封裝
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TI實現(xiàn)硅芯片組件嵌入PCB 較傳統(tǒng)封裝減薄50%
德州儀器 (TI) 宣布推出采用 PicoStar(TM) 封裝的集成電路 (IC)，力助便攜式消費類電子產(chǎn)品設計人員大幅節(jié)省板級空間。該超薄型封裝細如發(fā)絲，是業(yè)界率先可幫助系統(tǒng)設計人員將硅芯片組件嵌入印刷電路板 (PCB) 的先進
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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日月光獲英特爾南橋芯片大部訂單
全球最大晶片龍頭英特爾(Intel)今年初開始關閉不具有經(jīng)濟效益的封測廠，業(yè)界傳出，英特爾評估將全面放出南橋芯片(south bridge)的封裝代工訂單，并由全球最大封測廠日月光囊括絕大部分訂單，對日月光本季及下半年營
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全新系列功率MOSFET晶體管（ST）
意法半導體（ST）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，電能損耗更低，特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950
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日月光獲英特爾南橋芯片大部分訂單
全球最大晶片龍頭英特爾(Intel)今年初開始關閉不具經(jīng)濟效益的封測廠，業(yè)界傳出，英特爾評估將全面釋出南橋芯片(south bridge)的封裝代工訂單，并由全球最大封測廠日月光囊括絕大部分訂單，對日月光本季及下半年營運將
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便攜式充電設備開關（Diodes）
Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。新 MOSFET 系列
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雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
亞信電子(ASIX Electronics)近日宣布將針對嵌入式以太網(wǎng)應用，新增二款采用LQFP 80引腳小型封裝(10x10mm)的雙網(wǎng)口以太網(wǎng)控制芯片：AX88782及AX88613。該組芯片可設定為網(wǎng)管型二層交換模塊，其第三個網(wǎng)絡端口可連接至
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燈飾企業(yè)：內(nèi)銷三年未過10%這道坎
全球最大的裝飾燈企業(yè)在全球最大的消費市場卻一直困頓不前 營銷篇 “現(xiàn)在我有點怕了，不太想做銀雨的經(jīng)銷商了，即便將來再合作，我也要慎重考慮！”景德鎮(zhèn)永順安裝有限公司總經(jīng)理劉波，在電話中語調(diào)疲憊地告訴記者。
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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全新系列功率MOSFET晶體管（ST）
意法半導體（ST）推出全新系列功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品的擊穿電壓更高，抗涌流能力更強，電能損耗更低，特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品的高能效電源。STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950
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雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
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雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
雙網(wǎng)口百兆以太網(wǎng)控制芯片（亞信電子）
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差分模擬霍爾效應傳感器（Allegro）
Allegro MicroSystems 公司推出差分模擬霍爾效應傳感器，可響應不斷變化的磁場而進行開關操作。此款新器件的 EMC 能力增強，通過減少其外部組件數(shù)目且在某些情況下消除 PCB 模塊，將確保用戶優(yōu)化其成品傳感器模塊。元
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新款全橋式MOSFET預驅(qū)動器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預驅(qū)動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
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Vishay推出采用可表面貼裝的模壓封裝液鉭電容器
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35，新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
