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飛兆半導體收購SiC公司TranSiC
飛兆半導體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒有透露。 飛兆半導體董事會主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術可以與飛兆半導體現(xiàn)有的MOS
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SiC基板專利綜合實力前三位為電裝、科銳、新日本制鐵”
Patent Result的分析結果。（點擊放大） 從事專利分析等業(yè)務的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半導體元件的SiC基板相關專利的調(diào)查結果。結果顯示，日本電裝在“綜合實力排名”中位居首位，第二位是美國
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飛兆半導體收購SiC公司TranSiC
飛兆半導體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒有透露。 飛兆半導體董事會主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術可以與飛兆半導體現(xiàn)有的MOS
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瑞薩將上市SiC功率半導體
瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因
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【基板開發(fā)最前沿（二）】科銳及羅姆展現(xiàn)的SiC基板的未來
圖：科銳的SiC基板。左為功率元件用4英寸品，右側(cè)為LED用6英寸品（點擊放大） “基板開發(fā)最前沿”的第二篇介紹SiC基板廠商的舉措。目前使用SiC的功率半導體元件（以下稱功率元件）比IGBT等Si制功率元件更有望使逆
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預估臺積電2011年營收4811億元，毛利率48.39%，稅后EPS 6.59元
1.臺積電對1Q11合并營收預估1,050~1,070億元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；營業(yè)利益率35~37%。IBTSIC預估臺積電1Q11營收1,063億元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，稅后凈利374.96億元，稅后EPS 1.45元。 2.IBTSIC預
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阿麗亞娜公司將為法意發(fā)射軍事通信衛(wèi)星
歐洲阿麗亞娜空間公司6日宣布，該公司將為意大利特萊斯帕齊奧電信公司發(fā)射一顆軍事通信衛(wèi)星。這顆名為Sicral-2的衛(wèi)星重達4.4噸，由泰雷茲阿萊尼亞宇航公司為意大利國防部和法國武器裝備總署設計制造。根據(jù)已簽署的協(xié)
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羅姆豐富產(chǎn)品線亮相高交會
在第12屆高交會電子展上，羅姆（ROHM）展出了通過自身研發(fā)、收購整合等途徑不斷變寬的產(chǎn)品線，及適用于汽車電子、LED、白色家電、IPC、手機等領域的系統(tǒng)解決方案。其中ROHM和OKI 半導體共同開發(fā)完成的面向Intel Atom
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羅姆加強中國布局，積累三大產(chǎn)品線優(yōu)勢
上個世紀五十年代創(chuàng)立初期，ROHM（羅姆）生產(chǎn)銷售的產(chǎn)品只有電阻，六十年代末七十年代初，ROHM開始進入晶體管、二極管和集成電路等半導體領域，并成為了第一家進入美國硅谷的日本企業(yè)，在硅谷開設了IC設計中心。而今
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TriQuint在第10屆IEEE國際固態(tài)集成電路技術會議 (ICSICT) 上發(fā)表講演
全球射頻產(chǎn)品的領導廠商和晶圓代工服務的重要供應商 TriQuint 半導體公司（納斯達克：TQNT）今日宣布，TriQuint半導體公司的高級射頻設計工程師 Wen Chen 女士將應邀在2010年11月4日在上海舉行的第10屆IEEE國際固
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富士電機開發(fā)出SiC功率元件用小型封裝
富士電機開發(fā)完成了用于SiC功率半導體元件（以下：功率元件）的新封裝。據(jù)富士電機介紹，體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外，通過采用無需引線鍵合的布線技術、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等，實
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Cree推出口徑為6英?的SiC底板
美國LED芯片龍頭Cree發(fā)?了口徑為6英?，約150mm的SiC底板，6英?產(chǎn)品的微管密度不超過10個/cm2，主要用于LED、高頻元件及功率半導體元件。 Cree目前SiC底板口徑以4英?為主，6英?底板不但可以提高生產(chǎn)效率，還可削減
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Keil C51對標準ANSIC的擴展的學習
Keil C51對標準ANSIC的擴展的學習
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SICAS：2010年Q2的半導體生產(chǎn)線整體開工率達95.6％
日前，國際半導體產(chǎn)能統(tǒng)計（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導體產(chǎn)能公布。雖然部分半導體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導體的整體
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解讀SICAS 2010 Q1全球半導體硅片產(chǎn)能
SICAS(一家國際半導體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機構)統(tǒng)計的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片
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解讀SICAS 2010Q1全球半導體硅片產(chǎn)能
SICAS是一家國際半導體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機構。它統(tǒng)計的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值
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日本SiC業(yè)務開始啟動，羅姆量產(chǎn)二極管
日本的SiC功率半導體元件（以下簡稱功率元件）業(yè)務開始全面啟動。集結產(chǎn)官學力量，使日本獲得該領域主導權的舉動越來越活躍。SiC是繼現(xiàn)有硅之后的新一代功率半導體的一種。特點是與硅功率元件相比，可以大幅削減逆變
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瞄準GaN及SiC功率半導體檢測標準—安捷倫開發(fā)新型測試裝置
目前，功率半導體受到越來越多的關注。這是因為在實現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對策時，功率半導體起到的作用極大。比如在日本國內(nèi)，“變頻器家電（空調(diào)、洗衣機、冰箱）”已變得相當普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
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第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離
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第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離
