封裝
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深思：2008后中國(guó)半導(dǎo)體照明業(yè)發(fā)展
第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于12月1日到3日在廣州召開(kāi)，會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成電路分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，是國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件方面最高級(jí)別的學(xué)術(shù)會(huì)議
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堅(jiān)守：2009年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)主旋律
多事之秋的2008年再有一天就要過(guò)去了，而充滿更大風(fēng)浪的2009年馬上就要來(lái)臨。繼一波一波裁員降薪之后，全球半導(dǎo)體業(yè)仍將保持一段時(shí)間的動(dòng)蕩。相比較吃飯穿衣這些生活必需品，當(dāng)電子消費(fèi)品已經(jīng)排在了消費(fèi)者消費(fèi)清單的尾部時(shí)，銷售下滑趨勢(shì)向上游零部件的傳遞，在2009年才剛剛開(kāi)始。也就是說(shuō)，如今半導(dǎo)體零部件企業(yè)的舉措，僅僅是建立在對(duì)未來(lái)判斷的基礎(chǔ)上的，而屆時(shí)市場(chǎng)情況究竟有多糟糕，現(xiàn)在誰(shuí)也不得而知。
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封
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全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。 新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封
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LED行業(yè)需求不斷增長(zhǎng)
LED(半導(dǎo)體照明)是一種新型固態(tài)冷光源，它具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、體積小、可靠性高等特點(diǎn)。科技部已批準(zhǔn)上海、大連、南昌、廈門(mén)、深圳五個(gè)LED產(chǎn)業(yè)化基地，按這五大基地預(yù)計(jì)目標(biāo)，2010年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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全新封裝XS1-G4可編程器件（XMOS）
XMOS日前推出了其G4可編程器件的一款新型封裝形式，它是XS1-G4系列的第一款產(chǎn)品。該款新型144管腳BGA的封裝形式是專為要求較小外形（11mm2）的各種系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，其0.8mm的球間距是小巧型設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)單PCB布局的理想之選。
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DRAM產(chǎn)業(yè)處于冰河期 下游封測(cè)廠受到影響
集邦科技(DRAMeXchange)表示，DRAM產(chǎn)業(yè)正處于冰河時(shí)期，DRAM紛紛降低制造成本、鼓勵(lì)員工休假甚至減少投片量來(lái)順應(yīng)這波的不景氣，而下游的封測(cè)產(chǎn)業(yè)也受到影響。 集邦指出，DRAM產(chǎn)業(yè)嚴(yán)重供過(guò)于求，再加上全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
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全新封裝XS1-G4可編程器件（XMOS）
XMOS日前推出了其G4可編程器件的一款新型封裝形式，它是XS1-G4系列的第一款產(chǎn)品。該款新型144管腳BGA的封裝形式是專為要求較小外形（11mm2）的各種系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，其0.8mm的球間距是小巧型設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)單PCB布局的理想之選。
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