晶體管
-
三星計劃2025年量產(chǎn)2nm工藝：基于MBCFET、與IBM?2nm不同
在先進半導體工藝上，臺積電目前是無可爭議的老大，Q3季度占據(jù)全然53%的晶圓代工份額，三星位列第二，但份額只有臺積電的1/3，所以三星押注了下一代工藝，包括3nm及未來的2nm工藝。根據(jù)三星的計劃，3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術(shù)，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個版...
-
絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
-
雙極性晶體管的發(fā)展及分析方法
1947年12月，貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·布喇頓在威廉·肖克利的指導下共同發(fā)明了點接觸形式的雙極性晶體管。
-
磁敏二極管概述
在鍺磁敏晶體管的發(fā)射極一側(cè)用噴砂方法損傷一層晶格，設(shè)置載流子復合速率很大的高復合區(qū)r，而在硅磁敏晶體管中未設(shè)置高復合區(qū)。鍺磁敏晶體管具有板條狀結(jié)構(gòu)，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)分別設(shè)置在板條的兩面，而基極設(shè)置在另一側(cè)面上。硅磁敏晶體管具有平面結(jié)構(gòu)，基極均設(shè)置在硅片表面。磁敏晶體管的一個主要特點是基區(qū)寬度W大于載流擴散長度，因此它的共發(fā)射極電流放大系數(shù)小于1，無電流增益能力。另外，發(fā)射極-基區(qū)-基極是NPP 型或P NN 型長二極管，即NPP 型或PNN 型磁敏二極管。因此，磁敏晶體管是在磁敏二極管的基礎(chǔ)上設(shè)計的長基區(qū)晶體管。
-
晶體管簡介及分類
晶體管，本名是半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。
-
晶體管優(yōu)勢及發(fā)展
同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性。
-
晶體管簡述及歷史
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。
-
電子芯片及其概述
成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。
-
ASIC簡介及特點
在集成電路界ASIC被認為是一種為專門目的而設(shè)計的集成電路。是指應(yīng)特定用戶要求和特定電子系統(tǒng)的需要而設(shè)計、制造的集成電路。ASIC的特點是面向特定用戶的需求，ASIC在批量生產(chǎn)時與通用集成電路相比具有體積更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增強、成本降低等優(yōu)點。集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。
-
電子元器件的發(fā)展史
電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。
-
諧振功率放大器的技術(shù)指標
該電路由高頻大功率晶體管VT、LC諧振回路和直流饋電電源組成。改變基極的直流電源電壓UBB可以改變放大器的工作類型，該電路設(shè)置在丙類工作狀態(tài)。實際負載RL通過變壓器耦合到諧振回路。濾波匹配網(wǎng)絡(luò)L、C構(gòu)成并聯(lián)諧振回路，調(diào)諧在輸入信號頻率上，作為晶體管集電極負載，濾除高頻脈沖電流ic中的諧波分量，同時實現(xiàn)阻抗匹配。
-
電子管發(fā)展歷史
發(fā)明大王托馬斯·愛迪生正在為尋找電燈泡最佳燈絲材料，曾做過一個小小的實驗。他在真空電燈泡內(nèi)部碳絲附近安裝了一小截銅絲，希望銅絲能阻止碳絲蒸發(fā)。
-
晶體管的工作條件和構(gòu)造原理
晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。
-
晶體管介紹
元件——晶體管的收音機.雖然人們對這架收音機顯露出濃厚的興趣.
-
東芝發(fā)布旗下首款200V晶體管輸出車載光耦
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出一款高壓晶體管輸出車載光耦---“TLX9188”，用于包括電動汽車在內(nèi)的汽車設(shè)備的信號隔離通信。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。TLX9188的高壓光電晶體管提供了200V的集電機-發(fā)射極...
-
埃賦隆推出400W堅固耐用的Doherty射頻功率晶體管，據(jù)此擴展LDMOS基站和多載波產(chǎn)品線
此Doherty晶體管專為在2.496GHz至2.690GHz頻率范圍內(nèi)工作的基站多載波應(yīng)用而設(shè)計，其采用了埃賦隆備受業(yè)界推崇的第9代28V LDMOS工藝技術(shù)。
-
晶體管是什么器件
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，所以開關(guān)速度可以非?？欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。
-
晶體管工作原理
電流互感器原理是依據(jù)電磁感應(yīng)原理的。電流互感器是由閉合的鐵心和繞組組成。它的一次繞組匝數(shù)很少，串在需要測量的電流的線路中，因此它經(jīng)常有線路的全部電流流過，二次繞組匝數(shù)比較多，串接在測量儀表和保護回路中，電流互感器在工作時，它的二次回路始終是閉合的，因此測量儀表和保護回路串聯(lián)線圈的阻抗很小，電流互感器的工作狀態(tài)接近短路。
-
平頭哥重磅發(fā)布自研芯片！600億晶體管、5納米！
EETOP?10月19日消息，在今日舉行的2021云棲大會上，阿里巴巴旗下半導體公司平頭哥重磅發(fā)布了自研云芯片-倚天710。據(jù)官方介紹，該芯片是業(yè)界性能最強的ARM服務(wù)器芯片，從SPECInt2017基礎(chǔ)測試平臺跑分達到440分，超出業(yè)界標桿20%，能效比優(yōu)于業(yè)界標桿50%，能有...
-
ADALM2000實驗：穩(wěn)定電流源
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
