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飛兆：2013年SiC市場將正式啟動
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進入市場的主要原因是價格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個人認為2013年SiC市場將正式啟動，在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場接受
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iTunesiCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門出售1.5萬股蘋果票
據(jù)國外媒體報道，蘋果今天向美國證券交易委員會提交的材料顯示，蘋果iTunes、iCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門埃迪·庫伊(Eddy Cue)上周出售了1.5萬股股票，平均售價略低于584美元，套現(xiàn)不到876萬美元。庫伊去年9月份被提
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安森美半導(dǎo)體擴充用于固態(tài)照明系統(tǒng)的恒流穩(wěn)流器產(chǎn)品陣容
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出了針對固態(tài)照明系統(tǒng)而設(shè)計的全新的NSIC20XX系列線性恒流穩(wěn)流器(CCR)。新的NSIC20XX系列CCR提供120伏(V)的最大額定電壓及3瓦(W)功率，能夠承受數(shù)字標牌、照明板及裝飾性照明
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽
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中國電能質(zhì)量治理市場快步上揚，松下元器件帶來改善解決方案
中國經(jīng)濟迅速增長的背后離不開電能的支持，各行各業(yè)對電能的需求量以及對電能質(zhì)量的要求正越來越高。隨著電能質(zhì)量治理市場規(guī)模的不斷放大，該市場已成為人們關(guān)注的熱點之一，因而也成為2012年第十四屆高交會電子展中
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飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探
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耐2萬伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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知名半導(dǎo)體制造商羅姆：綜合解決方案提供者
對于來到中國的外資半導(dǎo)體企業(yè)，在需求多變的市場中如何實現(xiàn)本地化、拓展市場和提升競爭力成為他們面臨的共同問題。世界知名半導(dǎo)體制造商羅姆，憑借獨有的、多元化的高品質(zhì)產(chǎn)品群，在產(chǎn)品線布局上，統(tǒng)籌兼顧、有的放
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英飛凌先進工藝將太陽能逆變器效率提升一倍
太陽能的轉(zhuǎn)換效率問題是制約其應(yīng)用的一個巨大挑戰(zhàn)，業(yè)界正在為每一個進步而努力。日前英飛凌高管，負責銷售、市場、戰(zhàn)略和兼并的管理委員會成員Arunjai Mittal對本刊表示，英飛凌采用先進SiC工藝的JFET技術(shù)，可以將太
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CEATEC 2012羅姆:開關(guān)損耗降低85% SiC功率半導(dǎo)體助建節(jié)能社會
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點關(guān)注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會的創(chuàng)造當今世界隨著個人生活、商務(wù)、行業(yè)、社會系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)活用已在逐步孕育構(gòu)筑高效的智能社
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GSM翻頻技術(shù)
翻頻是一種合理的優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)手段。經(jīng)過平時長期地擴容調(diào)整和工程建設(shè)，網(wǎng)絡(luò)頻率相對來說比較雜亂，現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)頻點已不適合繼續(xù)應(yīng)用或現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)因不斷的新增建設(shè)，導(dǎo)致頻點資源混亂出現(xiàn)干擾，此時需對整網(wǎng)頻點重新規(guī)劃，使
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GSM翻頻技術(shù)
GSM翻頻技術(shù)
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英飛凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢壘二極管
21ic訊 英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計和最新的薄晶圓技術(shù)有機結(jié)合
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進入21世紀，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開
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昭和電工將SiC外延晶圓產(chǎn)能提高到2.5倍
昭和電工于2012年8月30日宣布，將功率半導(dǎo)體器件用4英寸SiC外延晶圓（也叫磊晶）的產(chǎn)能提高到了原來的2.5倍。 采用SiC的功率半導(dǎo)體器件有利于減小逆變器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的尺寸，降低損耗，因此器件廠商都在積極開發(fā)
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DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)
日經(jīng)新聞23日報導(dǎo)，全球汽車零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)共同研發(fā)出環(huán)保車高性能晶片用次世代半導(dǎo)體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報導(dǎo)指出，和現(xiàn)行矽晶圓相比，SiC晶圓結(jié)晶困
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
