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TriQuint在第10屆IEEE國際固態(tài)集成電路技術(shù)會議 (ICSICT) 上發(fā)表講演
全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商 TriQuint 半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克：TQNT）今日宣布，TriQuint半導(dǎo)體公司的高級射頻設(shè)計工程師 Wen Chen 女士將應(yīng)邀在2010年11月4日在上海舉行的第10屆IEEE國際固
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富士電機(jī)開發(fā)出SiC功率元件用小型封裝
富士電機(jī)開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件（以下：功率元件）的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹，體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外，通過采用無需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等，實
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Cree推出口徑為6英?的SiC底板
美國LED芯片龍頭Cree發(fā)?了口徑為6英?，約150mm的SiC底板，6英?產(chǎn)品的微管密度不超過10個/cm2，主要用于LED、高頻元件及功率半導(dǎo)體元件。 Cree目前SiC底板口徑以4英?為主，6英?底板不但可以提高生產(chǎn)效率，還可削減
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Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)
Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)
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SICAS：2010年Q2的半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開工率達(dá)95.6％
日前，國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體
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解讀SICAS 2010 Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS(一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機(jī)構(gòu))統(tǒng)計的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片
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解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS是一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計機(jī)構(gòu)。它統(tǒng)計的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值
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日本SiC業(yè)務(wù)開始啟動，羅姆量產(chǎn)二極管
日本的SiC功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）業(yè)務(wù)開始全面啟動。集結(jié)產(chǎn)官學(xué)力量，使日本獲得該領(lǐng)域主導(dǎo)權(quán)的舉動越來越活躍。SiC是繼現(xiàn)有硅之后的新一代功率半導(dǎo)體的一種。特點是與硅功率元件相比，可以大幅削減逆變
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瞄準(zhǔn)GaN及SiC功率半導(dǎo)體檢測標(biāo)準(zhǔn)—安捷倫開發(fā)新型測試裝置
目前，功率半導(dǎo)體受到越來越多的關(guān)注。這是因為在實現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對策時，功率半導(dǎo)體起到的作用極大。比如在日本國內(nèi)，“變頻器家電（空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱）”已變得相當(dāng)普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
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第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離
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第二代SiC肖特基二極管（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC（碳化硅）肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離
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基于SiC414設(shè)計的6A降壓電源穩(wěn)壓技術(shù)
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
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基于SiC414設(shè)計的6A降壓電源穩(wěn)壓技術(shù)
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
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基于SiC414設(shè)計的6A降壓電源穩(wěn)壓技術(shù)
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
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東工大硅量子點太陽能電池取得新進(jìn)展
東京工業(yè)大學(xué)教授小長井誠研究小組，大幅提高了利用硅量子點的太陽能電池的開放電壓（Voc）及I-V特性形狀因子（FF）數(shù)值。2010年3月10日，該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會學(xué)術(shù)演講會的會前新聞發(fā)
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IIC-China威世：創(chuàng)新與收購結(jié)合的增長模式
目前，Vishay已成為堪稱全球最大的分立半導(dǎo)體與無源電子元件制造商之一。其產(chǎn)品元件幾乎用于所有的電子設(shè)備中，在工業(yè)、計算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空及醫(yī)療市場。本次參展IIC，Vishay不僅展示了其最新的產(chǎn)品資
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需求穩(wěn)定 全球晶圓廠產(chǎn)能利用率維持高水平
全球芯片制造產(chǎn)能都有成長，但市場需求也是一樣；根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計組織(Semiconductor International Capacity Statistics，SICAS)所公布的數(shù)據(jù)，目前數(shù)個先進(jìn)制程領(lǐng)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都維持在九成以上。SI
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SICAS：晶圓廠產(chǎn)能利用率保持高位
半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計組織（SICAS）指出，全球芯片制造產(chǎn)能正在增長，同時需求也在增長，這使先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率保持在90%以上。2009年第四季度全球晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到89.4%，較第三季度的86.5%有所增長，這是由SICAS在
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全球半導(dǎo)體2009Q4的產(chǎn)能同比減少10.7%
按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計(SICAS)公布的2009第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說明。從SICAS摘下的2009Q4最新數(shù)據(jù)與2008Q4比較,有以下諸點加以說明;1),總硅片產(chǎn)能09Q4與08Q4相比還是減少10,7%2),全球
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全球半導(dǎo)體2009 Q4的產(chǎn)能同比減少10.7%
按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計(SICAS)公布的2009 第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說明。從SICAS摘下的2009 Q4最新數(shù)據(jù)與2008 Q4比較,有以下諸點加以說明;1),總硅片產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7%2)
