晶體管
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如何正確的啟動晶體管工作
有一天，我的老板讓我和他一起在會議室會見一些來自公共交通汽車制造商的人。他說他們的其中一個供應(yīng)商的產(chǎn)品有問題，并請求我們提供幫助
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重磅！三星首發(fā)全柵極場效應(yīng)晶體管！
據(jù)韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。
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意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性
2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
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CPU出現(xiàn)于大規(guī)模集成電路時代，52年來CPU芯片發(fā)生了什么？
中央處理器(central processing unit，簡稱CPU)作為計算機(jī)系統(tǒng)的運算和控制核心，是信息處理、程序運行的最終執(zhí)行單元。CPU自產(chǎn)生以來，在邏輯結(jié)構(gòu)、運行效率以及功能外延上取得了巨大發(fā)展。
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蘋果M2正式發(fā)布：5nm工藝制造，集成200多億個晶體管
M1、M1 Pro、M1 Max、M1 Ultra之后，蘋果終于推出了Apple Silicon自研處理器的第二代——M2。
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芯片制造到底有多難？為何說造CPU比造原子彈還難？
世界上第1臺計算機(jī)的大小相當(dāng)于一座小房子，而現(xiàn)在指甲蓋大小的CPU的計算性能就已遠(yuǎn)超那時。之所以會有如此翻天覆地的變化，這主要得益于單位面積上集成的晶體管數(shù)量越來越多。
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應(yīng)用材料公司以技術(shù)助力極紫外光和三維環(huán)繞柵極晶體管實現(xiàn)二維微縮
2022 年 4 月 21 日，加利福尼亞州圣克拉拉市——應(yīng)用材料公司推出了旨在幫助客戶利用極紫外光(EUV)繼續(xù)推進(jìn)二維微縮的多項創(chuàng)新技術(shù)，并詳細(xì)介紹了業(yè)內(nèi)最廣泛的下一代三維環(huán)繞柵極晶體管制造技術(shù)的產(chǎn)品組合。
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7nm 600億晶體管中國芯 首顆國產(chǎn)“3D封裝”研發(fā)成功
據(jù)悉，中國已研發(fā)出首顆“3D封裝”芯片，這意味著中國首顆7nm芯片誕生!所謂的“3D封裝”芯片，此前泛指臺積電生產(chǎn)技術(shù)，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，“3D封裝”芯片突破了7nm工藝極限，集成了600億晶體管。
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摩爾定律已死？英特爾：仍可繼續(xù)推動晶體管微縮創(chuàng)新
摩爾定律的本質(zhì)是創(chuàng)新，我們可以自信地說創(chuàng)新將永不止步
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針對PLC的故障及其常見的維修方法
在日常生活與學(xué)習(xí)中，我們經(jīng)常會受到PLC損壞或者故障不能正常使用的困擾，我們可能會選擇尋找專業(yè)人員進(jìn)行維修，或者是在換一個新的產(chǎn)品，但這些操作將會導(dǎo)致我們的時間浪費，經(jīng)濟(jì)的損失或者是工作亦或是學(xué)習(xí)效率的下降。
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Ampleon為5G NR和4G LTE宏基站應(yīng)用提供緊湊型多級Doherty MMIC驅(qū)動器，借此擴(kuò)展無隔離器的6GHz以下產(chǎn)品線
荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）利用先進(jìn)的LDMOS晶體管技術(shù)，推出了B11G3338N80D推挽式3級全集成Doherty射頻晶體管——該晶體管是GEN11 Macro驅(qū)動器系列的載體產(chǎn)品，涵蓋所有6GHz以下頻段。這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率范圍，可實現(xiàn)下一代大功率和具有市場領(lǐng)先效率的宏基站。
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Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度
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搞清楚電子管的往事今生，電子管發(fā)展歷程介紹
你知道電子管的發(fā)展歷史是怎樣的嗎?電子管是哪一年研制出來的?如果你對電子管抑或是對電子管的發(fā)展歷史具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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意法半導(dǎo)體雙通道高邊開關(guān)為容性負(fù)載驅(qū)動設(shè)計帶來更多靈活性
2022年2月14日，中國 – 意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動高邊開關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個限流值，適用于啟動電流很大的容性負(fù)載。
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晶體管的歷史
由于點接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。
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晶體管概述
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。
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Intel關(guān)鍵新突破：晶體管縮小50％、封裝密度提升10倍
在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會議)上，Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學(xué)方面的關(guān)鍵技術(shù)新突破，可推動摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，超越未來十年。
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為增強(qiáng)模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能，羅姆集團(tuán)馬來西亞工廠投建新廠房
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆和羅姆和光株式會社決定在馬來西亞的子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.投建新廠房，以增強(qiáng)市場需求日益增長的模擬LSI和晶體管的產(chǎn)能。
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英特爾技術(shù)發(fā)力：著眼10倍封裝密度提升，30%~50%晶體管密度提升，布局非硅基半導(dǎo)體
英特爾的目標(biāo)是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導(dǎo)體。
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集成芯片
集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。
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一路向北lm
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