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蜂窩網(wǎng)絡(luò)趨勢(shì)引領(lǐng)新工藝前景方向
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅
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硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型
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Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展學(xué)習(xí)資料
Keil C51對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展學(xué)習(xí)資料
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硅襯底，躋身主流待何時(shí)？
襯底作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，襯底材料的選用直接決定了LED芯片的制造路線。日前，普瑞光電宣布明年將量產(chǎn)8英寸硅襯底的消息引起了業(yè)界的格外關(guān)注。隨后，Cree也發(fā)布消息稱，其白光功率型LE
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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搶攻節(jié)能商機(jī)日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團(tuán)隊(duì)
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布，攜手富士電機(jī)(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團(tuán)隊(duì)「TsukubaPower-ElectronicsConstella
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件
與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開(kāi)發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管
功率因數(shù)校正(PFC)市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過(guò)75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
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LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法介紹
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激
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LED外延片介紹及辨別質(zhì)量方法介紹
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激
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羅姆：依靠高品質(zhì)贏得市場(chǎng)
日本企業(yè)最令人稱道的地方就是對(duì)于產(chǎn)品品質(zhì)無(wú)止境的追求，而羅姆更是其中的佼佼者。在21ic記者訪問(wèn)慕尼黑上海電子展羅姆展臺(tái)的時(shí)候，展臺(tái)工程師使用頻率最多的一個(gè)詞就是“品質(zhì)”。 在本次展會(huì)上，羅姆以
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羅姆（ROHM）四大戰(zhàn)略重裝上陣
經(jīng)過(guò)50多年的發(fā)展，羅姆（ROHM）已經(jīng)成為大型的跨國(guó)集團(tuán)公司，在全球擁有多家開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售分支機(jī)構(gòu)。在其產(chǎn)品銷售額中，包括IC和分立元器件在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品占80%以上。以系統(tǒng)IC為首，羅姆擁有豐富多彩的半導(dǎo)體產(chǎn)
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LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激
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直流開(kāi)關(guān)電源的新技術(shù)應(yīng)用與發(fā)展
摘要：隨著電子技術(shù)和通信業(yè)的快速發(fā)展，高頻開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用越來(lái)越廣，開(kāi)關(guān)頻率的持續(xù)提高使開(kāi)關(guān)電源的性能也得以進(jìn)一步優(yōu)化，集成度更高，功耗更低，電路更加簡(jiǎn)單，工作更加可靠，是開(kāi)關(guān)電源發(fā)展的方向。目前，高頻
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LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)
外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激
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采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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羅姆“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)
21ic訊 羅姆株式會(huì)社推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)成。 此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能電池等中負(fù)責(zé)電力
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世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備
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氯化鈣補(bǔ)鈣
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風(fēng)云ljh
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Benjaminsein
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朱德榮
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