晶體管
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恒流源電路的幾種主要形式和主要應(yīng)用
恒流源電路作為電子技術(shù)中的一個重要組成部分，其穩(wěn)定性和可靠性對電路的性能和設(shè)備的運(yùn)行具有至關(guān)重要的作用。隨著科技的不斷發(fā)展，恒流源電路的形式和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷拓展和深化。本文將詳細(xì)探討恒流源電路的幾種主要形式及其主要應(yīng)用，以期為讀者提供深入的理解和全面的認(rèn)識。
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數(shù)字晶體管的作用
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)字電路已成為現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的核心組成部分。在數(shù)字電路中，數(shù)字晶體管作為一種重要的開關(guān)元件，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將詳細(xì)探討數(shù)字晶體管的基本概念、工作原理、主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢，以期對讀者深入理解數(shù)字晶體管的作用提供有益的參考。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用，能實現(xiàn)更高能效和更佳性能
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英飛凌與安克聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心，攜手發(fā)力PD快充領(lǐng)域并推動節(jié)能減碳
【2024年1月25日，德國慕尼黑和中國深圳訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX /OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其與全球充電技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該創(chuàng)新應(yīng)用中心全面投入運(yùn)營之后，將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路，從而推動低碳化進(jìn)程。
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IGBT模塊的作用是什么？
IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著重要的角色，它是一種基于絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模塊。IGBT模塊的作用是將電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換和控制，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動、電網(wǎng)電源、風(fēng)電、光伏、電動汽車等多個領(lǐng)域。
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臺積電首提1nm工藝，實現(xiàn)1萬億晶體管的單個芯片封裝
業(yè)內(nèi)消息，近日臺積電在IEDM 2023會議上制定了提供包含1萬億個晶體管的芯片封裝路線，來自單個芯片封裝上的3D封裝小芯片集合，與此同時臺積電也在開發(fā)單個芯片2000億晶體管，該戰(zhàn)略和英特爾類似。
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作為“燃燈者”的芯耀輝：推動國內(nèi)高速Chiplet接口IP不斷破局
毋庸置疑的是，與“摩爾定律”緊密相關(guān)單芯片晶體管數(shù)量和工藝幾何尺寸演進(jìn)正在迎來一個“奇點時刻”。與此同時，終端應(yīng)用的高算力需求依然在不斷推高單芯片Die尺寸，在光罩墻的物理性制約之下，眾多芯片設(shè)計廠商在芯片工藝與良率的流片成本以及嚴(yán)苛的上市時間的平衡度上正在遭遇越來越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
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英特爾是如何實現(xiàn)玻璃基板的？
在今年9月，英特爾宣布率先推出用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，并計劃在未來幾年內(nèi)向市場提供完整的解決方案，從而使單個封裝內(nèi)的晶體管數(shù)量不斷增加，繼續(xù)推動摩爾定律，滿足以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用的算力需求。
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北大研究團(tuán)隊突破 90nm 碳納米晶體管
業(yè)內(nèi)消息，上周北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊研究出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管，該技術(shù)可使碳納米晶體管工藝高度集成，并在該基礎(chǔ)上探索將碳基晶體管進(jìn)一步縮減到 10nm 節(jié)點的可能性。
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意法半導(dǎo)體GaN 驅(qū)動器集成電流隔離功能，具有卓越的安全性和可靠性
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
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ST VIPERGAN5065100系列高壓氮化鎵轉(zhuǎn)換器，支持最高100W輸出功率
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器，可在寬范圍工作電壓（9 V至23 V）中分別提供50 W、65 W和高達(dá)100 W的功率。我們還推出了EVLVIPGAN100PD，這是我們首款用于USB-PD應(yīng)用的VIPERGAN100評估板。VIPerGaN器件使用650V氮化鎵（GaN）晶體管，這意味著在自適應(yīng)突發(fā)模式開啟時，待機(jī)模式下的功耗低于30 mW。QFN 5 mmx6 mm封裝也使其在業(yè)內(nèi)同等功率輸出中擁有較小的封裝尺寸。
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1530 億晶體管！AMD 全新 AI 芯片欲單殺英偉達(dá)
據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，昨天在美國舊金山舉行的數(shù)據(jù)中心與人工智能技術(shù)發(fā)布會上，AMD 正式發(fā)布了新一代的面向 AI 及 HPC 領(lǐng)域的 GPU 產(chǎn)品 Instinct MI 300 系列，欲在 AI 芯片領(lǐng)域單殺英偉達(dá)。
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光刻機(jī)將成為歷史！麻省理工華裔研究出 2D 晶體管，輕松突破 1nm 工藝！
眾所周知，光刻機(jī)作為芯片生產(chǎn)過程中的最主要的設(shè)備之一，其重要性不言而喻。先進(jìn)的制程工藝完全依賴于先進(jìn)的光刻機(jī)設(shè)備，比如現(xiàn)階段臺積電最先進(jìn)的第二代 3nm 工藝，離不開 EUV 光刻機(jī)。然而，前不久麻省理工學(xué)院(MIT)華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維(2D)材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有 3 個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數(shù)提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
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英特爾代工業(yè)務(wù)與 Arm 宣布展開合作，涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計
此次合作將為芯片設(shè)計者們帶來 Arm 內(nèi)核與英特爾埃米時代的制程工藝技術(shù)的強(qiáng)大組合
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Intel 18A/20A工藝流片，多家潛在客戶將測試
因為工藝問題在產(chǎn)品上受挫后，Intel在新CEO帕特基辛格帶領(lǐng)下，提出了IDM 2.0戰(zhàn)略，不僅修訂了制程路線圖，目標(biāo)四年五個節(jié)點，還開放IFS代工服務(wù)，競爭臺積電、三星等。
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泰克助力VisIC Technologies公司推動電動汽車動力系統(tǒng)技術(shù)進(jìn)步
隨著世界各國都在努力降低碳排量，電動汽車（EV）的市場容量正不斷擴(kuò)大。推動這一增長的關(guān)鍵因素將是最大限度地減少電動汽車動力系統(tǒng)的開關(guān)損耗，并通過使用更小、續(xù)航時間更長的電池來實現(xiàn)顯著的效率提升。正因如此，VisIC Technologies公司倡導(dǎo)采用氮化鎵（GaN）功率晶體管，并使用泰克強(qiáng)大的測試設(shè)備來確保實現(xiàn)杰出的性能。
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EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET，實現(xiàn)高效靈活設(shè)計
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100V、150 V和200 V的6個GaN晶體管系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易于設(shè)計的DC/DC 轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機(jī)驅(qū)動器。
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郭明錤再爆A17芯片細(xì)節(jié)，晶體管密度提升70%
據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日天風(fēng)國際證券分析師郭明錤發(fā)表信息表示，全新一代的A17仿生芯片不出意外的話將出現(xiàn)在iPhone 15系列的兩個Pro版本上，該芯片將采用目前最先進(jìn)的3nm制程工藝，晶體管密度提升70%。
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過渡金屬二硫化物成為未來晶體管開發(fā)的重要材料
電子工程師不斷嘗試開發(fā)更薄、更高效和性能更好的晶體管，這是大多數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心半導(dǎo)體器件。為此，他們一直在評估各種材料的潛力。過渡金屬二硫化物 (TMD) 是一種基于過渡金屬和硫?qū)僭氐幕衔?，具有非常有吸引力的電子和機(jī)械性能，使其成為開發(fā)未來幾代晶體管的有前途的候選者。最值得注意的是，它們具有原子級薄結(jié)構(gòu)，沒有懸空鍵和類似于硅的帶隙。
