例如,A 類(lèi)功放的晶體管在整個(gè)信號(hào)周期內(nèi)均導(dǎo)通,具有良好的線性度,但效率較低;B 類(lèi)功放的晶體管僅在半個(gè)信號(hào)周期內(nèi)導(dǎo)通,效率較高,但存在交越失真;AB 類(lèi)功放則結(jié)合了 A 類(lèi)和 B 類(lèi)的優(yōu)點(diǎn),在一定程度上兼顧了線性度和效率。了解這些基本原理,有助于在測(cè)試中分析和判斷驅(qū)動(dòng)級(jí)可能出現(xiàn)的問(wèn)題及其對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。
【2025年5月15日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車(chē)的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢(shì)的持續(xù),預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮?huì)快速增長(zhǎng)。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊,進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺(tái),專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動(dòng)汽車(chē)充電樁等大功率應(yīng)用開(kāi)發(fā)。它能滿足日益增長(zhǎng)的高性能需求,提供更大的易用性,幫助客戶(hù)加快設(shè)計(jì)進(jìn)程,縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)用于有源光學(xué)和顯示器的柔性有機(jī)電子產(chǎn)品領(lǐng)先企業(yè) FlexEnable宣布,其 FlexiOM? 有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)材料榮獲國(guó)際信息顯示學(xué)會(huì)(Society of Information Display, SID)頒發(fā)的 “2025年度最佳顯示組件獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在表彰上一年度投放市場(chǎng)的最佳顯示器、組件和應(yīng)用。
這是PIC編程系列的第4個(gè)教程,今天我們將制作我們自己的PICKIT 2克隆版本。因?yàn)樵瓉?lái)的PIC套件太貴了,由于它的保護(hù)系統(tǒng)和沉重的硬件。是時(shí)候設(shè)計(jì)一個(gè)克隆PIC套件版本2了。這是一個(gè)開(kāi)源項(xiàng)目,已經(jīng)在市場(chǎng)上可用。你也可以從亞馬遜的鏈接上買(mǎi)到。但是關(guān)于正確的引導(dǎo)加載程序和硬件的信息非常混亂,沒(méi)有人在互聯(lián)網(wǎng)上給出適當(dāng)?shù)男畔?。我將提供所有的硬件文件,軟件鏈接和引?dǎo)程序文件在同一地方,使其更容易理解和DIY。有很多網(wǎng)站在網(wǎng)上賣(mài)這個(gè),也有一些高級(jí)的選擇。
由于科技不斷地發(fā)展,晶體管的出現(xiàn),上世紀(jì)六、七十年代電子管被晶體管的強(qiáng)大洪流沖走。
2025年4月22日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手Analog Devices, Inc. (ADI)和Amphenol推出了一本電子書(shū),探討先進(jìn)連接和半導(dǎo)體器件在推動(dòng)航空業(yè)發(fā)展方面所發(fā)揮的主要作用。
【2025年4月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì),降低了用料成本。
這個(gè)簡(jiǎn)單但功能強(qiáng)大的組件測(cè)試儀可以識(shí)別和測(cè)試各種電子元件,包括LED,晶體管,電感,電容器和二極管。對(duì)于電子愛(ài)好者、學(xué)生和專(zhuān)業(yè)人士來(lái)說(shuō),它是一個(gè)必不可少的工具,他們需要一種快速有效的方法來(lái)診斷組件。
開(kāi)關(guān)頻率其值大小就取決于調(diào)制波和載波的交點(diǎn) 。開(kāi)關(guān)頻率越高,一個(gè)周期內(nèi)脈沖的個(gè)數(shù)就越多,電流波形的平滑性就越好,但是對(duì)其它設(shè)備的干擾也越大。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,比較追求高的開(kāi)關(guān)頻率,開(kāi)關(guān)頻率在數(shù)百kHz至數(shù)MHz的開(kāi)關(guān)電源已有使用。
大多數(shù)運(yùn)算放大器(op amp)電路的增益水平是固定的。但在很多情況下,能夠改變?cè)鲆鏁?huì)更有優(yōu)勢(shì)。一個(gè)簡(jiǎn)單的辦法是在固定增益的運(yùn)放電路輸出端連接一個(gè)電位計(jì)來(lái)調(diào)節(jié)增益。不過(guò),有時(shí)直接改變放大器電路自身的增益可能更加有用。
“拔掉資本主義,扎根現(xiàn)實(shí)”是一種虛擬現(xiàn)實(shí)體驗(yàn),由地球本身提供動(dòng)力,利用土壤電池產(chǎn)生能量。當(dāng)佩戴VR頭顯時(shí),用戶(hù)經(jīng)歷了數(shù)字化轉(zhuǎn)型,成為一棵樹(shù)或一棵植物,完全沉浸在一種沒(méi)有資本主義需求的存在中。
以下內(nèi)容中,小編將對(duì)MOSFET的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述,希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)MOSFET的了解,和小編一起來(lái)看看吧。
在這篇文章中,小編將為大家?guī)?lái)晶體三極管的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
【2025年2月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類(lèi)型和尺寸各異,產(chǎn)品十分零散,客戶(hù)缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題,全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V(IGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN? G3 80V(IGE033S08S1)高性能GaN晶體管。
三種測(cè)試工具集于一身,在工具箱中只占用很小的空間,甚至你的襯衫口袋也只有一張名片那么大。
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電路的功率控制與信號(hào)切換。當(dāng) MOS 管用于控制電阻分壓電路的關(guān)斷時(shí),有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓過(guò)沖現(xiàn)象,這不僅可能導(dǎo)致電路中其他元件的損壞,還會(huì)影響整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。深入探究 MOS 管控制電阻分壓關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)過(guò)沖的原因,對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、保障電路正常運(yùn)行具有重要意義。
電子管的優(yōu)點(diǎn)是它的功率損失小,低頻噪聲小,耐受電壓高,穩(wěn)定性好,可靠性高,可以提供較大的輸出電流,而且可以用于高頻的電路。 電子管負(fù)載能力強(qiáng),線性性能優(yōu)于晶體管,工作頻率高,高頻大功率領(lǐng)域的工作特性要比晶體管更好,在大功率無(wú)線電發(fā)射設(shè)備,高頻介質(zhì)加熱設(shè)備方面繼續(xù)發(fā)揮著不可替代的作用。 電子管具有非常高的穩(wěn)定性和可靠性,可以提供更穩(wěn)定的輸出信號(hào)。