國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù),可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負(fù)載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數(shù)目,滿足不同應(yīng)用的要求?!?/p>
單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個 N通道器件也可在高量產(chǎn)時實現(xiàn)優(yōu)化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,可以不含鹵素。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日,國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項目評審和論證,在開放計算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會(OCTC)獲批立項。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位,將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字: OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵磁電流,當(dāng)勵磁關(guān)閉時,續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時,使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管