一直以來，BJT都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞡JT的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。

一、工作原理

BJT的工作原理基于PN結的正向導通特性和載流子濃度的擴散作用。當給BJT的發(fā)射結施加正向電壓（即發(fā)射結正偏），同時給基極施加一個較小的正向電壓，使得發(fā)射區(qū)的電子被激發(fā)到基區(qū)。由于基區(qū)是P型半導體，電子在基區(qū)內(nèi)會與空穴復合，從而形成一個正向電流。這個正向電流被稱為IB。

當基極電流IB增加時，基區(qū)的載流子濃度也會增加。由于基區(qū)與集電區(qū)之間的PN結是反向偏置的，所以集電區(qū)的載流子濃度較低。然而，由于基區(qū)的載流子濃度較高，一部分載流子會通過擴散作用進入集電區(qū)。這個過程使得集電極電流IC逐漸增加。

當集電極電流IC增加到一定值時，它會產(chǎn)生一個反向電壓降，使得發(fā)射結的正向電壓減小。這將導致發(fā)射區(qū)的載流子濃度降低，從而減小了基極電流IB。這個過程形成了一個負反饋回路，使得BJT工作在一個穩(wěn)定的放大狀態(tài)。

二、BJT延時的產(chǎn)生機理是什么

類似于下圖，晶體管從截止狀態(tài)切換到導通狀態(tài)，輸出out會立即響應，但晶體管處于導通狀態(tài)時有基極電流流過，所以在基區(qū)內(nèi)積累有電子，此時晶體管從導通切換到關閉狀態(tài)，基區(qū)內(nèi)的電子并不能立即消失（電荷儲存），而且在基極限流電阻的作用下，也不會馬上從基區(qū)取出全部電子，這就造成導通到關閉存在時間滯后。在開關調(diào)節(jié)器之類的負載高速開關的應用中，這種時間滯后是很不利的。

圖：NPN的常見使用電路

這里其實有兩個時間需要注意，一個是延時，一個是緩時。如下圖是輸出Vout相對于輸入Vin的響應延時，Vin從低到高，Vout會及時響應，速度快。

圖：輸入輸出之間的響應延時

但Vin從高到低，Vout會隔一段延時才能響應，下圖則演示了輸出Vout本身的上升時間差異，即緩時。

上升波形不陡峭的原因一般是由于R1與晶體管密勒效應構成低通濾波器的緣故，增大了晶體管輸入電容，與電荷存儲效應沒有關系。

圖：上升速度的差異

以上就是小編這次想要和大家分享的有關BJT的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。